Area-selective post-deposition annealing process using flash lamp and Si photoenergy absorber for metal/high-k gate metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with NiSi source/drain

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 45, Issue 4 B, 2006, Pages 2939-2944

  Matsuki, Takeo ^a   Nishimura, Isamu ^a,b   Akasaka, Yasushi ^a   Hayashi, Kiyoshi ^a,c   Noguchi, Masataka ^a,d   Yamashita, Koji ^a,e   Torii, Kazuyoshi ^a,f   Kasai, Naoki ^a,d   Nara, Yasuo ^a  

^a SEMICONDUCTOR LEADING EDGE TECHNOLOGIES INC   (Japan)

^b ROHM CO LTD   (Japan)

^c RENESAS TECHNOLOGY CORP   (Japan)

^d NEC CORPORATION   (Japan)

^e TOKYO ELECTRON LTD   (Japan)

^f HITACHI LTD   (Japan)

Author keywords

HfAlOx; High k gate dielectrics; Metal gate; MISFET; NiSi; Post deposition annealing

Indexed keywords

ANNEALING; ELECTRIC LAMPS; GATES (TRANSISTOR); MISFET DEVICES; NICKEL COMPOUNDS; SILICON;

HIGH-K GATE DIELECTRICS; METAL GATE; NISI; POST-DEPOSITION ANNEALING;

LIGHT ABSORPTION;

EID: 33646899066     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.45.2939     Document Type: Article

References (19)

1. S. Inumiya, T. Miura, K. Shirai, T. Matsuki, K. Torii and Y. Nara: Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials, 2005, p. 10.
2. Z. Zhang, M. Li and S. A. Campbell: IEEE Electron Device Lett. 26 (2005) 20.
3. M. H. Cho, Y. S. Roh, C. N. Wang, K. Jeong, S. W. Nahm, D.-H. Ko, J. H. Lee, N. I. Lee and K. Fujihara: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 472.
4. W. S. Kim, T. Kawahara. H. Itoh, A. Horiuchi, A. Muto. T. Maeda, R. Mitsuhashi, K. Torii and H. Kitajima: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 1860.
5. R. Mitsuhashi, A. Horiuchi, A. Uedono and K. Torii: Ext. Abstr. IWGI2003, 2003, p. 150.
6. R. Mitsuhashi, K. Torii, H. Ohji. T. Kawahara, A. Horiuchi, H. Tanaka, M. Takahashi and H. Kitajima: Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials, 2004, p. 34.
7. A. Chatterjee, R. A. Chapman, K. Joyner, M. Otobe, S. Hattangady, M. Bevan, G. A. Brown, H. Yang, Q. He, D. Rogers, S. J. Fang, R. Kraft, A. L. P. Rotondaro, M. Terry, K. Brennan, S.-W. Aur, J. C. Hu, H.-L. Tsai, P. Jones, G. Wilk, M. Aoki, M. Rodder and I.-C. Chen: IEDM Tech. Dig., 1998, p. 777.
8. A. Yagishita, T. Saito, K. Nakajima, S. Inumiya, Y. Akasaka, Y. Ozawa, G. Minamihara, H. Yano, K. Hieda, K. Suguro, T. Arikado and K. Okumura: IEDM Tech. Dig., 1998, p. 785.
9. A. Lauwers, P. Besser, T. Gutt, A. Satta. M. de Potter, R. Lindsay, N. Roelandts, F. Loosen, S. Jin, H. Bender, M. Stucchi, C. Vrancken, B. Deweerdt and K. Maex: Microelectron. Eng. 50 (2000) 103.
10. T. Ito, T. Iinuma, A. Murakoshi, H. Akutsu, K. Suguro, T. Arikado, K. Okumura, M. Yoshioka, T. Owada, Y. Imaoka, H. Murayama and T. Kushida: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 2394.
11. K. Yamashita, H. Nishimori, M. Yoshioka, T. Kusuda, T. Arikado and K. Okumura: ISSM Proc., 2003, p. 153.
12. T. Matsuki, Y. Akasaka, K. Hayashi, M. Noguchi, K. Yamashita, H. Syoji, K. Torii, N. Kasai and T. Arikado: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 811 (2004) 87.
13. A. R. Forouhi and I. Bloomer: Phys. Rev. B 34 (1986) 7018.
14. A. R. Forouhi and I. Bloomer: Phys. Rev. B 38 (1988) 1865.
15. W. P. Maszara, Z. Krivokapic, P. King, J.-S. Goo and M.-R. Lin: IEDM Tech. Dig., 2002, p. 367.
16. T. Nabatame, M. Kadoshima, K. Iwamoto, N. Mise, S. Migita, M. Ohno, H. Ota, N. Yasuda, A. Ogawa, K. Tominaga, H. Satake and A. Toriumi: IEDM Tech. Dig., 2004, p. 83.
17. T. Matsuki, K.Torii, T. Maeda, Y. Akasaka, K. Hayashi, N. Kasai and T. Arikado: IEICE Trans. Electron. E88-C (2005) 804.
18. J. A. Kittl, A. Veloso, A. Lauwers, K. G. Anil, C. Demeurisse, S. Kubicek, M. Niwa, M. J. H. van Dal, O. Richard, M. A. Pawlak, M. Jurczak, C. Vrancken, T. Chiarella, S. Brus, K. Maez and S. Biesemans: Tech. Dig. VLSI Symp., 2005, p. 72.
19. K. Onishi, R. Choi, C. S. Kang, H.-J. Cho, Y. H. Kim, R. E. Nieh, J. Han, S. A. Krishnan, M. S. Akbar and J. C. Lee: IEEE Trans. Electron Devices 50 (2003) 1517.