Effects of denuded zone of Si(111) surface on current conduction and charge trapping of HfOxNy, gate dielectric in metal-oxide-semiconductor devices

Applied Physics Letters

Volumn 85, Issue 20, 2004, Pages 4723-4725

  Cheng, Chin Lung ^a   Chang Liao, Kuei Shu ^a   Huang, Ching Hung ^a   Wang, Tien Ko ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONCENTRATION (PROCESS); CRYSTAL DEFECTS; HEAT CONDUCTION; LEAKAGE CURRENTS; MOS DEVICES; PERMITTIVITY; STRESS ANALYSIS; THICKNESS MEASUREMENT;

CHARGE TRAPPING; DENUDED ZONES; ELECTRICAL FIELDS; GATE DIELECTRICS;

SILICON;

EID: 10944269095     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1819994     Document Type: Article

References (18)

1. C. S. Rang, H. J. Cho, K. Onishi, R. Choi, R. Nieh, S. Krishnan, and J. C. Lee, Symp. VLSI Tech. Dig. 2002, 146 (2002).
2. M. R. Visokay, J. J. Chambers, A. L. P. Rotondaro, A. Shanware, and L. Colombo, Appl. Phys. Lett. 80, 3183 (2002).
3. K. Yamamoto, S. Hayashi, M. Kubota, and M. Niwa, Appl. Phys. Lett. 81, 2053 (2002).
4. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
5. J. M. Hergenrother, G. D. Wilk, T. Nigam, F. P. Klemens, D. Monroe, P. J. Silverman, T. W. Sorsch, B. Busch, M. L. Green, M. R. Baker, T. Boone, M. K. Bude, N. A. Ciampa, F. J. Ferry, A. T. Fiory, S. J. Hillenius, D. C. Jacobson, R. W. Johnson, P. Kalavade, R. C. Keller, A. A. King, A. Kornblit, H. W. Krautler, J. T. C. Lee, W. M. Mansfield, J. F. Miner, M. D. Morris, S.-H. Oh, J. M. Rosamilia, B. J. Sapjeta, K. Short, K. Steiner, D. A. Muller, P. M. Voyles, J. L. Grazul, E. J. Shero, M. E. Givens, C. Pomarede, M. Mazanec, and C. Werkhoven, IEDM Tech. Dig. 2001, 51 (2001).
6. J. H. Lee, J. P. Kim, J. H. Lee, Y. Kim, H. Jung, N. Lee, H. Kang, K. Suh, M. Jeong, K. Hyun, H. Baik, Y. S. Chung, X. Liu, S. Ramanathan, T. Seidel, J. Winkler, A. Londergan, H. Y. Kim, J. M. Ha, and N. K. Lee, IEDM Tech. Dig. 2002, 221 (2002).
7. H. S. Momose, T. Ohguro, S. Nakamura, Y. Toyoshima, H. Ishiuchi, and H. Iwaj, IEEE Trans. Electron Devices 49, 1597 (2002).
8. C. L. Cheng, K. S. Chang-Liao, P. L. Wang, and T. K. Wang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L599 (2004).
9. K. Onishi, C. S. Kang, R. Choi, H. J. Cho, Y. H. Kim, S. Krishnan, M. S. Akbar, and J. C. Lee, IEEE Electron Device Lett. 24, 254 (2003).
10. G. Kissinger, J. Vanhellemont, G. Obermeier, and J. Esfandyari, Mater. Sci. Eng., B 73, 106 (2000).
11. A. Borghesi, M. Geddo, B. Pivac, A. Sassella, and A. Stella, Appl. Phys. Lett. 58, 2099 (1991).
12. K. S. Chang-Liao, N. K. Yi, and J. G. Huang, Appl. Phys. Lett. 76, 2770 (2000).
13. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley. New York, 1985), p. 403.
14. W. K. Chim, T. H. Ng, B. H. Koh, W. K. Choi, J. X. Zheng, C. H. Tung, and A. Y. Du, J. Appl. Phys. 93, 4788 (2003).
15. M. Specht, M. Stadele, S. Jakschik, and U. Schroder, Appl. Phys. Lett. 84, 3076 (2004).
16. S. W. Huang and J. G. Hwu, IEEE Trans. Electron Devices 50, 1658 (2003).
17. R. Rofan and C. Hu, IEEE Electron Device Lett. 12, 632 (1991).
18. J. H. Stathis and D. J. DiMaria, IEDM Tech. Dig. 1998, 167 (1998).