Photo- and electroluminescence in the 1.3-μm wavelength range from quantum-dot structures grown on GaAs substrates

Semiconductors

Volumn 33, Issue 2, 1999, Pages 153-156

  Zhukov, A E ^a   Kovsh, A R ^a   Egorov, A Yu ^a   Maleev, N A ^a   Ustinov, V M ^a   Volovik, B V ^a   Maksimov, M V ^a   Tsatsul'nikov, A F ^a   Ledentsov, N N ^a   Shernyakov, Yu M ^a   Lunev, A V ^a   Musikhin, Yu G ^a   Bert, N A ^a   Kop'ev, P S ^a   Alferov, Zh I ^a  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0033075985     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1187662     Document Type: Article

References (13)

1. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 1273 (1996).
2. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118 (1974).
3. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, Zh. I. Alferov, D. L. Fedorov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1345 (1996) [Semiconductors 30, 1376 (1996)].
4. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, Zh. I. Alferov, D. L. Fedorov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1345 (1996) [Semiconductors 30, 1376 (1996)].
5. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982).
6. A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, S. V. Zaǐtsev, N. Yu. Gordeev, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 483 (1997) Semiconductors 31, 411 (1997)].
7. A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, S. V. Zaǐtsev, N. Yu. Gordeev, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 483 (1997) [Semiconductors 31, 411 (1997)].
8. R. P. Mirin, J. P. Ibbetson, K. Nishi, A. C. Gossard, and J. E. Bowers, Appl. Phys. Lett. 67, 3795 (1995).
9. D. I. Lubyshev, P. P. Gonzalez-Borrero, E. Marega, Jr., E. Petitprez, N. La Scala, Jr., and P. Basmaji, Appl. Phys. Lett. 68, 205 (1996).
10. A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 4216 (1997).
11. K. Mukai, N. Ohtsuka, M. Sugawara, and S. Yamazaki, Jpn. J. Appl. Phys. 33, L1710 (1994).
12. A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaǐtsev, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 105 (1997) [Semiconductors 31, 145 (1997)].
13. A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaǐtsev, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 105 (1997) [Semiconductors 31, 145 (1997)].