Mechanism of the reduction of dislocation density in epilayers grown on compliant substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 12, 2001, Pages 5959-5962

  Pei, C W ^a   Turk, B ^a   Wang, W I ^a   Kuan, T S ^b  

^a Columbia University ^*  (United States)

^b STATE UNIVERSITY OF NEW YORK   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035894251     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1413712     Document Type: Article

References (12)

1. A. R. Powell, S. S. Iyer, and F. K. LeGoues, Appl. Phys. Lett. 64, 1856 (1994).
2. Z. Yang, F. Guarin, I. W. Tao, W. I. Wang, and S. S. Iyer, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 789 (1995).
3. Z. Yang, J. Alperin, W. I. Wang, S. S. Iyer, T. S. Kuan, and F. Semendy, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1489 (1998).
4. P. D. Moran, D. M. Hansen, R. J. Matyi, J. G. Cederberg, L. J. Mawst, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 75, 1559 (1999).
5. P. D. Moran, D. M. Hansen, R. J. Matyi, L. J. Mawst, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 76, 2541 (2000).
6. S. I. Romanov, V. I. Mashanov, L. V. Sokolov, A. Gutakovskii, and O. P. Pchelyakov, Appl. Phys. Lett. 75, 4118 (1999).
7. St. Senz, G. Kastner, U. Gosele, and V. Gottschalch, Appl. Phys. Lett. 76, 703 (2000).
8. F. E. Ejeckam, Y. H. Lo, S. Subramanian, H. Q. Hou, and B. E. Hammons, Appl. Phys. Lett. 70, 1685 (1997).
9. M. L. Seaford, D. H. Tomich, K. G. Eyink, L. Grazulis, K. Mahalingham, Z. Yang, and W. I. Wang, J. Electron. Mater. 29, 906 (2000).
10. W. Bollmann, Crystal Defects and Crystalline Interfaces (Springer, New York, 1970).
11. J. W. Matthews, J. Vac. Sci. Technol. 12, 126 (1975).
12. I. W. Tao C. Schwartz, and W. I. Wang, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 838 (1992).