Degradation-robust single mode continuous wave operation of 1.46 μm metamorphic quantum dot lasers on GaAs substrate

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 4, 2006, Pages

  Kettler, T ^a   Karachinsky, L Ya ^a,b   Ledentsov, N N ^a,b   Shchukin, V A ^a,b   Fiol, G ^a   Kuntz, M ^a   Lochmann, A ^a   Schulz, O ^a   Reissmann, L ^a   Posilovic, K ^a   Bimberg, D ^a   Novikov, I I ^b   Shernyakov, Yu M ^b   Gordeev, N Yu ^b   Maximov, M V ^b   Kryzhanovskaya, N V ^b   Zhukov, A E ^b   Semenova, E S ^b   Vasil'ev, A P ^b   Ustinov, V M ^b   Kovsh, A R ^c   more..

^a TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

^b IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^c NL Nanosemiconductor GmbH   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BANDWIDTH; MODULATION; ROBUSTNESS (CONTROL SYSTEMS); SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; SUBSTRATES;

DEFECT REDUCTION; METAMORPHIC QUANTUM DOT LASERS; MODULATION BANDWIDTH; NARROW RIDGE LASERS;

CONTINUOUS WAVE LASERS;

EID: 33746592561     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2236291     Document Type: Article

References (26)

1. D. Bimberg, J. Phys. D 38, 2055 (2005).
2. N. N. Ledentsov, IEEE J. Sci. Top. Quantum Electron. 8, 1015 (2002).
3. G. Park, O. B. Shchekin, D. L. Huffaker, and D. G. Deppe, IEEE Photon. Technol. Lett. 12, 230 (2000).
4. M. Grundmann and D. Bimberg, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4181 (1997).
5. O. B. Shchekin, J. Ahn, and D. G. Deppe, Electron. Lett. 38, 712 (2002).
6. A. R. Kovsh, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, S. S. Mikhrin, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maximov, D. A. Livshits, V. M. Ustinov, Zh. I. Alterov, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Electron. Lett. 38, 1104 (2002).
7. Ch. Ribbat, R. L. Sellin, I. Kaiander, F. Hopfer, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, and M. V. Maximov, Appl. Phys. Lett. 82, 952 (2003).
8. D. G. Deppe, D. L. Huffaker, S. Csutak, Z. Zou, G. Park, and O. B. Shchekin, IEEE J. Quantum Electron. 35, 1238 (1999).
9. M. Kuntz, G. Fiol, M. Lammlin, C. Schubert, A. R. Kovsh, A. Jacob, A. Umbach, and D. Bimberg, Electron. Lett. 41, 244 (2005).
10. D. Bimberg, N. N. Ledentsov, and J. A. Lott, MRS Bull. 27, 531 (2002).
11. M. Yano, H. Imai, and M. Tukusagawa, J. Appl. Phys. 52, 3172 (1981).
12. H. Ishikawa and I. Suemune, IEEE Photon. Technol. Lett. 6, 344 (1994).
13. M. Ortsiefer, R. Shau, G. Böhm, F. Köhler, and M.-C. Amman, Appl. Phys. Lett. 76, 2179 (2000).
14. D. Gollub, S. Moses, M. Fischer, and A. Forchel, Electron. Lett. 39, 777 (2003).
15. S. R. Bank, M. A. Wistey. L. L. Goddard, H. B. Yuen, V. Lordi, and J. S. Harris, Jr., IEEE J. Quantum Electron. 40, 656 (2004).
16. N. N. Ledentsov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, N. A. Maleev, S. S. Mikhrin, A. P. Vasil'ev, E. S. Semenova, M. V. Maximov, Yu. M. Shernyakov, N. V. Kryzhanovskaya, V. M. Ustinov, and D. Bimberg, Electron. Lett. 39, 1126 (2003).
17. J. P. van der Ziel and N. Chand, J. Appl. Phys. 68, 2731 (1990).
18. M. E. Groenert, Ch. W. Leitz, A. J. Pitera, V. Yang, H. Lee, R. J. Ram, and E. A. Fitzgerald, J. Appl. Phys. 93, 362 (2003).
19. Z. Mi, P. Bhattacharya, J. Yang, and K. P. Pipe, Electron. Lett. 41, 742 (2005).
20. N. N. Ledentsov, A. R. Kovsh, V. A. Shchukin, S. S. Mikhrin, I. L. Krestnikov, A. V. Kozhukhov, L. Ya. Karachinsky, M. V. Maximov, I. I. Novikov, Yu. M. Shernyakov, I. P. Soshnikov, A. E. Zhukov, E. L. Portnoi, V. M. Ustinov, D. Gerthsen, P. Bhattacharya, N. F. Zakharov, P. Werner, F. Hopfer, M. Kuntz, and D. Bimberg, Proc. SPIE 5624, 335 (2005).
21. M. V. Maximov, Yu. M. Shernyakov, N. V. Kryzhanovskaya, A. G. Gladyshev, Yu. G. Musikhin, N. N. Ledentsov, A. E. Zhukov, A. P. Vasil'ev, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, E. S. Semenova, N. A. Maleev, E. V. Nikitina, V. M. Ustinov, and Zh. I. Alferov, Semiconductors 38, 732 (2004).
22. L. Ya. Karachinsky, T. Kettler, N. Yu. Gordeev, I. I. Novikov, M. V. Maximov, Yu. M. Shernyakov, N. V. Kryzhanovskaya, A. E. Zhukov, E. S. Semenova, A. P. Vasil'ev, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, A. R. Kovsh, V. A. Shchukin, S. S. Mikhrin, A. Lochmann, O. Schulz, L. Reissmann, and D. Bimberg, Electron. Lett. 41, 478 (2005).
23. L. Ya. Karachinsky, T. Kettler, N. Yu. Gordeev, I. I. Novikov, M. V. Maximov, Yu. M. Shernyakov, N. V. Kryzhanovskaya, A. E. Zhukov, E. S. Semenova, A. P. Vasil'ev, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, A. R. Kovsh, V. A. Shchukin, S. S. Mikhrin, A. Lochmann, O. Schulz, L. Reissmann, and D. Bimberg, Semiconductors 39, 1415 (2005).
24. M. Kuntz, G. Fiol, M. Lammlin, D. Bimberg, M. G. Thompson, K. T. Tan, C. Marinelli, A. Wonfor, R. Sellin, R. V. Penty, I. H. White, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, Y. M. Shernyakov, A. R. Kovsh, N. N. Ledentsov, C. Schubert, and V. Marembert, New J. Phys. 6, 181 (2004).
25. K. Otsubo, N. Hatori, M. Ishida, S. Okumura, T. Akiyama, Y. Nakata, H. Ebe, M. Sugawara, and Y. Arakawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L1124 (2004).
26. R. Olshansky, IEEE J. Quantum Electron. QE-23, 1410 (1987).