Performance and reproducibility enhancement of HgCdTe molecular beam epitaxy growth on CdZnTe substrates using interfacial HgTeCdTe superlattice layers

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 13, 2005, Pages 1-3

  Chang, Yong ^a   Zhao, Jun ^a   Abad, Hisham ^a   Grein, Christoph H ^a   Sivananthan, Sivalingam ^a   Aoki, Toshihiro ^b,c   Smith, David J ^b  

^a UNIVERSITY OF ILLINOIS AT CHICAGO   (United States)

^b ARIZONA STATE UNIVERSITY   (United States)

^c JEOL USA INC   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ETCH PIT DENSITY (EPD); GROWTH TEMPERATURE; PHOTOCONDUCTIVE DECAY; SHORT-WAVELENGTH INFRARED (SWIR);

MERCURY COMPOUNDS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY; MULTILAYERS; SUPERLATTICES; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

EPITAXIAL GROWTH;

EID: 17744373328     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1890471     Document Type: Article

References (39)

1. L. A. Almeida, M. Thomas, W. Larsen, K. Spariosu, D. D. Edwall, J. D. Benson, W. Mason, A. J. Stoltz, and J. H. Dinan, J. Electron. Mater. 31, 669 (2002).
2. E. P. G. Smith, L. T. Pham, G. M. Venzor, E. M. Norton, M. D. Newton, P. M. Goetz, V. K. Randall, A. M. Gallagher, G. K. Pierce, E. A. Patten, R. A. Coussa, K. Kosai, W. A. Radford, L. M. Giegerich, J. M. Edwards, S. M. Johnson, S. T. Baur, J. A. Roth, B. Nosho, T. J. De Lyon, J. E. Jensen, and R. E. Longshore, J. Electron. Mater. 33, 509 (2004).
3. P. Ballet, F. Noël, F. Pottier, S. Plissard, J. P. Zanatta, J. Baylet, O. Gravrand, E. de Borniol, S. Martin, P. Castelein, J. P. Chamonal, A. Million, and G. Destefanis, J. Electron. Mater. 33, 667 (2004).
4. W. E. Tennant, S. Cabelli, and K. Spariosu, J. Electron. Mater. 28, 582 (1999).
5. S. Velicu, R. Ashokan, C. H. Grein, S. Sivananthan, P. Boieriu, and P. D. Rafol, Proc. SPIE 4454, 180 (2001).
6. T. J. de Lyon, J. E. Jensen, I. Kasai, G. M. Venzor, K. Kosai, J. B. de Bruin, and W. L. Ahlgren, J. Electron. Mater. 31, 220 (2002).
7. J. D. Phillips, D. D. Edwall, and D. L. Lee, J. Electron. Mater. 31, 664 (2002).
8. Y. D. Zhou, C. R. Becker, Y. Selamet, Y. Chang, R. Ashokan, R. T. Boreiko, T. Aoki, D. J. Smith, A. L. Betz, and S. Sivananthan, J. Electron. Mater. 32, 608 (2003).
9. W. M. Higgins, G. N. Pultz, R. G. Roy, R. A. Lancaster, and J. L. Schmit, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 271 (1989).
10. M. J. Bevan, N. J. Doyle, and D. Snyder, J. Cryst. Growth 102, 785 (1990).
11. H. Abad, J. Zhao, G. Badano, Y. Chang, and S. Sivananthan, Military Sensing Symposia, 22-26 March 2004, Tucson, AZ.
12. J. Zhao, Y. Chang, G. Badano, S. Sivananthan, J. Markunas, S. Lewis, J. H. Dinan, P. S. Wijewarnasuria, Y. Chen, G. Brill, and N. Dhar, J. Electron. Mater. 33, 881 (2004).
13. W. J. Everson, C. K. Ard, J. L. Sepich, B. E. Dean, and G. T. Neugebauer, J. Electron. Mater. 24, 505 (1995).
