Phosphine dissociation and diffusion on Si(001) observed at the atomic scale

Journal of Physical Chemistry B

Volumn 110, Issue 7, 2006, Pages 3173-3179

  Schofield, Steven R ^a   Curson, Neil J ^a   Warschkow, Oliver ^a   Marks, Nigel A ^a   Wilson, Hugh F ^a   Simmons, Michelle Y ^a   Smith, Phillip V ^a   Radny, Marian W ^a   McKenzie, David R ^a   Clark, Robert G ^a  

^a NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ADSORPTION; DIFFUSION; DISSOCIATION; MONOLAYERS; NANOTECHNOLOGY; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY;

MOLECULAR ELECTRONICS; MOLECULAR IDENTIFICATION; PHOSPHINE DISSOCIATION; SURFACE DIFFUSION;

PHOSPHORUS COMPOUNDS;

EID: 33644973250     PISSN: 15206106     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp054646v     Document Type: Article

References (34)

1. Tucker, J. R.; Shen, T. C. Int. J. Circ. Theor. Appl. 2000, 28, 553-562.
2. Anconaa, M. G. J. Appl. Phys. 1996, 79, 526.
3. Schofield, S. R.; Curson, N. J.; Simmons, M. Y.; Ruess, F. J.; Hallam, T.; Oberbeck, L.; Clark, R. G. Phys. Rev. Lett. 2003, 91, 136104.
4. Ono, Y.; Fujiwara, A.; Takahashi, Y.; Inokawa, H. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2005, 864, E6.7.1.
5. Kane, B. E. Nature 1998, 393, 133-137.
6. Das Sarma, S.; de Sousa, R.; Hu, X.; Koiller, B. Solid State Comm. 2005, 133, 733.
7. Schenkel, T.; Persaud, A.; Park, S. J.; Nilsson, J.; Bokor, J.; Liddle, J. A.; Keller, R.; Schneider, D. H.; Cheng, D. W.; Humphries, D. E. J. Appl. Phys. 2003, 94, 7017.
8. Tucker, J. R.; Shen, T. C. Solid-State Electron. 1998, 42, 1061.
9. Colaianni, M. L.; Chen, P. J.; Yates, J. T., Jr. J. Vac. Sci. Technol., A 1994, 12, 2995.
10. Yoo, D. S.; Suemitsu, M.; Miyamoto, N. J. Appl. Phys. 1995, 78, 4988.
11. Shan, J.; Wang, Y.; Hamers., R. J. J. Phys. Chem. 1996, 100, 4961.
12. Hamers, R. J.; Wang, Y.; Shan, J. Appl. Surf. Sci. 1996, 107, 25-34.
13. Lin, D. S.; Ku, T. S.; Sheu, T. J. Surf. Sci. 1999, 424, 7-18.
14. Lin, D.-S.; Ku, T.-S.; Chen, R.-P. Phys. Rev. B 2000, 61, 2799.
15. Miotto, R.; Srivastava, G. P.; Ferraz, A. C. Phys. Rev. B 2001, 63, 125321.
16. Miotto, R.; Srivastava, G. P.; Ferraz, A. C. Surf. Sci. 2001, 482-485, 160-165.
17. Cao, P.-L.; Lee, L.-Q.; Dai, J.-J.; Zhou, R.-H. J. Phys.: Condens. Mater. 1994, 6, 6103-6109.
18. Kipp, L.; Bringans, R. D.; Biegelsen, D. K.; Northrup, J. E.; Garcia, A.; Swartz, L. E. Phys. Rev. B 1995, 52, 5843.
19. Wang, Y.; Bronikowski, M. J.; Hamers, R. J. J. Phys. Chem. 1994, 98, 5966.
20. Curson, N. J.; Schofield, S. R.; Simmons, M. Y.; Oberbeck, L.; O'Brien, J. L.; Clark, R. G. Phys. Rev. B 2004, 69, 195303.
21. Wilson, H. F.; Warschkow, O.; Marks, N. A.; Schofield, S. R.; Curson, N. J.; Smith, P. V.; Radny, M. W.; McKenzie, D. R.; Simmons, M. Y. Phys. Rev. Lett. 2004, 93, 226102.
