Ab initio study of structural parameters and gap bowing in zinc-blende Al xGa 1-xN and Al xIn 1-xN alloys

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 6, 2005, Pages

  Kanoun, M B ^a   Goumri Said, S ^b   Merad, A E ^a   Mariette, H ^c  

^a UNIVERSITY OF TLEMCEN   (Algeria)

^b France   (Germany)

^c CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DENSITY-FUNCTIONAL THEORY; GAP BOWING; PLANE-WAVE METHOD; STRUCTURAL PARAMETERS;

ALUMINUM NITRIDE; BAND STRUCTURE; ELECTRONIC PROPERTIES; ENERGY GAP; GALLIUM NITRIDE; LATTICE CONSTANTS; PROBABILITY DENSITY FUNCTION; ZINC;

ALUMINUM ALLOYS;

EID: 26244436440     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2060931     Document Type: Article

References (48)

1. Properties of Group III Nitrides, Electronic Materials Information Service (EMIS) Datareviews Series, edited by, J. H. Edgar, (Institution of Electrical Engineers, London, 1994).
2. F. A. Ponce and D. P. Bour, Nature (London) 386, 351 (1997).
3. S. Nakamura, The Blue Laser Diode GaN Based Light Emitters and Lasers (Springer, Berlin, 1997).
4. S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Kato, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 195, 309 (1998).
5. K. S. Kim, A. Saxier, P. Kung, M. Razeghi, and K. Y. Lim, Appl. Phys. Lett. 71, 800 (1997).
6. H. Okumura, J. Cryst. Growth 189/190, 390 (1998).
7. E. Martinez-Guerrero, J. Appl. Phys. 91, 4983 (2002).
8. D. J. As, D. Schikora, and K. Lischka, Phys. Status Solidi C 0 (6), 1607 (2003).
9. S. R. Lee, A. F. Wright, M. H. Crawford, G. A. Petersen, J. Han, and R. M. Biefeld, Appl. Phys. Lett. 74, 3344 (1999).
10. E. Martinez-Guerrero, F. Chabuel, D. Jalabert, B. Daudin, G. Feuillet, H. Mariette, P. Abough́-nź, and Y. Montei, Phys. Status Solidi A 176, 497 (1999).
11. L. K. Teles, Physica E (Amsterdam) 13, 1086 (2002).
12. P. Jonnard, N. Capron, F. Semond, J. Massies, E. Martinez-Guerrero, and H. Mariette, Eur. Phys. J. B 42, 351 (2004).
13. S.-H. Wei and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 69, 2719 (1996).
14. H. Okumura, T. Koizumi, Y. Ishida, H. Yaguchi, and S. Yoshida, Phys. Status Solidi B 213, 211 (1999).
15. S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 76, 876 (2000).
16. T. Peng, J. Piprek, G. Qui, J. O. Olowolafe, K. M. Unruh, C. P. Swann, and E. F. Schubert, Appl. Phys. Lett. 71, 2439 (1997).
17. M. J. Lukitsch, Y. V. Danylyuk, V. M. Naik, C. Huang, G. W. Auner, L. Rimai, and R. Naik, Appl. Phys. Lett. 79, 632 (2001).
18. M. B. Kanoun, S. Goumri-Said, A. E. Merad, G. Merad, J. Cibert, and H. Aourag, Semicond. Sci. Technol. 19, 1220 (2004).
19. P. Blaha, K. Schwarz, G. K. H. Madsen, D. Kvasnicka, and J. Luitz, WIEN2k, An Augmented-Plane-Wave+Local Orbitals Program for Calculating Crystal Properties (Karlheinz Schwarz, Techn Wien, Austria, 2001).
20. R. Dreizler and E. K. U. Gross, Density-Functional Theory (Springer, New York, 1990).
21. D. M. Ceperley and B. J. Alder, Phys. Rev. Lett. 45, 566 (1980).
22. J. P. Perdew and Y. Wang, Phys. Rev. B 45, 13244 (1992).
23. D. D. Koelling and B. N. Harmon, J. Phys. C 10, 3107 (1977).
24. J. W. D. Conolly and A. R. Williams, Phys. Rev. B 27, 5169 (1983).
25. H. J. Monkhorst and J. D. Pack, Phys. Rev. B 13, 5188 (1976).
26. F. D. Murnaghan, Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 30, 244 (1944).
27. K. Kim, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 53, 16 310 (1996).
28. N. E. Christensen and I. Gorczyca, Phys. Rev. B 50, 4397 (1994).
29. A. F. Wright, J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997).
30. K. Karch, J. M. Wagner, and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 57, 7043 (1998).
31. M. B. Nardelli, K. Rapcewicz, and J. Bernholc, Phys. Rev. B 55, R7323 (1997).
32. S. K. Pugh, D. J. Dugdale, S. Brand, and R. A. Abram, Semicond. Sci. Technol. 14, 23 (1999).
33. S. Goumri-Said, M. B. Kanoun, A. E. Merad, G. Merad, and H. Aourag, Chem. Phys. 302, 135 (2004).
34. M. Fuchs, J. L. F. Da Silva, C. Stampfl, J. Neugebeaur, and M. Scheffler, Phys. Rev. B 65, 245212 (2002).
35. A. Trampert, O. Brandt, and K. H. Ploog, in Crystal Structure of Group III Nitrides, Semiconductors and Semimetals Vol. 50, edited by, J. I. Pankove, and, T. D. Moustakas, (Academic, San Diego, 1998).
36. M. E. Sherwin and T. J. Drummond, J. Appl. Phys. 69, 8423 (1991).
37. E. Martinez-Guerrero, Phys. Status Solidi A 188, 695 (2001).
38. V. Yu. Davydov, Phys. Status Solidi B 229, R1 (2002).
39. M. Ferhat and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 65, 075213 (2002).
40. E. A. Albanesi, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 48, 17841 (1993).
41. S. K. Pugh, D. J. Dugdale, S. Brand, and R. A. Abram, J. Appl. Phys. 86, 3768 (1999).
42. L. K. Teles, J. Furthmller, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 62, 2475 (2000).
43. L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, J. Furthmller, and F. Bechstedt, J. Appl. Phys. 92, 7109 (2002).
44. A. F. Wright and J. S. Nelson, Appl. Phys. Lett. 66, 3465 (1995).
45. M. Van Schilfgaarde, A. Sher, and A.-B. Chen, J. Cryst. Growth 178, 8 (1997).
46. W. J. Fan, M. F. Li, T. C. Chong, and J. B. Xia, J. Appl. Phys. 79, 188 (1996).
47. Q. X. Guo, H. Ogawa, and A. Yoshida, J. Cryst. Growth 146, 462 (1995).
48. T. Ito, Phys. Status Solidi B 217, R7 (2000).