Structural evolution in Ar+ implanted Si-rich silicon oxide

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 12, 2003, Pages 7483-7492

  Brusa, R S ^a   Karwasz, G P ^a   Mariotto, G ^a   Zecca, A ^a   Ferragut, R ^b,d   Folegati, P ^b   Dupasquier, A ^b   Ottaviani, G ^c   Tonini, R ^c  

^a UNIVERSITY OF TRENTO   (Italy)

^b POLITECNICO DI MILANO   (Italy)

^c UNIVERSITY OF MODENA AND REGGIO EMILIA   (Italy)

^d UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CENTRO DE LA PROVINCIA DE BUENOS AIRES   (Argentina)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHIZATION; ARGON; DOPPLER EFFECT; ELECTRONICS PACKAGING; HEAT TREATMENT; HYDROGEN; ION BOMBARDMENT; POSITRON ANNIHILATION SPECTROSCOPY; RADIATION DAMAGE; SILICA; STOICHIOMETRY;

DEPTH-RESOLVED POSITRON ANNIHILATION DOPPLER SPECTROSCOPY; MEDICAL DEVICE PACKAGING;

THIN FILMS;

EID: 0347566327     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1627956     Document Type: Article

References (35)

1. A. S. da Silva Sobrinho, M. Latrèche, G. Czeremuszkin, J. E. Klemberg-Sapieha, and M. R. Wertheimer, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3190 (1998).
2. T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki, Y. Kurata, and S. Hasegawa, J. Appl. Phys. 83, 2228 (1998).
3. F. Iacona, G. Franzò, and C. Spinella, J. Appl. Phys. 87, 1295 (2000).
4. H. S. Bae, T. G. Kim, C. N. Whang, S. Im, J. S. Yun, and J. H. Song, J. Appl. Phys. 91, 4078 (2002).
5. L. Khriachtchev, S. Novikov, and J. Lahtinen, J. Appl. Phys. 92, 5856 (2002).
6. I. Vasiliev, J. R. Chelikowsky, and R. M. Martin, Phys. Rev. B 65, 121302 (2002).
7. T. Ehara, Thin Solid Films 310, 322 (1997).
8. A. Sassella, A. Borghesi, F. Corni, A. Monelli, G. Ottaviani, R. Tonini, B. Pivac, M. Bacchetta, and L. Zanotti, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 377 (1997).
9. T. Ehara and S. Machida, Thin Solid Films 346, 275 (1999).
10. C.-F. Lin, W.-T. Tseng, and M. S. Feng, J. Appl. Phys. 87, 2808 (2000).
11. E. San Andrés, A. del Prado, I. Mártil, G. González, F. L. Martínez, D. Bravo, F. J. Lopez, and M. Fernández, Vacuum 67, 525 (2002).
12. G. Ghislotti, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K. G. Lynn, L. F. Di Mauro, F. Corni, and R. Tonini, Appl. Phys. Lett. 70, 496 (1997).
13. R. S. Brusa, W. Deng, G. P. Karwasz, A. Zecca, G. Mariotto, P, Folegati, R. Ferragut, and A. Dupasquier, Appl. Surf. Sci. 194, 106 (2002).
14. A. Monelli, F. Corni, R. Tonini, C. Ferrari, G. Ottaviani, L. Zanotti, and G. Queirolo, J. Appl. Phys. 80, 109 (1996).
15. A. Zecca, M. Bettonte, J. Paridaens, G. P. Karwasz, and R. S. Brusa, Meas. Sci. Technol. 9, 1 (1998).
16. P. Asoka-Kumar, K. G. Lynn, and D. O. Welch, J. Appl. Phys. 76, 4935 (1994).
17. A. P. Mills, Jr., Phys. Rev. Lett. 41, 1828 (1978).
18. A. P. Mills, Jr. and G. K. Lynn, in Positron Solid State Physics, edited by W. Brandt and A. Dupasquier (North-Holland, Amsterdam, 1883), pp. 432; 609.
19. E. Soininen, A. Schwab, and K. G. Lynn, Phys. Rev. B 43, 10051 (1991).
20. M. Eldrup, D. Lightbody, and J. N. Sherwood, Chem. Phys. 63, 51 (1981).
21. H. Nakanishi and Y. C. Jean, in Positron and Positronium Chemistry, edited by D. M. Schrader and Y. C. Jean (Elsevier Science, Amsterdam, 1988).
22. G. Mariotto, G. Das, A. Quaranta, and G. Della Mea (unpublished).
23. A. van Veen, H. Schut, J. de Vries, R. A. Hakvoort, and M. R. Ijpma, AIP Conf. Proc. 218, 171 (1990).
24. A. Uedono, L. Wei, S. Tanigawa, R. Suzuki, H. Ohgaki, T. Mikado, and K. Fujino, J. Appl. Phys. 75, 216 (1994).
25. M. Hasegawa, M. Saneyasu, M. Tabata, Z. Tang, Y. Nagai, T. Chiba, and Y. Ito, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 166-167, 431 (2000).
26. R. S. Brusa, M. Duarte Naia, A. Zecca, C. Nobili, R. Tonini, G. Ottaviani, and A. Dupasquier, Phys. Rev. B 49, 7271 (1994).
27. R. S. Brusa, G. P. Karwasz, N. Tiengo, A. Zecca, F. Corni, R. Tonini, and G. Ottaviani, Phys. Rev. B 61, 10154 (2000).
28. M. Fujinami and N. B. Chilton, Appl. Phys. Lett. 62, 1131 (1993).
29. R. A. Hakvoort, H. Schut, A. van Veen, W. M. Arnold Bik, and F. H. P. M. Habraken, Appl. Phys. Lett. 59, 1687 (1991).
30. S. Hayashi, T. Nagareda, Y. Kanzawa, and K. Yamamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 3840 (1993).
31. G. Mariotto, F. L. Freire, Jr., and F. Ziglio, J. Non-Cryst. Solids 192&193, 253 (1995).
32. D. Nesheva, C. Raptis, A. Perakis, I. Bineva, Z. Aneva, Z. Levi, S. Alexandrova, and H. Hofmeister, J. Appl. Phys. 92, 4678 (2002).
33. A. Ourmazd, J. A. Rentscheler, and J. Bevk, Appl. Phys. Lett. 53, 743 (1988).
34. G. F. Cerofolini, F. Corni, S. Fabbroni, C. Nobili, G. Ottaviani, and R. Tonini, Mater. Sci. Eng. 237, 1 (2000).
35. F. Corni, C. Nobili, R. Tonini, G. Ottaviani, and M. Tonelli, Appl. Phys. Lett. 78, 2870 (2001).