Quantitative mobility spectrum analysis of AlGaN/GaN heterostructures using variable-field hall measurements

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 14, 2006, Pages

  Biyikli, N ^a   Xie, J ^a   Moon, Y T ^a   Yun, F ^a   Stefanita, C G ^a   Bandyopadhyay, S ^a   Morko H ^a   Vurgaftman, I ^b   Meyer, J R ^b  

^a Virginia Commonwealth University   (United States)

^b NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER TRANSPORT; LOW-MOBILITY BULK ELECTRONS; QUANTITATIVE MOBILITY SPECTRUM ANALYSIS (QMSA); SAPPHIRE TEMPLATE;

ALUMINUM COMPOUNDS; CARRIER CONCENTRATION; ELECTRON GAS; HALL EFFECT; HETEROJUNCTIONS; MAGNETIC FIELDS; MAGNETIC VARIABLES MEASUREMENT; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TRANSPORT PROPERTIES;

CARRIER MOBILITY;

EID: 33646678931     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2195011     Document Type: Article

References (18)

1. H. Morko̧, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
2. S. N. Mohammad, Z. F. Fan, A. Salvador, O. Aktas, A. E. Botchkarev, W. Kim, and H. Morko̧, Appl. Phys. Lett. 69, 1420 (1996).
3. M. A. Khan, Q. Chen, M. S. Shur, B. T. Dermott, J. A. Higgins, J. Burm, W. Schaff, and L. F. Eastman, Electron. Lett. 32, 357 (1996).
4. M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, M. S. Shur, B. T. Dermott, and J. A. Higgins, IEEE Electron Device Lett. 17, 325 (1996).
5. Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 17, 455 (1996).
6. Y. F. Wu, S. Keller, P. Kozodoy, B. P. Keller, P. Parikh, D. Kapolnek, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 18, 290 (1997).
7. Ö. Aktaş, Z. F. Fan, A. Botchkarev, S. N. Mohammad, M. Roth, T. Jenkins, L. Kehias, and H. Morko̧, IEEE Electron Device Lett. 0741-3106 10.1109/55.585363 18, 293 (1997); Ö. Aktaş, W. Kim, Z. Fan, S. N. Mohammad, A. Botchkarev, A. Salvador, B. Sverdlov, and H. Morko̧, Electron. Lett. 31, 1389 (1995).
8. Ö. Aktaş, Z. F. Fan, A. Botchkarev, S. N. Mohammad, M. Roth, T. Jenkins, L. Kehias, and H. Morko̧, IEEE Electron Device Lett. 0741-3106 10.1109/55.585363 18, 293 (1997); Ö. Aktaş, W. Kim, Z. Fan, S. N. Mohammad, A. Botchkarev, A. Salvador, B. Sverdlov, and H. Morko̧, Electron. Lett. 31, 1389 (1995).
9. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, D. Redfern, J. Antoszewski, L. Farone, and J. R. Lindemuth, J. Appl. Phys. 84, 4966 (1998).
10. J. Antoszewski, L. Faraone, I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and C. A. Hoffman, J. Electron. Mater. 33, 673 (2004).
11. C. H. Swartz, R. P. Tomkins, N. C. Giles, T. H. Myers, H. Lu, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, J. Cryst. Growth 269, 29 (2004).
12. C. H. Swartz, R. P. Tomkins, T. H. Myers, D. C. Look, and J. R. Sizelove, J. Electron. Mater. 33, 412 (2005).
13. A. Saxler, P. Debray, R. Perrin, S. Elhamri, W. C. Mitchel, C. R. Elsass, I. P. Smorchkova, B. Heying, E. Haus, P. Fini, J. P. Ibbetson, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 87, 369 (2000).
14. S. Elhamri, R. Berney, W. C. Mitchel, W. D. Mitchel, J. C. Roberts, P. Rajagopal, T. Gehrke, E. L. Piner, and K. J. Linthicum, J. Appl. Phys. 95, 7982 (2004).
15. S.-J. Cho, S. Doǧan, S. Sabuktagin, M. A. Reshchikov, D. K. Johnstone, and H. Morko̧, Appl. Phys. Lett. 84, 3070 (2004).
16. J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, D. A. Arnold, S. Sivananthan, and J. P. Faurie, Semicond. Sci. Technol. 8, 805 (1993).
17. J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. Antoszewski, and L. Farone, J. Appl. Phys. 81, 709 (1997).
18. N. N. Berchenko, V. V. Bogoboyashchiy, I. I. Izhnin, M. Pociask, E. M. Sheregii, and V. A. Yudenkov, Phys. Status Solidi C 2, 1418 (2005).