The effect of potential fluctuations on the optical properties of InGaAs/InAlAs superlattices

Journal of Applied Physics

Volumn 97, Issue 10, 2005, Pages

  Poas L C ^a   Lopes, E M ^a   Duarte, J L ^a   Dias, I F L ^a   Loureno S A ^a   Laureto, E ^a   Valadares, M ^b   Guimaraes P S S ^b   Cury, L A ^b   Harmand, J C ^c  

^a STATE UNIVERSITY OF LONDRINA   (Brazil)

^b FEDERAL UNIVERSITY OF MINAS GERAIS   (Brazil)

^c CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EXCIATATION INTENSITY; EXCITATION POWER; SEMICONDUCTOR STRUCTURE; TEMPERATURE DEPENDENCE;

ACTIVATION ENERGY; APPROXIMATION THEORY; EXCITONS; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; QUENCHING; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

SUPERLATTICES;

EID: 20944442512     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1903101     Document Type: Article

References (44)

1. G. Bastard, Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures (Les Editions de Physique, Les Ulis, France, 1988).
2. C. Weisbuch and B. Vinter, Quantum Semiconductor Structures (Academic, San Diego, 1991).
3. Y. T. Dai, J. C. Fan, and Y. F. Chen, J. Appl. Phys. 83, 2127 (1998).
4. L. G. Mourokh, L. Malikova, F. H. Pollak, B. Q. Shi, and C. Nguyen, J. Appl. Phys. 89, 2500 (2001).
5. E. M. Jackson, B. D. Weaver, S. Shojah-Ardalan, R. Wilkins, A. C. Seabaugh, and B. Brar, Appl. Phys. Lett. 79, 2279 (2001).
6. S. Gozu, T. Kita, Y. Sato, S. Yamada, and M. Tomizawa, J. Cryst. Growth 227228, 155 (2001).
7. Y. C. Wang, S. L. Tyan, and Y. D. Juang, J. Appl. Phys. 92, 920 (2002).
8. M. P. Pires, F. Guastavino, B. Yavich, and P. L. Souza, Semicond. Sci. Technol. 18, 729 (2003).
9. G. Kim, I. G. Kim, J. H. Baek, and O. K. Kwon, Appl. Phys. Lett. 83, 1249 (2003).
10. D. C. Choo, T. W. Kim, K. H. Yoo, C. J. Meining, and B. D. McCombe, J. Appl. Phys. 94, 7621 (2003).
11. G. Nachtwei, A. Weber, H. Künzel, J. Böttcher, and O. Jaschinski, J. Appl. Phys. 84, 323 (1998).
12. J. S. Yu, J. D. Song, Y. T. Lee, and H. Lim, J. Appl. Phys. 91, 2080 (2002).
13. P. Offermans, P. M. Koenraad, J. H. Wolter, M. Beck, T. Aellen, and J. Faist, Appl. Phys. Lett. 83, 4131 (2003).
14. Q. K. Yang, J. X. Chen, and A. Z. Li, J. Cryst. Growth 209, 8 (2000).
15. Y. Cordier, M. Zaknoune, S. Trassaert, and J. M. Chauveau, J. Appl. Phys. 90, 5774 (2001).
16. H. P. D. Schenk, M. Leroux, and P. Mierry, J. Appl. Phys. 88, 1525 (2000).
17. B. Gil, Phys. Rev. B 50, 18231 (1994).
18. E. M. Daly, T. J. Glynn, J. D. Lambkin, L. Considine, and S. Walsh, Phys. Rev. B 52, 4696 (1995).
19. A. Aït-Ouali, A. Chennouf, R. Y. F. Yip, J. L. Bredner, R. Leonelli, and R. Masut, J. Appl. Phys. 84, 5639 (1998).
20. S. Shirakata, M. Kondow, and T. Kitatani, Appl. Phys. Lett. 79, 54 (2001).
21. C. H. Chen, H. J. Chang, Y. F. Chen, W. S. Fann, H. X. Jiang, and Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 79, 3806 (2001).
22. E. Laureto, E. A. Meneses, W. Carvalho, Jr., A. A. Bernussi, E. Ribeiro, E. C. F. da Silva, and J. B. B. Oliveira, Braz. J. Phys. 32, 314 (2002).
23. T. Makino, K. Tamura, C. H. Chia, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, and H. Koinuma, J. Appl. Phys. 93, 5929 (2003).
24. R. A. Mair, J. Y. Lin, H. X. Jiang, E. D. Jones, A. A. Allerman, and S. R. Kurtz, Appl. Phys. Lett. 76, 188 (2000).
25. G. Bastard, Phys. Rev. B 24, 5693 (1981).
26. S. A. Loureņo, I. F. L. Dias, L. C. Po̧as, J. L. Duarte, J. B. B. Oliveira, and J. C. Harmand, J. Appl. Phys. 93, 4475 (2003).
27. G. Bacher, H. Schweizer, J. Kovac, A. Forchel, H. Nickel, W. Schlapp, and R. Lösch, Phys. Rev. B 43, 9312 (1991).
28. Y. Wu, K. Arai, and T. Yao, Phys. Rev. B 53, R10485 (1996).
29. N. Grandjean, J. Massies, I. Grzegory, and S. Porowski, Semicond. Sci. Technol. 16, 358 (2001).
30. J. D. Lambkim, L. Considine, S. Walsh, G. M. O'Connor, C. J. McDonagh, and T. J. Glynn, Appl. Phys. Lett. 65, 73 (1994).
31. M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond, J. Massies, and P. Gibart, J. Appl. Phys. 86, 3721 (1999).
32. J. Singh and K. K. Bajaj, J. Appl. Phys. 57, 5433 (1985).
33. M. S. Skolnick, P. R. Tapster, S. J. Bass, A. D. Pitt, N. Apsley, and S. P. Aldred, Semicond. Sci. Technol. 1, 29 (1986).
34. S. D. Baranovskii, R. Eichmann, and P. Thomas, Phys. Rev. B 58, 13081 (1998).
35. I. A. Buyanova, W. M. Chen, G. Pozina, J. P. Bergman, B. Monemar, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 75, 501 (1999).
36. A. Polimeni, M. Capizzi, M. Geddo, M. Fischer, M. Reinhardt, and A. Forchel, Appl. Phys. Lett. 77, 2870 (2000).
37. B. Q. Sun, D. S. Jiang, Z. Pan, L. H. Li, and R. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 77, 4148 (2000).
38. S. A. Loureņo, I. F. L. Dias, J. L. Duarte, E. Laureto, E. A. Meneses, J. R. Leite, and I. Mazzaro, J. Appl. Phys. 89, 6159 (2001).
39. S. A. Loureņo, I. F. L. Dias, E. Laureto, J. L. Duarte, D. O. Toginho Filho, E. A. Meneses, and J. R. Leite, Eur. Phys. J. B 21, 11 (2001).
40. E. F. Schubert and W. T. Tsang, Phys. Rev. B 34, 2991 (1986).
41. J. D. Lambkim, D. J. Dunstan, K. P. Homewood, L. K. Howard, and M. T. Emeny, Appl. Phys. Lett. 57, 1986 (1990).
42. M. Vening, D. J. Dunstan, and K. P. Homewood, Phys. Rev. B 48, 2412 (1993).
43. A. P. Morrison, IEEE J. Quantum Electron. 33, 1338 (1997).
44. K. L. Teo, Appl. Phys. Lett. 73, 1697 (1998).