14. Y. Chang, G. Badano, J. Zhao, C. H. Grein, S. Sivananthan, T. Aoki, and D. J. Smith, Appl. Phys. Lett. 83, 4785 (2003).
15. T. Aoki, D. J. Smith, Y. Chang, J. Zhao, G. Badano, C. Grein, and S. Sivananthan, Appl. Phys. Lett. 82, 2275 (2003).
16. T. Aoki, Y. Chang, G. Badano, J. Zhao, C. Grein, S. Sivananthan, and D. J. Smith, J. Cryst. Growth 265, 224 (2004).
17. Y. Selamet, Y. D. Zhou, J. Zhao, Y. Chang, C. R. Becker, R. Ashokan, C. H. Grein, and S. Sivananthanm, J. Electron. Mater. 33, 503 (2004).
18. Y. Chang, G. Badano, E. Jiang, J. W. Garland, J. Zhao, C. H. Grein, and S. Sivananthan, J. Cryst. Growth 277, 78 (2005).
19. A. Tanaka, Y. Masa, S. Seto, and T. Kawasaki, J. Cryst. Growth 94, 166 (1989).
20. S. M. Johnson, S. Sen, W. H. Konkel, and M. H. Kalisher, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1897 (1991).
21. S. L. Bell and S. Sen, J. Vac. Sci. Technol. A 3, 112 (1985).
22. G. H. Olsen, M. S. Abrahams, C. J. Buiocchi, and T. J. Zamerowski, J. Appl. Phys. 46, 1643 (1975).
23. K. Pinardi, U. Jain, S. C. Jain, H. E. Maes, R. V. Overstraeten, and M. Willander, J. Appl. Phys. 83, 4724 (1998).
24. W. Jua, D. A. Gulinoa, and R. Higgins, J. Cryst. Growth 263, 30 (2004).
25. C. W. Leitz, M. T. Currie, A. Y. Kim, J. Lai, E. Robbins, E. A. Fitzgerald, and M. T. Bulsara, J. Appl. Phys. 90, 2703 (2001).
26. J. D. Torre, M. D. Rouhani, R. Malek, D. Esteve, and G. Landa, J. Appl. Phys. 84, 5487 (1998).
27. C. W. Pei, B. Turk, W. I. Wang, and T. S. Kuan, J. Appl. Phys. 90, 5959 (2001).
28. A. E. Romanov, W. Pompe, G. E. Beltz, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 69, 3342 (1996).
29. A. E. Romanov, W. Pompe, S. Mathis, G. E. Beltz, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 85, 182 (1999).
30. See, for example, S. Yuan, C. Jagadish, Y. Kim, Y. Chang, H. H. Tan, R. M. Cohen, M. Petravic, L. V. Dao, M. Gal, M. C. Y. Chan, E. H. Li, J. O, and P. S. Zory, Jr., IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 4, 629 (1998), and references cited therein.
31. P. Sheldon, K. M. Jones, M. M. Al-Jassim, and B. G. Yacobi, J. Appl. Phys. 63, 5609 (1988).
32. M. Tachikawa and M. Yamaguchi, Appl. Phys. Lett. 56, 484 (1990).
33. J. E. Ayers, L. J. Schowalter, and S. K. Ghandhi, J. Cryst. Growth 125, 329 (1992).
34. R. Hull, J. C. Bean, R. E. Lenbenguth, and D. J. Werder, J. Appl. Phys. 65, 4723 (1989).
35. H. Nishino, I. Sugiyama, and Y. Nishijima, J. Appl. Phys. 80, 3238 (1996).
36. M. Carmody, D. Lee, M. Zandian, J. Phillips, and J. Arias, Presentation on 2002 U.S. Workshop for Physics and Chemistry of II-VI Materials, San Diego, CA, Nov. 13, 2002.
37. M. Carmody, D. Lee, M. Zandian, J. Phillips, and J. Arias, J. Electron. Mater. 32, 701 (2003).
38. H. F. Schaake, J. H. Tregilgas, A. J. Lewis, and P. M. Everett, J. Vac. Sci. Technol. A 1, 1625 (1983).
39. See, for example, V. C. Lopes, A. J. Syllaios, and M. C. Chen, Semicond. Sci. Technol. 8, 824 (1993).