What happens in the annealing of carbon nitride thin films?

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 22, Issue 1, 2004, Pages 6-11

  Xu, Wentao ^a,b   Fujimoto, Toshiyuki ^a   Wang, Li ^a   Ohchi, Tadayuki ^a   Kojima, Isao ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY AIST   (Japan)

^b UNIVERSITY OF KENTUCKY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; CARBON NITRIDE; DESORPTION; GRAPHITIZATION; HARDNESS; MAGNETRON SPUTTERING; NITROGEN; RAMAN SPECTROSCOPY; THICKNESS MEASUREMENT; VACUUM APPLICATIONS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

GRAZING INCIDENCE X-RAY REFLECTIVITY; HARDNESS MEASUREMENT; RADIO FREQUENCIES;

THIN FILMS;

EID: 1642309358     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1631293     Document Type: Conference Paper

References (31)

1. A. Y. Liu and M. L. Cohen, Science 245, 841 (1989).
2. K. M. Yu, M. L. Cohen, E. E. Haller, W. L. Hansen, A. Y. Liu, and I. C. Wu, Phys. Rev. B 48, 5034 (1994).
3. Z. Y. Chen, J. P. Zhao, T. Yano, and T. Ooie, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 74, 213 (2002).
4. G. Q. Yu, S. H. Lee, and J. J. Lee, Diamond Relat. Mater. 11, 1633 (2002).
5. C. Niu, Y. Lu, and C. Lieber, Science 261, 334 (1993).
6. F. Le Mormand, J. Kommet, T. Szörény, C. Fuchs, and E. Fogarassy, Phys. Rev. B 64, 235416 (2002).
7. C. J. Tong, J. M. Sivertsen, J. H. Judy, and C. Chong, J. Mater. Res. 5, 2490 (1990).
8. Y. A. Yeh, C. L. Lin, J. M. Sivertsen, and J. H. Judy, J. Magn. Magn. Mater. 120, 314 (1993).
9. S. R. P. Silva, G. A. J. Amaratunga, and J. R. Barnes, Appl. Phys. Lett. 71, 1477 (1997).
10. S. Lopez, M. S. Wong, and W. D. Sproul, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 1644 (1995).
11. G. L. Chen, Y. Li, J. Lin, C. H. A. Huan, and Y. P. Guo, J. Phys. D 32, 195 (1999).
12. C. Donnet, J. M. Martin, J. Fontaine, J. C. Sánchez-López, C. Quirós, E. Elizalde, J. M. Sanz, T. C. Rojas, and A. Fernández, Surf. Coat. Technol. 120, 594 (1999).
13. L. Jiang, A. G. Fitzgerald, and M. J. Rose, Appl. Surf. Sci. 181, 331 (2001).
14. N. Hellgren, M. P. Johansson, E. Broitman, L. Hultman, and J.-E. Sundgren, Phys. Rev. B 59, 5162 (1999).
15. D. Marton, K. J. Boyd, A. H. Al-Bayati, S. S. Todorov, and J. W. Rabalais, Phys. Rev. Lett. 73, 10353 (1994).
16. H. Sjöstrom, L. Hultman, J.-E. Sundgren, S. V. Hainsworth, T. F. Page, and G. S. A. M. Theunissen, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 56 (1996).
17. A. K. M. S. Chowdhury, D. C. Cameron, and M. S. J. Hashmi, Surf. Coat. Technol. 112, 133 (1999).
18. J. H. Parker, Jr., D. W. Feldman, and M. Ashkin, Phys. Rev. 155, 712 (1967).
19. K. Uchinokura, T. Sekine, and E. Matsuura, Solid State Commun. 11, 47 (1972).
20. S. Bhattacharyya, C. Cardinaud, and G. Turban, J. Appl. Phys. 83, 4491 (1998).
21. A. K. M. S. Chowdhury, D. C. Cameron, and M. S. J. Hashmi, Thin Solid Films 332, 62 (1998).
22. J. H. Kaufman, S. Metin, and D. D. Saperstein, Phys. Rev. B 39, 13053 (1989).
23. J. G. Naeini, B. M. Way, J. R. Dahn, and J. C. Irwin, Phys. Rev. B 54, 144 (1996).
24. M. A. Tamor and W. C. Vassell, J. Appl. Phys. 76, 3823 (1994).
25. S. Wei, B. Li, T. Fujimoto, and I. Kojima, Phys. Rev. B 58, 3605 (1998).
26. I. Kojima, S. Wei, B. Li, and T. Fujimoto, J. Surf. Anal. 4, 79 (1998).
27. S. Vepřek, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 2401 (1999).
28. I. Kojima, W. Xu, and T. Fujimoto, Surf. Interface Anal. 32, 74 (2001).
29. Z. Jiang, X. Jiang, W. Liu, and Z. Wu, J. Appl. Phys. 65, 196 (1989).
30. L. H. Zhang, H. Gong, and J. P. Wang, J. Phys.: Condens. Matter 14, 1697 (2002).
31. K. G. Kreider, M. J. Tarlov, G. L. Gillen, G. E. Poirier, L. H. Probins, L. K. Ives, W. D. Bowers, R. B. Marinenko, and D. T. Smith, J. Mater. Res. 10, 3079 (1995).