Metalorganic-hydride vapor phase epitaxy growth of GaN/AlN on Si substrates

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 45, Issue SUPPL., 2004, Pages

  Lee, H J ^a   Kim, K H ^a   Yi, J Y ^a   Yang, M ^a   Ahn, H S ^a   Chang, J H ^a   Kim, H S ^a   Yi, S N ^a   Lee, S C ^b   Kim, S W ^c   Honda, Y ^d   Yamaguchi, M ^d   Sawaki, N ^d  

^a Korea Maritime University   (South Korea)

^b Jeju National University   (South Korea)

^c Andong National University   (South Korea)

^d NAGOYA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

AlN buffer; GaN; HVPE; MOVPE; Optical property; Si substrate

Indexed keywords

EID: 12744276029     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (15)

1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer-Velag, Berlin, 1997) p. 19.
2. I. H. Lee, S. J. Lim and Y. J. Park, J. Crystal. Growth. 235, 73 (2002).
3. R. C. Powell, N. E. Lee, Y. W. Kim and J. E. Greene, J. Appl. Phys. 73, 189 (1993).
4. D. J. As, K. Schikora, A. Greiner, M. Lubbers, J. Mimkes and K. Lischka, Phys. Rev. B 54, R11118 (1996).
5. B. Daudin, G. Fuillet, J. Hubner, Y. Samson, F. Widmann, A. Philippe, C. Bru-Chevallier, G. Guillot, E. Bustaret, G. Bentoumi and A. Deneuville, J. Appl. Phys. 84, 2295 (1998).
6. M. K. Kwon, Y. H. Jeong, E. H. Shin, J. W. Yang and K. Y. Lim, J. Korean Phys. Soc. 41, 880 (2002).
7. P. R. Hageman, S. Haffouz, V. Kirilyuk, A. Grzegorczyk and P. K. Larsen, Phys. Stat. Sol. (a) 188, 523 (2001).
8. S. T. Kim, D. C. Moon, C. Lee, J. E. Kim and H. Y. Park, J. Korean Phys. Soc. 34, 163 (1999).
9. S. H. Park and D. Ahn, J. Korean Phys. Soc. 30, 661 (1997).
10. Y. H. Song, J. H. Kim, H. J. Jang, S. R. Joon, J. W. Yang, K. Y. Lim and G. M. Yang, J. Korean Phys. Soc. 38, 242 (2001).
11. D. M. Follstaedt, J. Han, P. Provencio and J. G. Fleming, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 421, G3. 72 (1999).
12. S. Tanaka, Y. Honda, N. Sawaki and M. Hibino, Appl. Phys. Lett. 79, 955 (2001).
13. H. S. Kim, Martin D. Dawson and G. Y. Yeom, J. Korean Phys. Soc. 40, 567 (2002).
14. M. Yang, H. S. Ahn, J. H. Chang, S. N. Yi, K. H. Kim, H. Kim and S. W. Kim, J. Korean Phys. Soc. 43, 1087 (2003).
15. B. Monemar, P. P. Paskov, T. Paskova, J. P. Bergman, G. Pozina, W. M. Chen, P. N. Hai, I. A. Buyanova, H. Amano and I. Akasaki, Mater. Sci. Eng. B 93, 112 (2002).