Surface phase transitions at metal-semiconductor interfaces: A revisit is needed

Applied Surface Science

Volumn 234, Issue 1-4, 2004, Pages 274-285

  Davila M E ^a   Avila, J ^a,b   Ascolani, H ^c   Le Lay, G ^d   Gothelid M ^e   Karlsson, U O ^e   Asensio, M C ^a,b  

^a INSTITUTO DE CIENCIA DE MATERIALES DE MADRID   (Spain)

^b UNIVERSITÉ PARIS SACLAY   (France)

^c CENTRO ATÓMICO BARILOCHE   (Argentina)

^d Campus de Luminy   (France)

^e IMIT   (Sweden)

Author keywords

Dynamical fluctuations; Metal semiconductor interfaces; Phase transitions; Photoelectron diffraction; Surface X ray diffraction

Indexed keywords

CATALYSIS; CORRUGATED MATERIALS; GROUND STATE; INTERFACES (MATERIALS); LOW TEMPERATURE EFFECTS; MONOLAYERS; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SURFACE PHENOMENA; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

DYNAMICAL FLUCTUATIONS; METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACES; PHOTOELECTRON DIFFRACTION; SURFACE X-RAY DIFFRACTION;

PHASE TRANSITIONS;

EID: 3342965182     PISSN: 01694332     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.06.001     Document Type: Conference Paper

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