n-type doping characteristics of O-implanted GaN

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 21, Issue 6, 2003, Pages 2602-2604

  Nakano, Yoshitaka ^a,b   Kachi, Tetsu ^a   Jimbo, Takashi ^b  

^a Rd Management Section   (Japan)

^b NAGOYA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CARRIER CONCENTRATION; CHEMICAL ACTIVATION; DEPOSITION; DIFFUSION; ELECTRON MOBILITY; HALL EFFECT; ION IMPLANTATION; IONIZATION; MASS SPECTROMETRY; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; OXYGEN; PROBABILITY; SEMICONDUCTOR DOPING; SPUTTERING; THERMODYNAMIC STABILITY;

ACTIVATION ANNEALING; THERMAL IONIZATION;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0942289258     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1621652     Document Type: Article

References (30)

1. H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
2. T. P. Chow and R. Tyagi, IEEE Trans. Electron Devices 41, 1481 (1994).
3. M. A. Khan, J. N. Kuznia, A. R. Bhattarai, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 62, 1786 (1993).
4. S. C. Binari, L. B. Rowland, W. Kruppa, G. Kelner, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Electron. Lett. 30, 1248 (1994).
5. M. Asif. Khan, A. Bhattarai, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 63, 1214 (1993).
6. J. C. Zolper, R. J. Shul, A. G. Baca, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 2273 (1996).
7. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. Baca, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett. 73, 3893 (1998).
8. A. P. Zhang et al., Appl. Phys. Lett. 78, 823 (2001).
9. A. P. Zhang et al., Appl. Phys. Lett. 76, 3816 (2000).
10. J. Kim, R. Mehandru, B. Luo, F. Ren, B. P. Qua, A. H. Onstine, C. R. Abemathy, S. J. Pearton, and Y. Irokawa, Appl. Phys. Lett. 80, 4555 (2002).
11. J. Kim, R. Mehandru, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and Y. Irokawa, Appl. Phys. Lett. 81, 373 (2002).
12. Y. Nakano, T. Kachi, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 82, 2443 (2003).
13. S. J. Pearton, C. B. Vartuli, J. C. Zolper, C. Yuan, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 67, 1435 (1995).
14. J. C. Zolper, H. H. Tan, J. S. Williams, J. Zou, D. J. H. Cockayne, S. J. Pearton, M. H. Crawford, and R. F. Karlicek, Jr., Appl. Phys. Lett. 70, 2729 (1997).
15. X. A. Cao et al., Appl. Phys. Lett. 73, 229 (1998).
16. C. J. Eiting, P. A. Grudowski, R. D. Dupuis, H. Hsia, Z. Tang, D. Becher, H. Kuo, G. E. Stillman, and M. Feng, Appl. Phys. Lett. 73, 3875 (1998).
17. J. A. Fellows, Y. K. Yeo, R. L. Hengehold, and D. K. Johnstone, Appl. Phys. Lett. 80, 1930 (2002).
18. J. K. Sheu, C. J. Tun, M. S. Tsai, C. C. Lee, G. C. Chi, S. J. Chang, and Y. K. Su, J. Appl. Phys. 91, 1845 (2002).
19. Y. Nakano and T. Jimbo, J. Appl. Phys. 92, 3815 (2002).
20. J. K. Sheu et al., Appl. Phys. Lett. 81, 4263 (2002).
21. C. Ronning, E. P. Carlson, D. B. Thomson, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 73, 1622 (1998).
22. D. G. Kent, M. E. Overberg, and S. J. Pearton, J. Appl. Phys. 90, 3750 (2002).
23. Y. Nakano and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 81, 3990 (2002).
24. Y. Nakano, T. Kachi, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 82, 2082 (2003).
25. J. S. Chan et al., Appl. Phys. Lett. 68, 2702 (1996).
26. D. K. Gaskill, N. Bottka, and M. C. Lin, Appl. Phys. Lett. 48, 1449 (1986).
27. B.-C. Chung and M. Gershenzon, J. Appl. Phys. 72, 651 (1992).
28. H. Sato, T. Minami, E. Yamada, M. Ishii, and S. Takata, J. Appl. Phys. 75, 1405 (1994).
29. J. C. Zolper, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 1945 (1996).
30. W. J. Moore, J. A. Freitas, Jr., G. C. B. Braga, R. J. Molnar, S. K. Lee, K. Y. Lee, and I. J. Song, Appl. Phys. Lett. 79, 2570 (2001).