Formation of self-assembled InAs quantum dots on (110) GaAs substrates

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 24, 2003, Pages 5050-5052

  Wasserman, D ^a   Lyon, S A ^a   Hadjipanayi, M ^b   Maciel, A ^b   Ryan, J F ^b  

^a PRINCETON UNIVERSITY   (United States)

^b UNIVERSITY OF OXFORD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; GROUND STATE; HELIUM NEON LASERS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SPECTROMETERS; SPECTROSCOPY; TEMPERATURE;

EXCITED STATE; NEAR FIELD OPTICAL SCANNING MICROSCOPY; PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 0346503151     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1633683     Document Type: Article

References (26)

1. I. N. Stranski and L. Krastanow, Sitzungsber. Akad. Wiss. Wien, Math.-Naturwiss. Kl., Abt. 2B 146, 797 (1938).
2. W. J. Schaffer, M. D. Lind, S. P. Kowalczyk, and R. W. Grant, J. Vac. Sci. Technol. B 1, 688 (1983).
3. L. Goldstien, F. Glass, J. Y. Marzin, M. N. Charasse, and G. LeRoux, Appl. Phys. Lett. 47, 1099 (1985).
4. N. P. Kobayashi, T. R. Ramachandran, P. Chen, and A. Madhukar, Appl. Phys. Lett. 68, 3299 (1996).
5. J. Y. Marzin, J. M. Gerard, A. Izrael, D. Barrier, and G. Bastard, Phys. Rev. Lett. 73, 716 (1994).
6. M. Grundmann, N. N. Ledentsov, O. Stier, J. Bohrer, D. Bimberg, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Phys. Rev. B 53, 519 (1996).
7. K. W. Berryman, S. A. Lyon, and Mordechai Segev, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1045 (1997).
8. H. Drexler, D. Leonard, W. Hansen, J. P. Kotthaus, and P. M. Petroff, Phys. Rev. Lett. 73, 2252 (1994).
9. I. E. Itskevich, T. Ihn, A. Thornton, M. Henini, T. J. Foster, P. Moriarty, A. Nogaret, P. H. Beton, L. Eaves, and P. C. Main, Phys. Rev. B 54, 16401 (1996).
10. G. S. Solomon, J. A. Trezza, and J. S. Harris, Jr., Appl. Phys. Lett. 66, 991 (1994).
11. G. S. Solomon, J. A. Trezza, and J. S. Harris, Jr., Appl. Phys. Lett. 66, 3161 (1995).
12. M.-I. Alonso, M. Ilg, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 50, 1628 (1994).
13. C. Lobo and R. Leon, J. Appl. Phys. 83, 4168 (1998).
14. W. Jiang, H. Xu, B. Xu, W. Zhou, Q. Gong, D. Ding, J. Liang, and Z. Wang, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 197 (2001).
15. J. G. Belk, D. W. Pashley, C. F. McConville, J. L. Sudijono, B. A. Joyce, and T. S. Jones, Phys. Rev. B 56, 10289 (1997).
16. J. G. Belk, J. L. Sudijono, H. Yamaguchi, X. M. Zhang, D. W. Pashley, C. F. McConville, T. S. Jones, and B. A. Joyce, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 915 (1997).
17. J. G. Belk, J. L. Sudijono, X. M. Zhang, J. H. Neave, T. S. Jones, and B. A. Joyce, Phys. Rev. Lett. 1997, 78, 475 (1997).
18. B. A. Joyce, T. S. Jones, and J. G. Belk, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2373 (1998).
19. J. G. Belk, D. W. Pashley, B. A. Joyce, and T. S. Jones, J. Vac. Sci. Technol. B 58, 16194 (1998).
20. L. Pfieffer, K. W. West, H. L. Stormer, J. P. Eisenstein, K. W. Baldwin, D. Gershoni, and J. Spector, Appl. Phys. Lett. 56, 1697 (1990).
21. P. Ballet, J. B. Smathers, and G. J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 75, 337 (1999).
22. Emil S. Koteles, B. S. Elman, C. Jagannath, and Y. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 49, 1465 (1986).
23. A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. Yu. Egorov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, B. V. Volovik, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Yu. M. Shernyakov, A. V. Lunev, Yu. G. Musikhin, N. A. Bert, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Semiconductors 33, 153 (1999).
24. Z. Ma, K. Pierz, and P. Hinze, Appl. Phys. Lett. 79, 2564 (2001).
25. Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, and N. P. Kobayashi, Phys. Rev. Lett. 75, 2542 (1995).
26. G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Phys. Rev. Lett. 76, 952 (1996).