Effect of dislocations on local transconductance in AlGaN/GaN heterostructures as imaged by scanning gate microscopy

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 22, 2003, Pages 4559-4561

  Hsu, J W P ^a   Weimann, N G ^a   Manfra, M J ^a   West, K W ^a   Lang, D V ^a   Schrey, F F ^a,c   Mitrofanov, O ^a   Molnar, R J ^b  

^a LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

^b MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

^c VIENNA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Austria)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; DISLOCATIONS (CRYSTALS); ELECTRIC CURRENTS; ELECTRON GAS; GALLIUM NITRIDE; GATES (TRANSISTOR); HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING FILMS; TRANSCONDUCTANCE; VAPOR PHASE EPITAXY;

ALUMINUM GALLIUM NITRIDE; HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY; SCANNING GATE MICROSCOPY;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 0346846596     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1629143     Document Type: Article

References (16)

1. M. A. Eriksson, R. G. Beck, M. Topinka, J. A. Katine, R. M. Westervelt, K. L. Campman, and A. C. Gossard, Appl. Phys. Lett. 69, 671 (1996).
2. M. A. Topinka, B. J. LeRoy, S. E. J. Shaw, E. J. Heller, R. M. Westervelt, K. D. Maranowski, and A. C. Gossard, Science 289, 2323 (2000)
3. M. A. Topinka, B. J. LeRoy, R. M. Westervelt, S. E. J. Shaw, R. Fleischmann, E. J. Heller, K. D. Maranowski, and A. C. Gossard, Nature (London) 410, 183 (2001).
4. A. Bachtold, M. S. Fuhrer, S. Plyasunov, M. Forero, E. H. Anderson, A. Zettl, and P. L. McEuen, Phys. Rev. Lett. 84, 6082 (2000).
5. M. Freitag, M. Radosavljevic, Y. Zhou, A. T. Johnson, and W. F. Smith, Appl. Phys. Lett. 79, 3326 (2001).
6. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, S. Richter, S. N. G. Chu, A. M. Sergent, R. N. Kleiman, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 78, 1685 (2001).
7. P. J. Hansen, Y. E. Strausser, A. N. Erickson, e. J. Tarsa, P. Kozodoy, E. G. Brazel, J. P. Ibbetson, U. Mishra, V. Narayanamurti, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 72, 2247 (1998).
8. D. M. Schaadt, E. J. Miller, E. T. Yu, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 78, 88 (2001).
9. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, K. W. Balwin, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, J. Electron. Mater. 30, 110 (2001).
10. G. Koley and M. G. Spencer, Appl. Phys. Lett. 78, 2873 (2001)
11. B. S. Simpkins, D. M. Schaadt, E. T. Yu, and R. J. Molnar, J. Appl. Phys. 91, 9924 (2002).
12. M. J. Manfra, N. G. Weimann, J. W. P. Hsu, L. N. Pfeiffer, K. W. West, S. Syed, H. L. Stormer, W. Pan, D. V. Lang, S. N. G. Chu, G. Kowach, A. M. Sergent, J. Caissie, K. M. Molvar, L. J. Mahoney, and R. J. Molnar, J. Appl. Phys. 92, 338 (2002).
13. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, S. N. G. Chu, C. H. Chen, and L. N. Pfeiffer, Appl. Phys. Lett. 78, 3980 (2001).
14. N. G. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998)
15. D. Cherns and C. G. Jiao, Phys. Rev. Lett. 87, 205504 (2001).
16. K. V. Smith, E. T. Yu, J. M. Redwing, and K. S. Boutros, J. Electron. Mater. 29, 274 (1999).