Improvement of interfacial and dielectric properties of sputtered Ta2O5 thin films by substrate biasing and the underlying mechanism

Journal of Applied Physics

Volumn 97, Issue 11, 2005, Pages

  Huang, A P ^a   Chu, Paul K ^a  

^a CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY; SPUTTERING CHAMBERS; SUBSTRATE BIASING; SYSTEM-ON-A-CHIP (SOC);

CMOS INTEGRATED CIRCUITS; INTEGRATED CIRCUITS; INTERFACES (MATERIALS); SPUTTERING; TANTALUM COMPOUNDS; THERMODYNAMIC STABILITY; THIN FILMS;

DIELECTRIC PROPERTIES;

EID: 20544456342     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1922585     Document Type: Article

References (28)

1. I. Kim, S. Ahn, B. Cho, J. Y. Lee, J. S. Chun, and W. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 6691 (1994).
2. E. Atanassova, N. Novkovski, and A. Paskaleva, Solid-State Electron. 46, 1887 (2002).
3. Y. M. Li and J. W. Lee, Comput. Phys. Commun. 147, 21 (2002).
4. G. B. Alers, R. M. Fleming, and A. Pinczuk, Appl. Phys. Lett. 72, 1308 (1998).
5. T. Kato and T. Ito, J. Electrochem. Soc. 135, 2586 (1988).
6. H. Zhang and R. Solanki, J. Appl. Phys. 87, 1921 (2000).
7. R. M. Fleming, J. Appl. Phys. 88, 850 (2000).
8. J. Lin, N. Masaaki, and M. Yamada, Appl. Phys. Lett. 74, 2370 (1999).
9. A. Pignolet, G. M. Rao, and S. B. Kurpanidhi, Thin Solid Films 258, 230 (1995).
10. Y. Takaishi, M. Sakao, and H. Watanabe, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 1994, 839.
11. S. O. Kim and H. J. Kim, Thin Solid Films 253, 435 (1994).
12. A. P. Huang, S. L. Xu, M. K. Zhu, B. Wang, H. Yan, and T. Liu, Appl. Phys. Lett. 83, 3278 (2003).
13. C. Jeynes, Z. H. Jafri, R. P. Webb, A. C. Kimber, and M. J. Ashwin, Surf. Interface Anal. 25, 254 (1997).
14. H. Ono and K. I. Koyanagi, Appl. Phys. Lett. 77, 1431 (2000).
15. H. K. Henisch, Rectifying Semiconductor Contacts (Clarendon, Oxford, 1957).
16. J. G. Hwu and M. J. Jeng, J. Electrochem. Soc. 135, 2808 (1988).
17. H. Kato, K. S. Seol, M. Fujimaki, T. Toyada, Y. Ohki, and M. Takiyama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 6791 (1999).
18. M. Houssa, R. Deraeve, P. W. Mertens, M. M. Heyns, J. S. Jcon, A. Halliyal, and B. Ogle, J. Appl. Phys. 86, 6462 (1999).
19. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
20. G. B. Alers, R. M. Fleming, and A. Pinczuk, Appl. Phys. Lett. 72, 1308 (1998).
21. A. Pignolet, G. M. Rao, and S. B. Krupanidhi, Thin Solid Films 258, 230 (1995).
22. H. F. Wolf, Semiconductors (Wiley, New York, 1971), chap. p. 4.
23. B. Wang, W. Liu, G. J. Wang, M. K. Zhu, and H. Yan, Mater. Sci. Eng., B 98, 190 (2003).
24. B. Wang, M. Wang, R. Z. Wang, A. P. Huang, and H. Yan, Mater. Lett. 53, 367 (2002).
25. A. P. Huang, S. L. Xu, M. K. Zhu, G. H. Li, T. Liu, B. Wang, and H. Yan, J. Cryst. Growth 255, 145 (2003).
26. X. G. Yu, C. Zhu, M. F. Li, A. Chin, A. Y. Du, W. D. Wang, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 85, 2893 (2004).
27. G. B. Alers, D. J. Werder, Y. Chabal, H. C. Lu, E. P. Gusev, E. Garfunkel, T. Gustafsson, and R. S. Urdahl, Appl. Phys. Lett. 73, 1517 (1998).
28. Y. S. Lai, K. J. Chen, and J. S. Chen, J. Appl. Phys. 91, 6428 (2002).