Optically detected magnetic resonance of (effective-mass) shallow acceptors in Si-doped GaN homoepitaxial layers

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 68, Issue 19, 2003, Pages

  Glaser, R ^a   Freitas, A ^a   Shanabrook, V ^a   Koleske, D ^a,c   Lee, K ^b   Park, S ^b   Han, Y ^b  

^a NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

^b Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

^c SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GALLIUM; MAGNESIUM; NITROGEN; ORGANOMETALLIC COMPOUND; SILICON;

ANISOTROPY; ARTICLE; COMBINATORIAL CHEMISTRY; MASS; NUCLEAR MAGNETIC RESONANCE; OPTICS; PHOTOLUMINESCENCE; THEORY; VAPOR;

EID: 18344398302     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.68.195201     Document Type: Article

References (37)

1. E. R. Glaser, W. E. Carlos, G. C. B. Braga, J. A. Freitas Jr., W. J. Moore, B. V. Shanabrook, R. L. Henry, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, H. Obloh, P. Kozodoy, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Phys. Rev. B 65, 085312 (2002).
2. D. M. Hofmann, W. Burkhardt, F. Leiter, W. von Forster, H. Alves, A. Hofstaetter, B. K. Meyer, N. Romanov, H. Amano, and I. Akasaki, Physica B 273–274, 43 (1999).
3. F. K. Koschnick, K. Michael, J.-M. Spaeth, B. Beaumont, P. Gibart, J. Off, A. Sohmer, and F. Scholz, J. Cryst. Growth 189/190, 561 (1998).
4. M. Palczewska, B. Suchanek, R. Dwilinski, K. Pakula, A. Wagner, and M. Kaminska, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 45 (1998).
5. U. Kaufmann, M. Kunzer, C. Merz, I. Akasaki, and H. Amano, in Gallium Nitride and Related Materials, edited by R. D. Dupuis, J. A. Edmond, F. A. Ponce, and S. Nakamura, MRS Symposia Proceeding No. 395 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1996), p. 633.
6. A. V. Malyshev, I. A. Merkulov, and A. V. Rodina, Fiz. Tverd. Tela (St. Petersburg) 40, 1002 (1998)
7. A. V. Malyshev, I. A. Merkulov, and A. V. Rodina, Phys. Solid State 40, 917 (1998).
8. J. L. Patel, J. E. Nicholls, and J. J. Davies, J. Phys. 14, 139 (1981).
9. Le Si Dang, K. M. Lee, G. D. Watkins, and W. J. Choyke, Phys. Rev. Lett. 45, 390 (1980).
10. P. G. Baranov, V. A. Vetrov, N. G. Romanov, and V. I. Sokolov, Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 27, 3459 (1985)
11. P. G. Baranov, V. A. Vetrov, N. G. Romanov, and V. I. Sokolov, Sov. Phys. Solid State 27, 2085 (1985).
12. S. S. Park, H. Park, S. H. Choh, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L1141 (2000).
13. P. Visconti, K. M. Jones, M. A. Reshchikov, F. Yun, R. Cingolani, H. Morkoc, S. Park, and K. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 3743 (2000).
14. D. Huang, F. Yun, M. A. Reshchikov, D. Wang, H. H. Morkoc, D. L. Rode, L. A. Farina, C. Kurdak, H. T. Tsen, S. S. Park, and K. Y. Lee, Solid-State Electron. 45, 711 (2000).
15. J. A. Freitas, G. C. B. Braga, W. J. Moore, J. G. Tischler, J. C. Culbertson, M. Fatemi, S. S. Park, S. K. Lee, and Y. Park, J. Cryst. Growth 231, 322 (2001).
16. J. A. Freitas Jr., W. J. Moore, B. V. Shanabrook, G. C. B. Braga, S. K. Lee, S. S. Park, and J. Y. Han, Phys. Rev. B 66, 233311 (2002).
17. A. E. Wickenden, D. D. Koleske, R. L. Henry, R. J. Gorman, M. E. Twigg, M. Fatemi, J. A. Freitas Jr., and W. J. Moore, J. Electron. Mater. 29, 21 (2000).
18. E. R. Glaser, T. A. Kennedy, K. Doverspike, L. B. Rowland, D. K. Gaskill, J. A. Freitas Jr., M. Asif Khan, D. T. Olson, J. N. Kuznia, and D. K. Wickenden, Phys. Rev. B 51, 13-326 (1995).
19. J. A. Freitas Jr., W. J. Moore, B. V. Shanabrook, G. C. B. Braga, S. K. Lee, S. S. Park, J. Y. Han, and D. D. Koleske, J. Cryst. Growth 246, 307 (2002).
20. J. A. Freitas Jr., K. Doverspike, and A. E. Wickenden, in Gallium Nitride and Related Materials p. 485.
21. M. Ilegems and R. Dingle, J. Appl. Phys. 44, 4234 (1973).
22. R. Dingle and M. Ilegems, Solid State Commun. 9, 175 (1971).
23. J. Jayapalan, B. J. Skromme, R. P. Vaudo, V. M. Phanse, Appl. Phys. Lett. 73, 1188 (1998).
24. W. E. Carlos, J. A. Freitas Jr., M. Asif Khan, D. T. Olson, and J. N. Kuznia, Phys. Rev. B 48, 17878 (1993).
25. W. J. Moore, J. A. Freitas Jr., G. C. B. Braga, R. J. Molnar, S. K. Lee, K. Y. Lee, and I. J. Song, Appl. Phys. Lett. 79, 2570 (2001).
26. R. Kotlyar (private communication).
27. R. Dingle, D. D. Sell, S. E. Stokowski, and M. Ilegems, Phys. Rev. B 4, 1211 (1971).
28. T. N. Morgan, in Proceedings of the Tenth International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by S. P. Keller, J. C. Hensl, and F. Stern (U.S. AEC Division of Technical Information, Springfield, VA, 1970), p. 266.
29. L. Pavesi and M. Guzzi, J. Appl. Phys. 75, 4779 (1994).
30. P. Boguslawski, E. L. Briggs, and J. Bernholc, Appl. Phys. Lett. 69, 233 (1996).
31. F. Mireles and S. E. Ulloa, Phys. Rev. B 58, 3879 (1998).
32. C. van de Walle (unpublished).
33. J. Neugebauer and Chris G. Van de Walle, J. Appl. Phys. 85, 3003 (1999).
34. P. B. Klein, S. C. Binari, K. Ikossi, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, and R. L. Henry, Appl. Phys. Lett. 79, 3527 (2001).
35. C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, S. J. Pearton, and W. S. Hobson, Appl. Phys. Lett. 66, 1969 (1995).
36. T. Ogino and M. Aoki, J. Appl. Phys. 19, 2395 (1980).
37. P. B. Klein, J. A. Freitas Jr., S. C. Binari, and A. E. Wickenden, Appl. Phys. Lett. 75, 4016 (1999).