Thermally induced diffusion in GaInNAs/GaAs and GaInAs/GaAs quantum wells grown by solid source molecular beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 97, Issue 1, 2005, Pages

  Ng, T K ^a   Djie, H S ^a   Yoon, S F ^a   Mei, T ^a  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC CONCENTRATION; CRYSTAL IMPERFECTIONS; DIFFUSION CONSTANT; LATTICE STRAIN;

ACTIVATION ENERGY; COMPRESSIVE STRESS; CRYSTAL DEFECTS; DIFFUSION; ERROR ANALYSIS; MATHEMATICAL MODELS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; QUANTUM THEORY; RAPID THERMAL ANNEALING; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; X RAY DIFFRACTION;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 19944433510     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1825632     Document Type: Article

References (28)

1. M. C. Larson, M. Kondow, T. Kitatani, K. Nakahara, K. Tamura, H. Inoue, and K. Uomi, IEEE Photonics Technol. Lett. 10, 188 (1998).
2. X. Yang, J. B. Heroux, M. J. Jurkovic, W. I. Wang, J. Vac. Sci. Technol. B 18 (3), 1484 (2000).
3. W. Ha, V. Gambin, S. Bank, M. Wistey, H. Yuen, S. Kim, and J. S. Harris Jr., IEEE J. Quantum Electron. 38 (9), 1260 (2002).
4. N. Tansu and L. J. Mawst, IEEE Photonics Technol. Lett. 14 (4), 444 (2002).
5. H. Riechert, A. Ramakrishnan, and G. Steinle, Semicond. Sci. Technol. 17, 892 (2002).
6. T. K. Ng, S. F. Yoon, S. Z. Wang, W. K. Loke, and W. J. Fan, Materials Research Society Fall Meeting, Oct/Nov 2001, Boston (MRS, Warrendale, PA, 2001).
7. T. K. Ng, S. F. Yoon, S. Z. Wang, W. K. Loke, and W. J. Fan, J. Vac. Sci. Technol. B 20 (3), 964 (2002).
8. W. K. Loke, S. F. Yoon, S. Z. Wang, T. K. Ng, and W. J. Fan, J. Appl. Phys. 91 (8), 4900 (2002).
9. T. K. Ng, S. F. Yoon, S. Z. Wang, L.-H. Lin, Y. Ochiai, and T. Matsusue, J. Appl. Phys. 94 (5), 3110 (2003).
10. P. J. Klar, H. Gruning, J. Koch, S. Schafer, K. Volz, W. Stolz, W. Heimbrodt, A. M. Kamal Saadi, A. Lindsay, and E. P. O'Reilly, Phys. Rev. B 64, 121203 (2001).
11. S. Bank, W. Ha, V. Gambin, M. Wistey, H. Yuen, L. Goddard, S. Kim, and J. S. Harris Jr., J. Cryst. Growth 251, 367 (2003).
12. L. H. Li, Z. Pan, W. Zhang, Y. W. Lin, X. Y. Wang, R. H. Wu, and W. K. Ge, Appl. Phys. Lett. 223, 140 (2001).
13. W. J. Fan, S. F. Yoon, T. K. Ng, S. Z. Wang, W. K. Loke, R. Liu, and A. Wee, Appl. Phys. Lett. 80 (22), 4136 (2002).
14. H. S. Djie, T. Mei, J. Arokiaraj, and P. Thilakan, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41 (8A), L867 (2002).
15. H. S. Djie, S. L. Ng, O. Gunawan, P. Dowd, V. Aimez, J. Beauvais, and J. Beerens, IEE Proc.: Optoelectron. 149 (4), 138 (2002).
16. D. J. Ben-Daniel and C. B. Duke, Phys. Rev. 152, 683 (1966).
17. T. E. Schlesinger and T. Kuech, Appl. Phys. Lett. 49, 519 (1986).
18. E. H. Li, Physica E (Amsterdam) 5, 215 (1999).
19. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80 (21), 3967 (2002).
20. E. H. Li and W. C. H. Choy, J. Appl. Phys. 82, 3861 (1997).
21. D. Alexandropoulos and M. J. Adams, IEEE J. Quantum Electron. 39, 647 (2003).
22. S. W. Ryu, I. Kim, B. D. Choe, and W. G. Jeong, Appl. Phys. Lett. 67, 1417 (1995).
23. Z. Pan, L. H. Li, W. Zhang, Y. W. Lin, R. H. Wu, and W. Ge, Appl. Phys. Lett. 77 (9), 1280 (2000).
24. K. B. Kahen, D. L. Peterson, G. Rajeswaran, and D. L. Lawrence, Appl. Phys. Lett. 55, 651 (1989).
25. S. F. Wee, M. K. Chai, K. P. Homewood, and W. P. Gillin, J. Appl. Phys. 82 (10), 4842 (1997).
26. W. P. Gillin, D. J. Dunstan, K. P. Homewood, L. K. Howard, and B. J. Sealy, J. Appl. Phys. 73 (8), 3782 (1993).
27. O. M. Khreis, W. P. Gillin, and K. P. Homewood, Phys. Rev. B 55 (23), 15813 (1997).
28. W. Li, M. Pessa, T. Ahlgren, and J. Decker, Appl. Phys. Lett. 79 (8), 1094 (2001).