Annealing effects on the temperature dependence of photoluminescence characteristics of GaAsSbN single-quantum wells

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 1, 2005, Pages

  Li, J ^a   Iyer, S ^a   Bharatan, S ^a   Wu, L ^a   Nunna, K ^a   Collis, W ^a   Bajaj, K K ^b   Matney, K ^c  

^a North Carolina Agricultural and Technical State University   (United States)

^b EMORY UNIVERSITY   (United States)

^c Bede Scientific Inc   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EX SITU ANNEALING; IN SITU ANNEALING; SINGLE-QUANTUM-WELL HETEROSTRUCTURES; TEMPERATURE DEPENDENCE;

ANNEALING; ANTIMONY; HETEROJUNCTIONS; LATTICE CONSTANTS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; X RAY DIFFRACTION;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 22944488906     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1931032     Document Type: Article

References (24)

1. M. Weyers, M. Sato, and H. Ando, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L853 (1992).
2. M. Kondow, K. Uomi, K. Hosomi, and T. Mozume, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 33, L1056 (1994).
3. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1273 (1996).
4. M. Reinhardt, M. Fischer, M. Kamp, and A. Forchel, Electron. Lett. 36, 1025 (2000).
5. D. A. Livshits, A. Y. Egorov, and H. Riechert, Electron. Lett. 36, 1381 (2000).
6. J. S. Harris, Jr., Semicond. Sci. Technol. 17, 880 (2002).
7. N. Tansu, J. Yeh, and L. J. Mawst, Appl. Phys. Lett. 83, 2512 (2003).
8. S. R. Kurtz, J. F. Clem, A. A. Allerman, R. M. Sieg, C. H. Seager, and E. D. Jones, Appl. Phys. Lett. 80, 1379 (2002).
9. P. M. Asbeck, R. J. Welty, C. W. Tu, H. P. Xin, and R. E. Welser, Semicond. Sci. Technol. 17, 898 (2002).
10. G. Ungaro, G. Le Roux, R. Teissier, and J. C. Harmand, Electron. Lett. 35, 1246 (1999).
11. J. C. Harmand, Semicond. Sci. Technol. 17, 778 (2002).
12. J. C. Harmand, J. Cryst. Growth 227-228, 553 (2001).
13. S. A. Lourenco, I. F. L. Dias, L. C. Pocas, and J. L. Duarte, J. Appl. Phys. 93, 4475 (2003).
14. T. K. Ng, S. F. Yoon, S. Z. Wang, W. K. Loke, and W. J. Fan, J. Vac. Sci. Technol. B B 20, 964 (2002).
15. M.-A. Pinault and E. Tournie, Appl. Phys. Lett. 78, 1562 (2001).
16. S. Shirakata, M. Kondow, and T. Kitatani, Appl. Phys. Lett. 79, 54 (2001).
17. L. F. Bian, D. S. Jisng, P. H. Tan, S. L. Lu, B. Q. Sun, L. H. Li, and J. C. Harmand, Solid State Commun. 132, 707 (2004).
18. H. B. Yuen, S. R. Bank, M. A. Wistey, and J. S. Harris, Jr., J. Appl. Phys. 96, 6375 (2004).
19. L. Wu, S. Iyer, K. Nunna, J. Li, S. Bharatan, W. Collis, and K. Matney, J. Cryst. Growth 279, 293 (2005).
20. Y. P. Varshni, Physica (Utrecht) 34, 149 (1967).
21. X. D. Luo, Z. Y. Xu, W. K. Ge, Z. Pan, L. H. Li, and Y. W. Lin, Appl. Phys. Lett. 79, 958 (2001).
22. I. A. Buyanova, W. M. Chen, G. Pozina, J. P. Bergman, B. Monemar, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 75, 501 (1999).
23. Y. S. Chiu, M. H. Ya, W. S. Su, and Y. F. Chen, J. Appl. Phys. 92, 5810 (2002).
24. J. Singh and K. K. Bajaj, J. Appl. Phys. 57, 5433 (1985).