Diffusion mechanisms of indium and nitrogen during the annealing of InGaAs quantum wells with GaNAs barriers and GaAs spacer layers

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 15, 2005, Pages 1-3

  Oye, Michael M ^a   Govindaraju, Sridhar ^a,b   Sidhu, Rubin ^a   Reifsnider, Jason M ^a,c   Holmes Jr , Archie L ^a  

^a The University of Texas at Austin   (United States)

^b INTEL CORPORATION   (United States)

^c Samsung Austin Semiconductor   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BARRIERS; DIFFUSION MECHANISMS; HIGHER COMPRESSIVE STRAIN; SPACER LAYERS;

ANNEALING; DIFFUSION; ELECTRIC LINES; NITROGEN; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

INDIUM;

EID: 20844439851     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1900298     Document Type: Article

References (23)

1. M. Fischer, M. Reinhardt, and A. Forchel, Electron. Lett. 36, 1208 (2000).
2. E. Tournie, M.-A. Pinault, M. Laugt, J.-M. Chauveau, A. Trampert, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 82, 1845 (2003).
3. M. Kondow and T. Kitatani, Semicond. Sci. Technol. 17, 746 (2002).
4. E.-M. Pavelescu, T. Jouhti, M. Dumitrescu, P. J. Klar, S. Karirinne, Y. Fedorenko, and M. Pessa, Appl. Phys. Lett. 83, 1497 (2003).
5. T. K. Ng, S. F. Yoon, S. Z. Wang, W. K. Loke, and W. J. Fan, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 964 (2002).
6. Z. Pan, L. H. Li, W. Zhang, Y. W. Lin, and R. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 77, 1280 (2000).
7. S. G. Spruytte, M. C. Larson, W. Wampler, C. W. Coldren, H. E. Petersen, J. S. Harris, J. Cryst. Growth 227-228, 506 (2001).
8. H. D. Sun, R. Macaluso, M. D. Dawson, F. Robert, A. C. Bryce, J. H. Marsh, H. Riechert, J. Appl. Phys. 94, 1550 (2003).
9. T. Kageyama, T. Miyamoto, S. Makino, F. Koyama, and K. Iga, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L298 (1999).
10. M. C. Y. Chan, C. Surya, and P. K. A. Wai, J. Appl. Phys. 90, 197 (2001).
11. M. Albrecht, V. Grillo, T. Remmele, H. P. Strunk, A. Yu. Egorov, G. Dumitras, H. Riechert, A. Kaschner, R. Heitz, and A. Hoffmann; Appl. Phys. Lett. 81, 2719 (2002).
12. J.-M. Chauveau, A. Trampert, K. H. Ploog, and E. Tournie, Appl. Phys. Lett. 84, 2503 (2004).
13. W. K. Loke, S. F. Yoon, S. Z. Wang, T. K. Ng, and W. J. Fan, J. Appl. Phys. 91, 4900 (2002).
14. R. Kudrawiec, G. Sek, J. Misiewicz, D. Gollub, and A. Forchel, Appl. Phys. Lett. 83, 2772 (2003).
15. L. F. Bian, D. S. Jiang, and S. L. Lu, J. Cryst. Growth 253, 155 (2003).
16. C. S. Peng, E.-M. Pavelescu, T. Jouhti, J. Konttinen, I. M. Fodchuk, Y. Kyslovsky, and M. Pessa, Appl. Phys. Lett. 80, 4720 (2002).
17. S. Govindaraju and A. L. Holmes Jr., J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1167 (2002).
18. S. R. Kurtz, J. F. Klem, A. A. Allerman, R. M. Sieg, C. H. Seager, and E. D. Jones, Appl. Phys. Lett. 80, 1379 (2002).
19. V. Lordi, V. Gambin, S. Friedrich, T. Funk, T. Takizawa, K. Uno, and J. S. Harris, Phys. Rev. Lett. 90, 145505 (2003).
20. H. D. Sun, R. Macaluso, S. Calvez, M. D. Dawson, F. Robert, A. C. Bryce, J. H. Marsh, P. Gilet, L. Grenouillet, A. Million, K. B. Nam, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, J. Appl. Phys. 94, 7581 (2003).
21. L. Grenouillet, C. Bru-Chavallier, G. Guillot, P. Gilet, P. Ballet, P. Duvaut, G. Rolland, and A. Million, J. Appl. Phys. 91, 5902 (2002).
22. Y. Q. Wang, Z. L. Wang, T. Brown, A. Brown, and G. May, J. Cryst. Growth 242, 5 (2002).
23. L. H. Li, Z. Pan, Y. Q. Xu, Y. Du, Y. W. Lin, and R. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 78, 2488 (2001).