Growth of nominally undoped p-type ZnO on Si by pulsed-laser deposition

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 12, 2005, Pages 1-3

  Oh, Min Suk ^a   Kim, Sang Ho ^a   Seong, Tae Yeon ^a,b  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

^b Korea University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HALL EFFECT; OHMIC CONTACTS; OXYGEN; PHOTOLUMINESCENCE; PRESSURE EFFECTS; PULSED LASER DEPOSITION; SILICON; THIN FILMS;

OXYGEN PRESSURE; SCHOTTKY BEHAVIORS; ZNO FILSM;

ZINC OXIDE;

EID: 28344448489     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2056576     Document Type: Article

References (31)

1. R. F. Service, Science 276, 895 (1997).
2. Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 3270 (1998).
3. D. C. Look, Mater. Sci. Eng., B 80, 383 (2001).
4. Y. Ma, G. T. Du, S. R. Yang, Z. T. Li, B. J. Zhao, X. T. Yang, T. P. Yang, Y. T. Zhang, and D. L. Liu, J. Appl. Phys. 95, 6268 (2004).
5. Y. R. Ryu, S. Zhu, D. C. Look, J. M. Wrobel, H. M. Jeong, and H. W. White, J. Cryst. Growth 216, 330 (2000).
6. K. K. Kim, H. S. Kim, D. K. Hwang, J. H. Hong, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003).
7. K. Minegishi, Y. Koiwai, Y. Kikuchi, K. Yano, M. Kasuga, and A. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1453 (1997).
8. M. Joseph, H. Tabata, H. Saeki, K. Ueda, and T. Kawai, Physica B 302, 303, 140 (2001).
9. D. C. Look, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, G. Cantwell, and D. C. Reynolds, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
10. C. C. Lin, S. Y. Cheng, H. Y. Lee, and S. Y. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 5040 (2004).
11. D. C. Look, G. M. Renlund, R. H. Burgener, and J. R. Sizelove, Appl. Phys. Lett. 85, 5269 (2004).
12. X. Li, Y. Yan, T. A. Gessert, C. L. Perkins, D. Young, C. Dehart, M. Young, and T. J. Coutts, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 1342 (2003).
13. Y. Yan, S. B. Zhang, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 86, 5723 (2001).
14. T. V. Butkhuzi, A. V. Bureyev, A. N. Georgobiani, N. P. Kekelidze, and T. G. Khulordava, J. Cryst. Growth 117, 366 (1992).
15. G. Xiong, J. Wilkinson, B. Mischuck, S. Tuzemen, K. B. User, and R. T. Williams, Appl. Phys. Lett. 80, 1195 (2002).
16. H. K. Kim, S. H. Han, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 77, 1647 (2000).
17. H. K. Kim, S. H. Han, T. Y. Seong, and W. K. Choi, J. Electrochem. Soc. 148, G114 (2001).
18. S. S. Kim and B. T. Lee, Thin Solid Films 446, 307 (2004).
19. G. S. Marlow and M. B. Das, Solid-State Electron. 25, 91 (1982).
20. D. R. Lide, Handbook of Chemistry and Physics, 76th ed. (CRC, Boca Raton, FL, 1995-1996).
21. B. Lin, Z. Fu, and Y. Jia, Appl. Phys. Lett. 79, 943 (2001).
22. M. Liu, A. H. Kitai, and P. Mascher, J. Lumin. 54, 35 (1992).
23. G. W. Tomlis, J. L. Routbort, and T. O. Mason, J. Appl. Phys. 87, 117 (2000).
24. D. C. Reynolds, D. C. Look, C. W. Litton, T. C. Collins, W. Harsch, G. Cantwell, and B. Jogai, Phys. Rev. B 57, 12151 (1998).
25. K. L. Teo, J. S. Colton, P. Y. Yu, E. R. Weber, M. F. Li, W. Liu, K. Uchida, H. Tokunaga, N. Akutsu, and K. Matsumoto, Appl. Phys. Lett. 73, 1697 (1998).
26. A. B. M. A. Ashrafi, I. Suemune, H. Kumano, and S. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L1281 (2002).
27. A. N. Georgobiani, M. B. Kotlyarevskii, V. V. Kidalov, L. S. Lepnev, and I. V. Rogozin, Inorg. Mater. 37, 1095 (2001).
28. A. F. Kohan, G. Ceder, and D. Morgan, Phys. Rev. B 61, 15019 (2000).
29. S. B. Zhang, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 63, 075205 (2001).
30. F. Oba, S. Nishitani, S. Isotani, H. Adachi, and I. Tanaka, J. Appl. Phys. 90, 824 (2001).
31. X. L. Wu, G. G. Siu, C. L. Fu, and H. C. Ong, Appl. Phys. Lett. 78, 2285 (2001).