Crystallization of Si in millisecond time domain induced by thermal plasma jet irradiation

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 45, Issue 5 B, 2006, Pages 4313-4320

  Higashi, Seiichiro ^a   Kaku, Hirotaka ^a   Okada, Tatsuya ^a   Murakami, Hideki ^a   Miyazaki, Seiichi ^a  

^a HIROSHIMA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

Nanocrystal; Phase transformation; Rapid thermal annealing; Thermal plasma jet; Thin film transistor

Indexed keywords

ARGON; CRYSTALLIZATION; IRRADIATION; NANOSTRUCTURED MATERIALS; PHASE TRANSITIONS; PLASMA JETS; RAPID THERMAL ANNEALING; THIN FILM TRANSISTORS;

NANOCRYSTAL; SOLID PHASE CRYSTALLIZATION (SPC); SURFACE TEMPERATURE; THERMAL PLASMA JET (TPJ);

SILICON;

EID: 33744466032     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.45.4313     Document Type: Review

References (31)

1. T. Sameshima and S. Usui: J. Appl. Phys. 70 (1991) 1281.
2. S. Higashi and T. Sameshima: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 480.
3. R. A. Lemons, M. A. Bosch, A. H. Dayem, J. K. Grogan and P. M. Mankiewich: Appl. Phys. Lett. 40 (1982) 469.
4. S. Kawamura, J. Sakurai, M. Nakano and M. Takagi: Appl. Phys. Lett. 40 (1982) 394.
5. D. J. Wouters and H. E. Maes: J. Appl. Phys. 66 (1989) 900.
6. A. Doi, T. Asakawa and S. Namba: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) L128.
7. A. Hara, F. Takeuchi, M. Takei, K. Suga, K. Yoshino, M. Chida, Y. Sano and N. Sasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L311.
8. N. Sotani, I. Hasegawa, D. Ide, T. Nohda and K. Yamano: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 21.
9. T. Sameshima and K. Ozaki: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L651.
10. T. Sameshima, Y. Kaneko and N. Andoh: Appl. Phys. A 73 (2001) 419.
11. Y. Kaneko, N. Andoh and T. Sameshima: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L913.
12. H. Kaku, S. Higashi, H. Taniguchi, H. Murakami and S. Miyazaki: Appl. Surf. Sci. 244 (2005) 8.
13. S. Higashi, H. Kaku, H. Taniguchi, H. Murakami and S. Miyazaki: Thin Solid Films 487 (2005) 122.
14. K. C. Hsu, K. Etemadi and E. Pfender: J. Appl. Phys. 54 (1983) 1293.
15. J. H. Wray and J. T. Neu: J. Opt. Soc. Am. 59 (1969) 774.
16. T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, H. Murakami and S. Miyazaki: Dig. Tech. Pap. AM-LCD 05, Kanazawa, Japan, July 6-8, 2005, p. 171.
17. T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami and S. Miyazaki: Proc. Int. Symp. Dry Process, Jeju, Korea, November 28-30, 2005, p. 405.
18. R. Kakkad, J. Smith, W. S. Lau, S. J. Fonash and R. Kerns: J. Appl. Phys. 65 (1989) 2069.
19. R. B. Iverson and R. Reif: J. Appl. Phys. 62 (1987) 1675.
20. D. Turnbull and J. C. Fisher: J. Chem. Phys. 17 (1949) 71.
21. K. F. Kelton, A. L. Greer and C. V. Thompson: J. Chem. Phys. 79 (1983) 6261.
22. F. G. Shi: J. Appl. Phys. 76 (1994) 5149.
23. S. Higashi, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki, M. Asami, H. Watakabe, N. Ando and T. Sameshima: Dig. Tech. Pap. AM-LCD 04, Tokyo Japan, August 25-27, 2004, p. 179.
24. S. Higashi, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki, H. Watakabe, N. Ando and T. Sameshima: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L108.
25. T. Sameshima and M. Satoh: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L687.
26. K. Asada, K. Sakamoto, T. Watanabe, T. Sameshima and S. Higashi: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 3883.
27. T. Sameshima, K. Sakamoto and K. Asada: Appl. Phys. A 69 (1999) 221.
28. F. L. Galeener: Phys. Rev. B 19 (1979) 4292.
29. F. L. Galeener: J. Non-Cryst. Solids 49 (1982) 53.
30. D. J. DiMaria, J. R. Kirtley, E. J. Pakulis, D. W. Dong, T. S. Kuan, F. L. Pesavento, T. N. Theis, J. A. Cutro and S. D. Brorson: J. Appl. Phys. 56 (1984) 401.
31. D. Nesheve, C. Rapits, A. Perakis, I. Bineva, Z. Aneva, Z. Lezi, S. Alexandrova and H. Hofmeister: J. Appl. Phys. 92 (2002) 4678.