Electronic structure and optical behavior of self-assembled InAs quantum dots

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 15, Issue 4, 1997, Pages 1045-1050

  Berryman, K W ^a   Lyon, S A ^a,b   Segev, Mordechai ^a,b  

^a Princeton University   (United States)

^b Adv Technol Ctr Photonics O   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001169842     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.589390     Document Type: Article

References (35)

1. J. N. Randall, M. A. Reed, and Y. -C. Kao, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 1348 (1990).
2. A. Scherer and B. P. Von der Gaag, Proc. SPIE 1284, 149 (1990).
3. H. Sakaki, Curr. Opinion Solid State Mater. Sci. 1, 17 (1996).
4. E. Kapon, G. Biasiol, D. M. Hwang, M. Walther, and E. Colas, Solid-State Electron. 40, 815 (1996).
5. K. Kash, R. Bhatt, D. D. Mahoney, J. M. Worlock, P. S. D. Lin, A. Scherer, B. P. Von der Gaag, M. Koza, and P. Grabbe, Advances in Materials, Processing and Devices in III-V Compound Semiconductors Symposium (Boston, MA, 1989), p. 245.
6. K. Kash, D. D. Mahoney, B. P. Von der Gaag, A. S. Godz, J. P. Harbison, and T. Florez, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 2030 (1992).
7. M. G. Bawendi, W. L. Wilson, L. Rothberg, P. J. Carroll, T. M. Jedjv, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, Phys. Rev. Lett. 65, 1623 (1990).
8. A. P. Alivisatos, Science 271, 933 (1996).
9. J. A. Lebens, C. S. Tsai, K. J. Vahala, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 56, 2642 (1990).
10. F. Houzay, C. Guille, J. M. Moison, P. Henoc, and F. Barthe, J. Cryst. Growth 81, 67 (1987).
11. M. Tabuchi, S. Noda, and A. Sasaki, Science and Technology of Mesoscopic Structures, edited by S. Namba, C. Hamaguchi, and T. Ando (Springer, Tokyo, 1992), p. 379.
12. M. Tsuchiya, J. M. Gaines, R. H. Van, R. J. Simes, P. O. Holtz, L. A. Coldren, and P. M. Petroff, Phys. Rev. Lett. 62, 466 (1989).
13. E. R. Glaser, B. R. Bennett, B. V. Shanabrook, and R. Magno, Appl. Phys. Lett. 68, 3614 (1996).
14. J. M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, and O. Vatel, Appl. Phys. Lett. 64, 196 (1994).
15. G. S. Solomon, J. A. Trezza, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 66, 3161 (1995).
16. J.-Y. Marzin, J.-M. Gerard, A. Izrael, D. Barrier, and G. Bastard, Phys. Rev. Lett. 73, 716 (1994).
17. M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Y. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Phys. Rev. Lett. 74, 4043 (1995).
18. D. Bimberg, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. G. Schmidt, M. H. Mao, V. M. Ustinov, A. Y. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, S. S. Ruvimov, U. Gosele, and J. Heydenreich, Jpn. J. Appl. Phys. 1 35, 1311 (1996).
19. J. M. Gerard, O. Cabrol, and B. Sermage, Appl. Phys. Lett. 68, 3123 (1996).
20. H. Drexler, D. Leonard, W. Hansen, J. P. Kotthaus, and P. M. Petroff, Phys. Rev. Lett. 73, 2252 (1994).
21. M. Fricke, A. Lorke, J. P. Kotthaus, G. Medeiros-Ribeiro, and P. M. Petroff, Europhys. Lett. 36, 197 (1996).
22. K. W. Berryman, S. A. Lyon, and Mordechai Segev (to be published).
23. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (Wiley, New York, 1982), pp. 176-234.
24. M. Grundmann, O. Stier, and D. Bimberg, Phys. Rev. B 52, 11969 (1995).
25. M. A. Cusack, P. R. Briddon, and M. Jaros, Phys. Rev. B 54, R2300 (1996).
26. A. Wojs and P. Hawrylak, Phys. Rev. B 53, 10841 (1996).
27. M. Grundmann, N. N. Ledentsov, O. Stier, J. Bohrer, D. Bimberg, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Phys. Rev. B 53, R10509 (1996).
28. P. N. Brunkov, S. G. Konnikov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Y. Egorov, M. V. Maksimov, N. N. Ledentsov, and P. S. Kop'ev, Semiconductors 30, 492 (1996).
29. A. Polimeni, A. Patane, M. Capizzi, F. Martelli, L. Nasi, and G. Salviati, Phys. Rev. B 53, R4213 (1996).
30. M. Grundmann, N. N. Ledentsov, O. Stier, J. Bohrer, D. Bimberg, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Phys. Rev. B 53, R10509 (1996).
31. J. Faist, F. Capasso, D. L. Sivco, C. Sirtori, A. L. Hutchison, and A. Y. Cho, Science 264, 553 (1994).
32. K. W. Berryman, S. A. Lyon, and Mordechai Segev, Appl. Phys. Lett. 70, 1861 (1997).
33. K. W. Goossen and S. A. Lyon, J. Appl. Phys. 63, 5149 (1988).
34. M. A. Kinch and A. Yariv, Appl. Phys. Lett. 55, 2093 (1989).
35. Including, for example, the field-induced symmetry breaking described by A. Levinson, M. Segev, G. Almogy, and A. Yoris, Phys. Rev. A 49, R661 (1994).