Electron emission of carbon nitride films and mechanism for the nitrogen-lowered threshold in cold cathode

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 4, 2003, Pages 2741-2745

  Zheng, W T ^a   Li, J J ^a   Wang, X ^a   Li, X T ^a   Jin, Z S ^a   Tay, B K ^b   Sun, Chang Q ^b  

^a Jilin University   (China)

^b NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COLD CATHODE TUBES; ELECTRON EMISSION; GRAPHITE; MAGNETRON SPUTTERING; PARTIAL PRESSURE; THIN FILMS;

ANTIBONDING STATES;

CARBON NITRIDE;

EID: 0041421152     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1594822     Document Type: Article

References (32)

1. J. E. Jaskie, Mater. Res. Bull. 21, 59 (1996).
2. G. A. J. Amaratunga and S. R. P. Silva, Appl. Phys. Lett. 68, 2529 (1996).
3. M. W. Geis, J. A. Twichell, J. Macaulay, and K. Okano, Appl. Phys. Lett. 67, 1328 (1995).
4. N. S. Xu, R. V. Latham, and Y. Tzeng, Electron. Lett. 29, 1596 (1993).
5. K. Okano, S. Koizumi, S. R. P. Silva, and G. A. J. Amaratunga, Nature (London) 381, 140 (1996).
6. P. Lerner, N. M. Miskovsky, and P. H. Cutler, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 900 (1998).
7. O. Groning, O. M. Kuttel, P. Groning, and L. Schlapbach, Appl. Phys. Lett. 71, 2253 (1997).
8. Y. J. Li, S. P. Lau, B. K. Tay, Z. Sun, J. R. Shi, L. K. Cheah, and X. Shi, Diamond Relat. Mater. 10, 1515 (2001).
9. A. G. Rinzler, J. H. Hafner, P. Nikolaev, L. Lou, S. G. Kim, D. Tomanek, P. Nordlander, D. T. Colbert, and R. E. Smalley, Science 269, 1550 (1995).
10. P. G. Collins and A. Zettl, Appl. Phys. Lett. 69, 1969 (1996).
11. S. Fan, M. G. Chapline, N. R. Franklin, T. W. Tombler, A. M. Cassell, and H. Dai, Science 283, 512 (1999).
12. N. Badi, A. Bensaoula, V. Ageev, A. Karabutov, M. Ugarov, and E. Loubnin, J. Appl. Phys. 12, 7351 (2000).
13. X. W. Liu, S. H. Tsai, L. H. Lee, M. X. Yang, A. C. M. Yang, I. N. Lin, and H. C. Shih, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1840 (2000).
14. Y. K. Yap, S. Kida, Y. Wada, M. Yoshimura, Y. Mori, and T. Sasaki, Diamond Relat. Mater. 9, 1228 (2000).
15. J. P. Zhao, Z. Y. Chen, X. Wang, and T. S. Shi, J. Non-Cryst. Solids 291, 181 (2001).
16. H. Sugimura, Y. Sato, Y. Ando, N. Tajima, and O. Takai, Thin Solid Films 407, 104 (2002).
17. A. A. Talin, L. S. Pan, K. F. McCarty, H. J. Doerr, and R. F. Bunshah, Appl. Phys. Lett. 69, 3842 (1996).
18. W. Zhu, G. P. Kochanski, and S. Jin, Science 282, 1471 (1998).
19. J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 659 (1999).
20. J. B. Cui, J. Robertson, and W. I. Milne, J. Appl. Phys. 89, 3490 (2001).
21. J. D. Carey, C. H. Poa, R. D. Forrest, A. P. Burden, and S. R. P. Silva, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1051 (2000).
22. S. R. P. Silva, G. A. J. Amaratunga, and J. R. Barnes, Appl. Phys. Lett. 71, 1477 (1997).
23. C. Bandis and B. Pate, Appl. Phys. Lett. 69, 366 (1996).
24. J. J. Li, W. T. Zheng, and Z. S. Jin, Appl. Surf, Sci. 191, 273 (2002).
25. C. Q. Sun, Appl. Phys. Lett. 72, 1706 (1998).
26. C. Q. Sun, Prog. Mater. Sci. 48, 521 (2003).
27. C. Q. Sun, B. K. Tay, S. P. Lau, X. W. Sun, X. T. Zeng, H. L. Bai, H. Liu, Z. Liu, and E. Y. Jiang, J. Appl. Phys. 90, 2615 (2001).
28. M. Driss-Khodja, A. Gheorghiu, G. Dufour, H. Roulet, C. Senmaud, and M. Cauchetier, Phys. Rev. B 53, 4287 (1996).
29. T. Hughbanks and Y. Tian, Solid State Commun. 96, 321 (1995).
30. S. F. Matar, J. Alloys Compd. 345, 72 (2002).
31. K. Böer, Survey of Semiconductor Physics (Van Nostrand Reinhold, New York, 1990).
32. J. B. Cui and J. Roberston, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 238 (2002).