Growth of cubic GaN on a nitrided AlGaAs (001) substrate by using hydried vapor phase epitaxy

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 48, Issue 2, 2006, Pages 266-270

  Lee, H J ^a   Yang, M ^a   Ahn, H S ^a   Kim, K H ^a   Yi, J Y ^a   Jang, K S ^a   Chang, J H ^a   Kim, H S ^a   Cho, C R ^b   Kim, S W ^c  

^a Korea Maritime University   (South Korea)

^b Korea Basic Science Institute (KBSI)   (South Korea)

^c Andong National University   (South Korea)

Author keywords

AlGaAs substrate; CL; Cubic GaN; HVPE; Nitridation; XPS

Indexed keywords

EID: 33644917450     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (21)

1. O. Manasreh, III-Nitride Semiconductors, Electrical, Structural and Defects Properties (Elsevier, Amsterdam, 2000), p. 193.
2. J. Z. Domagala, Z. R. Zytkiewicz, B. Beaumont, J. Kozlowski, R. Czernetzki, P. Prystawko and M. Leszczynski, J. Crystal. Growth 245, 37 (2002).
3. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett 71, 2638 (1997).
4. K. J. Kim, C. R. Lee and Y. B. Hahn, J. Korean Phys. Soc. 46, 901 (2005).
5. S. N. Yi, H. S. Ahn, M. Yang, K. H. Kim, H. Kim, J. Y. Yi, J. H. Chang, H. S. Kim, S. C. Lee and S. W. Kim, J. Korean Phys. Soc. 45, S598 (2004).
6. H. J. LEE, K. H. KIM, J. Y. YI, M. YANG, H. S. AHN, J. H. CHANG, H. S. KIM and S. N. YI, J. Korean Phys. Soc. 45, S813 (2004).
7. H. Tsuchiya, T. Okahisa, F. Hasegawa, H. Okumura and S. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys, 33, 1747 (1994).
8. R. Kimura, Y. Gotoh, T. Matsuzawa and K. Takahashi, J. Crystal. Growth 209, 382 (2000).
9. H. Tachibana, T. Ishido, M. Ogawa, M. Funato, S. Fujita and S. Fujita, J. Crystal. Growth 196, 41 (1999).
10. J. Sormunen, J. Toivonen, M. Sopanen and H. Lipsanen, Appl. Surf. Sci. 222, 286 (2004).
11. J. Wu, H. Yaguchi, H. Nagasawa, Y. Yamaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 4241 (1997).
12. O. Brandt, H. Yang, B. Jenichen, Y. Suzuki, L. Daweritz and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 52, R2253 (1995).
13. R. Kimura, Y. Gotoh, T. Nagai, Y. Uchida, T. Matsuzawa, K. Takahashi and C. G. Schulz, J. Crystal, Growth 189, 406 (1998).
14. A. Nakadaira and H. Tanaka, J. Electronic Materials 26, 320 (1997).
15. H. Tsuchiya, K. Sunaba, S. Yonemura, T. Suemasu and F. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1 (1997).
16. R. Kimura and K. Takahashi, J. Crystal. Growth 227, 395 (2001).
17. S. V. Novikov, T. S. Cheng, Z. Mahmood, I. Harrison and C. T. Foxon, J. Crystal. Growth 173, 1 (1997).
18. A. Krost and A. Dadgar, Mat, Sci. Eng B 93, 77 (2002).
19. Y. Cordier, F. Semond, M. Hugues, F. Natali, P. Lorenzini, H. Haas and S. Chenot, J. Crystal, Growth 278, 393 (2005).
20. J. R. Gong, W. T. Liao, S. L. Hsieh, P. H. Lin and Y. L. Tsai, J. Crystal. Growth 249, 28 (2003).
21. M. Ogawa, M. Funato, T. Ishido, Shizuo. Fujita and Shigeo. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L69 (2000).