Strain distribution in arbitrarily shaped quantum dots with nonuniform composition

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 3, 2005, Pages

  Chu, H J ^a   Wang, J ^a  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMISTIC INTERMIXING; GRADED COMPOSITION; HYDROSTATIC STRESS; STRAIN DISTRIBUTION;

COMPOSITION; ELASTICITY; MIXING; SEMICONDUCTOR GROWTH; STRAIN;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 23944465451     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2001154     Document Type: Article

References (56)

1. A. P. Alivisatos, Science 271, 933 (1996).
2. R. Nötzel, Semicond. Sci. Technol. 11, 1365 (1996).
3. O. Stier, M. Grundman, and D. Bimberg, Phys. Rev. B 59, 5688 (1999).
4. J. L. Liu, J. Wan, Z. M. Jiang, A. Khitun, K. L. Wang, and D. P. Yu, J. Appl. Phys. 92, 6804 (2002).
5. M. S. Skolnick and D. J. Mowbray, Physica E (Amsterdam) 21, 155 (2004).
6. T. J. Gosling and J. R. Willis, J. Appl. Phys. 77, 5601 (1995).
7. M. Grundmann, O. Stier, and D. Bimberg, Phys. Rev. B 52, 11969 (1995).
8. J. R. Downes, D. A. Faux, and E. P. O'Reilly, Mater. Sci. Eng., B 35, 357 (1995).
9. J. H. Davies, J. Appl. Phys. 84, 1358 (1998).
10. J. H. Davies, Appl. Phys. Lett. 75, 4142 (1999).
11. H. Heidemeyer, D. U. Denker, C. Müller, and O. G. Schmidt, Phys. Rev. Lett. 91, 196103 (2003).
12. M. Zervos and L. F. Feiner, J. Appl. Phys. 95, 281 (2004).
13. V. Holý, G. Springholz, M. Pinczolits, and G. Bauer, Phys. Rev. Lett. 83, 356 (1999).
14. D. A. Faux, S. G. Howells, U. Bangert, and A. J. Harvey, Appl. Phys. Lett. 64, 1271 (1994).
15. X. Z. Liao, J. Zou, D. J. H. Cockayne, R. Leon, and C. Lobo, Phys. Rev. Lett. 82, 5148 (1999).
16. S. Kret, T. Benabbas, C. Delamarre, Y. Androussi, A. Dubon, J. Y. Laval, and A. Lefebvre, J. Appl. Phys. 86, 1988 (1999).
17. K. Nishi, A. A. Yamaguchi, J. Apopelto, A. Usui, and H. Sakaki, J. Appl. Phys. 76, 7437 (1994).
18. T. Benabbas, P. Francois, Y. Androussi, and A. Lefebvre, J. Appl. Phys. 80, 2763 (1996).
19. T. Benabbas, Y. Androussi, and A. Lefebvre, J. Appl. Phys. 86, 1945 (1999).
20. M. A. Cusack, P. R. Briddon, and M. Jaros, Phys. Rev. B 54, R2300 (1996).
21. Y. Kikuchi, H. Sugii, and K. Shintani, J. Appl. Phys. 89, 1191 (2001).
22. J. L. Rodríguez-López, J. M. Montejano-Carrizales, U. Pal, J. F. Sánchez-Ramírez, H. E. Troiani, D. García, M. Miki-Yoshida, and M. Joś-Yacamáan, Phys. Rev. Lett. 92, 196102 (2004).
23. J. R. Downes, D. A. Faux, and E. P. O'Reilly, J. Appl. Phys. 81, 6700 (1997).
24. A. D. Andreev, J. R. Downes, D. A. Faux, and E. P. O'Reilly, J. Appl. Phys. 86, 297 (1999).
25. D. A. Faux and G. S. Pearson, Phys. Rev. B 62, R4798 (2000).
