Field emission properties of α-C:N films deposited on diamond substrates

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 46, Issue SUPPL. II, 2005, Pages

  Qin, Zong Yi ^a,b   Shen, Hong ^a   Ying, Xuan Tong ^a   Wang, Pei Nan ^a  

^a FUDAN UNIVERSITY   (China)

^b HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Hong Kong)

Author keywords

Amorphous carbon nitride; Field emission; Pulsed discharge deposition

Indexed keywords

EID: 22544477856     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (29)

1. A. Y. Liu and M. L. Cohen, Science 245, 841 (1989).
2. E. G. Wang, Adv. Mat. 11, 1129 (1999).
3. S. Muhl and J. M. Mendez, Diamond Relat. Mater. 8, 1809 (1999).
4. T. Malkow, Mater. Sci. Eng. A 302, 311 (2001).
5. G. M. Niu, Y. Z. Lu and G. M. Lieber, Science 261, 334 (1993).
6. P. N. Wang, Z. Guo, X. T. Ying, J. H. Chen, X. M. Xu and F. M. Li, Phys. Rev. B 59, 13347 (1999).
7. G. Quirós, P. Prieto, A. Fernández, E. Elizalde, G. Morant, R. Schlögl, O. Spillecke and J. M. Sanz, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 515 (2000).
8. W. Xu, T. Fujimoto, L. Wang, T. Ohchi and I. Kojima, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 6 (2004).
9. A. Y. Liu and R. M. Wentzcovitch, Phys. Rev. B 50, 10362 (1994).
10. E. Kim, G. F. Chen, T. Kohler, M. Elstener and T. Frauenheim, Phys. Rev. Lett. 86, 652 (2001).
11. K. C. Park, J. H. Moon, S. J. Chung, J. H. Jung, B. K. Ju, M. H. Oh, W. I. Milne, M. K. Han and J. Jang, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 431 (1997).
12. M. C. Kan, J. L. Huang, J. C. Sung, K. H. Chen and D. F. Li, J. Mater. Res. 18, 1594 (2003).
13. W. T. Zheng, J. J. Li, X. Wang, X. T. Li, Z. S. Jin, B. K. Tay and C. Q. Sun, J. Appl. Phys. 94, 2741 (2003).
14. N. Konofaos, E. K. Evangelou, S. Logothetidis and M. Gioti, J. Appl. Phys. 91, 9915 (2002).
15. J. J. Li, W. T. Zheng, Z. S. Jin, X. Wang, H. J. Bian, G. R. Gu, Y. N. Zhao, S. H. Meng, X. D. He and J. C. Han, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2382 (2003).
16. I. Alexandrou, M. Baxendale, N. L. Rupesinghe, G. A. J. Amaratunga, and C. J. Kiely, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 2698 (2000).
17. D. Das, K. H. Chen, S. Chattopadhyay and L. C. Chen, J. Appl. Phys. 92, 4944 (2002).
18. A. Ilie, A. C. Ferrari, T. Yagi and J. Robertson, Appl. Phys. Lett. 76, 2627 (2000).
19. P. N. Wang, N. Xu, Z. F. Ying, X. T. Ying, Z. P. Liu and W. D. Yang, Thin Solid Films 382, 34 (2001).
20. P. N. Wang, Q. Pan, N. H. Cheung and S.C. Chen, Appl. Phys. A 67, 233 (1998).
21. Wei-Dong Yang, Pei-Nan Wang, Fu-Ming Li and K W Cheah, Nanotechnology 13 65, (2002).
22. H. Ito, H. Miki, K. C. Namiki, N. Ito and H. Saitoh, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 3684 (2003).
23. C. Ronning, H. Feldermann, R. Merk, H. Hofsass, P. Reinke and J. U. Thiele, Phys. Rev. B 58, 2207 (1998).
24. J. Wei, P. Hing and Z. Q. Mo, Surf. Interface Anal. 28, 208 (1999).
25. Z. Y. Chen, J. P. Zhao, T. Yano and T. Ooie, J. Appl. Phys. 91, 281 (2002).
26. J. M. Ripalda, N. Diaz, I. Montero, F. Rueda and L. Galan, J. Appl. Phys. 92, 644 (2002).
27. S. G. Wang, Q. Zhang, S. F. Yoon, J. Ahn, Q. Wang, Q. Zhou and D. J. Yang, Phys. Status Solidi A 193, 546 (2002).
28. X. W. Liu, S. H. Tsai, L. H. Lee, M. X. Yang and A. C. M. Yang, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1840 (2000).
29. K. A. Dean, P. von Allmen and B. R. Chalamala, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1959 (1999).