22. Warschkow, O.; Marks, N.; Wilson, H. F.; Schofield, S. R.; Curson, N. J.; Smith, P. V.; Radny, M. W.; McKenzie, D. R.; Simmons, M. Y. Phys. Rev. B 2005, 72, 125328.
23. Owen, J. H. G.; Bowler, D. R.; Goringe, C. M.; Miki, K.; Briggs, G. A. D. Phys. Rev. B 1996, 54, 13153.
24. Swartzentruber, B. S.; Mo, Y. W.; Webb, M. B.; Lagally, M. G. J. Vac. Sci. Technol., A 1989, 7, 2901.
25. Shen, T. C.; Wang, C.; Abeln, G. C.; Tucker, J. R.; Lyding, J. W.; Avouris, P.; Walkup, R. E. Science 1995, 268, 1590.
26. Lyding, J. W.; Shen, T. C.; Hubacek, J. S.; Tucker, J. R.; Abeln, G. C. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 2010.
27. Hamers, R. J.; Avouris, P.; Bozso, F. Phys. Rev. Lett. 1987, 59, 2071.
28. We note that the asymmetric protrusions in Figure 3A appear at a similar intensity as the surrounding bare Si(001) surface plane, whereas those we saw in Figure IB and D protruded above the surrounding H-terminated Si(001) surface plane. This is due to the apparent height increase of the clean Si(001) surface over the H-terminated Si(001) surface, as illustrated in Figure 3B.
29. Widjaja, Y.; Mysinger, M. M.; Musgrave, C. B. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 2527.
30. Frisch, M. J.; Trucks, G. W.; Schlegel, H. B.; Scuseria, G. E.; Robb, M. A.; Cheeseman, J. R.; Montgomery, J. A., Jr.; Vreven, T.; Kudin, K. N.; Burant, J. C.; Millam, J. M.; lyengar, S. S.; Tomasi, J.; Barone, V.; Mennucci, B.; Cossi, M.; Scalmani, G.; Rega, N.; Petersson, G. A.; Nakatsuji, H.; Hada, M.; Ehara, M.; Toyota, K.; Fukuda, R.; Hasegawa, J.; Ishida, M.; Nakajima, T.; Honda, Y.; Kitao, O.; Nakai, H.; Kiene, M.; Li, X.; Knox, J. E.; Hratchian, H. P.; Cross, J. B.; Bakken, V.; Adamo, C.; Jaramillo, J.; Gomperts, R.; Stratmann, R. E.; Yazyev, O.; Austin, A. J.; Cammi, R.; Pomelli, C.; Ochterski, J. W.; Ayala, P. Y.; Morokuma, K.; Voth, G. A.; Salvador, P.; Dannenberg, J. J.; Zakrzewski, V. G.; Dapprich, S.; Daniels, A. D.; Strain, M. C.; Farkas, O.; Malick, D. K.; Rabuck, A. D.; Raghavachari, K.; Foresman, J. B.; Ortiz, J. V.; Cui, Q.; Baboul, A. G.; Clifford, S.; Cioslowski, J.; Stefanov, B. B.; Liu, G.; Liashenko, A.; Piskorz, P.; Komaromi, I.; Martin, R. L.; Fox, D. J.; Keith, T.; Al-Laham, M. A.; Peng, C. Y.; Nanayakkara, A.; Challacombe, M.; Gill, P. M. W.; Johnson, B.; Chen, W.; Wong, M. W.; Gonzalez, C.; Pople, J. A. Gaussian 03, revision B.03; Gaussian, Inc.: Wallingford, CT, 2004.
31. 22 but is not discussed in the present paper.
32. Smedarchina, Z. K.; Zgierski, M. Z. Int. J. Mol. Sci. 2003, 4, 445.
33. Pilling, M. J.; Seakins, P. W. Reaction Kinetics; Oxford Science Publications: Oxford, 1995.
34. Hill, E.; Freelon, B.; Ganz, E. Phys. Rev. B 1999, 60, 15896.