26. G. S. Pearson and D. A. Faux, J. Appl. Phys. 88, 730 (2000).
27. M. A. Migliorato, A. G. Cullis, M. Fearn, and J. H. Jefferson, Phys. Rev. B 65, 115316 (2002).
28. M. A. Migliorato, A. G. Cullis, M. Fearn, and J. H. Jefferson, Physica E (Amsterdam) 13, 1147 (2002).
29. B. P. Uberuaga, M. Leskovar, A. P. Smith, H. Jónsson, and M. Olmstead, Phys. Rev. Lett. 84, 2441 (2000).
30. A. Ikeda, K. Sumitomo, T. Nishioka, T. Yasue, T. Koshikawa, and Y. Kido, Surf. Sci. 385, 200 (1997).
31. R. Gunnella, P. Castrucci, N. Pinto, I. Davoli, D. Śbilleau, and M. D. Crescenzi, Phys. Rev. B 54, 8882 (1996).
32. L. Patthey, E. L. Bullock, T. Abukawa, S. Kono, and L. S. O. Johansson, Phys. Rev. Lett. 75, 2538 (1995).
33. H. W. Yeom, Surf. Sci. 381, L533 (1997).
34. P. Werner, K. Scheerschmidt, N. D. Zakharov, R. Hillebrand, M. Grundmann, and R. Schneider, Cryst. Res. Technol. 35, 759 (2000).
35. J. Steinshnider, M. Weimer, R. Kaspi, and G. W. Turner, Phys. Rev. Lett. 85, 2953 (2000).
36. C. Dorin, J. M. Millunchick, and C. Wauchope, J. Appl. Phys. 94, 1667 (2003).
37. C. Pearson, C. Dorin, J. M. Millunchick, and B. G. Orr, Phys. Rev. Lett. 92, 056101 (2004).
38. M. J. Yang, C. H. Yang, B. R. Bennet, and B. V. Shanabrook, Phys. Rev. Lett. 78, 4613 (1997).
39. R. Magri and A. Zunger, Phys. Rev. B 64, 081305 (2001).
40. R. Magri and A. Zunger, Phys. Rev. B 65, 165302 (2002).
41. J. B. Maxson, D. E. Savage, F. Liu, R. M. Tromp, M. C. Reuter, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 85, 2152 (2000).
42. B. Koiller, R. B. Capaz, and H. Chacham, Phys. Rev. B 60, 1787 (1999).
43. R. Kern and P. Muller, Surf. Sci. 392, 103 (1997).
44. T. Walther, A. G. Cullis, D. J. Norris, and M. Hopkinson, Phys. Rev. Lett. 86, 2381 (2001).
45. D. A. Faux and J. Haigh, J. Phys.: Condens. Matter 2, 10289 (1990).
46. T. Mura, Micromechanics of Defects in Solids (Martinus Nijhoff, Dordrecht, 1987).
47. J. D. Eshelby, Proc. R. Soc. London, Ser. A 241, 376 (1957).
48. J. D. Eshelby, Proc. R. Soc. London, Ser. A 252, 561 (1959).
49. N. Liu, J. Tersoff, O. Baklenov, A. L. Holmes, Jr., and C. K. Shih, Phys. Rev. Lett. 84, 334 (2000).
50. A. Rosenauer, U. Fischer, D. Gerthsen, and A. Forster, Appl. Phys. Lett. 71, 3868 (1997).
51. K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki, and R. Ito, Appl. Phys. Lett. 61, 557 (1990).
52. J. M. Gerard and J. Y. Marzin, Phys. Rev. B 45, 6313 (1992).
53. O. Mayrock, H. J. Wünsche, and F. Henneberger, Phys. Rev. B 62, 16870 (2000).
54. Y. Wei and M. Razeghi, Phys. Rev. B 69, 085316 (2004).
55. A. Kudelski, Phys. Rev. B 64, 045312 (2001).
56. P. Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors (Springer, Berlin, 2001).