Improving electrical properties and thermal stability of (Ba,Sr)TiO 3 thin films on Cu(Mg) bottom electrodes

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 45, Issue 6 B, 2006, Pages 5495-5500

  Tsai, Kou Chiang ^a,b   Wu, Wen Fa ^b   Chao, Chuen Guang ^a   Lee, Jain Tsai ^a   Shen, Shih Wen ^b  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL NANO DEVICE LABORATORIES   (Taiwan)

Author keywords

Bottom electrodes; BST films; Cu; Cu(Mg); MgO

Indexed keywords

CAPACITORS; COPPER ALLOYS; CURRENT DENSITY; ELECTRIC BREAKDOWN; ELECTRIC FIELD EFFECTS; ELECTRIC PROPERTIES; ELECTRODES; LEAKAGE CURRENTS; MAGNESIA; TITANIUM OXIDES;

BIAS TEMPERATURE STRESS; BOTTOM ELECTRODES; BST FILMS; TIME-DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN;

THIN FILMS;

EID: 33745658639     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.45.5495     Document Type: Review

References (24)

1. P.-Y. Lesaicherre, S. Yamamichi, H. Yamaguchi, K. Takemura, H. Watanabe, K. Tokashiki, K. Satoh, T. Sakuma, M. Yoshida, S. Ohnishi, K. Nakajima, K. Shibahara, Y. Miyasaka and H. Ono: IEDM Tech. Dig., 1994, p. 831.
2. K. Koyama, T. Sakuma, S. Yamamichi, H. Watanabe, H. Aoki, S. Ohya, Y. Miyasaka and T. Kikkawa; IEDM Tech. Dig., 1991, p. 823.
3. C. S. Hwang, S. O. Park, H.-J. Cho, C. S. Kang, H.-K. Kang, S. I. Lee and M. Y. Lee: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 2819.
4. T. Kuoiwa, Y. Tsunenine, T. Horikawa, T. Makita, J. Tanimura, N. Mikami and K. Sato: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 5187.
5. D. E. Kotecki, J. D. Baniecki, H. Shen, R. B. Laibowitz, K. L. Saenger, J. J. Lian, T. M. Shaw, S. D. Athavale, C. Cabral, Jr., P. R. Duncombe, M. Gutsche, G. Kunkel, Y.-J. Park, Y.-Y. Wang and R. Wise: IBM J. Res. Dev. 43 (1999) 367.
6. M. S. Tsai, S. C. Sun and T. Y. Tseng: J. Appl. Phys. 82 (1997) 3482.
7. N. Ichinose and T. Ogiwara: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 5198.
8. M. Yamato, H. Yamada and T. Kikkawa: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 5221.
9. S. Hong, H. Bak. I. An and O. K. Kim: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 1796.
10. S. Yamamichi, A. Yamamichi, D. Park and C. Hu: IEDM Tech. Dig., 1997, p. 188.
11. V. Balu, T. S. Chen, B. Jiang, D. Hadad, S. H. Kuah, S. Katakam, B. White, B. Melnick, P. Chu, R. E. Jones, S. J. Gillespie and J. C. Lee: IEDM Tech. Dig., 1997, p. 145.
12. K. C. Tsai, W. F. Wu, J. C. Chen, T. J. Pan and C. G. Chao: J. Vac. Sci. Technol. B 22 (2004) 993.
13. W. A. Lanford, P. J. Ding, W. Wang, S. Hymes and S. P. Muraka: Thin Solid Films 262 (1995) 234.
14. W. Fan, B. Kabius, J. M. Hiller, S. Saha, J. A. Carlisle, O. Auciello, R. P. H. Chang and R. Ramesh: J. Appl. Phys. 94 (2003) 6192.
15. W. H. Lee, H. L. Cho, B. S. Cho, J. Y. Kim, W. J. Nam, Y.-S. Kim, W. G. Jung, H. Kawn, J. H. Lee, J. G. Lee, P. J. Reucroft, C. M. Lee and E. G. Lee: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 2192.
16. P. J. Ding, W. A. Lanford, S. Hymes and S. P. Murarka: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 2897.
17. J. Lee, Y. C. Choi and B. S. Lee: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 3644.
18. D. K. Choi, J. Y. Choi, J. H. Won and S. H. Pake: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 433 (1996) 45.
19. T. Suwwan de Felipe, S. P. Murarka, S. Bedell and W. A. Lanford: J. Vac. Sci. Technol. B 15 (1997) 1987.
20. H. Cui and P. A. Burke: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 2629.
21. A. L. S. Loke, J. T. Wetzel, P. H. Townsend, T. Tanabe, R. N. Vrtis, M. P. Zussman, D. Kumar, C. Ryu and S. S. Wong: IEEE Trans. Electron Devices 46 (1999) 2178.
22. S. McClatchie, K. Beekmann and A. Kiermasz: Proc. Dielectrics for VLSI/USLI Multilevel Interconnect Conf., 1998, p. 311.
23. I. C. Chen, S. Holland and C. Hu: IEEE Trans. Electron Devices 32 (1985) 413.
24. S. Yamamichi, A. Yamamichi, D. Park, T. J. King and C. Hu: IEEE Trans. Electron Devices 46 (1999) 342.