Modeling of indium diffusion and end-of-range defects in silicon using a kinetic Monte Carlo simulation

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 10, 2003, Pages 6396-6400

  Noda, Taiji ^a  

^a PANASONIC CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; COMPUTER SIMULATION; DIFFUSION IN SOLIDS; ION IMPLANTATION; MOLECULAR DYNAMICS; MONTE CARLO METHODS; POINT DEFECTS; SILICON;

DISLOCATION LOOPS; IMPLANT DOSE; INTERSTITIAL CLUSTERS;

INDIUM;

EID: 0344084269     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1621087     Document Type: Article

References (26)

1. I. C. Kizilyalli, T. L. Rich, F. A. Stevie, and C. S. Rafferty, J. Appl. Phys. 80, 4944 (1996).
2. D. A. Antoniadis and I. Moskowiz, J. Appl. Phys. 53, 9214 (1982).
3. P. B. Griffin, M. Cao, P. Vande Voorde, Y.-L. Chang, and W. M. Greene, Appl. Phys. Lett. 73, 2986 (1998).
4. H. Boudinov, J. P. de Souza, and C. K. Saul, J. Appl. Phys. 86, 5909 (1999).
5. K. Suzuki, H. Tashiro, and T. Aoyama, Solid-State Electron. 43, 27 (1999).
6. T. Noda, S. Odanaka, and H. Umimoto, J. Appl. Phys. 88, 4980 (2000).
7. T. Noda, J. Appl. Phys. 91, 639 (2002).
8. S. Solmi, A. Parisini, M. Bersani, D. Giubertoni, V. Soncini, G. Carnevale, A. Benvenuti, and A. Marmiroli, J. Appl. Phys. 92, 1361 (2002).
9. T. Noda, J. Appl. Phys. 93, 1428 (2003).
10. M. Jaraiz, G. H. Gilmer, J. M. Poate, and T. D. de la Rubia, Appl. Phys. Lett. 68, 409 (1996).
11. M. Jaraiz, L. Pelaz, E. Rubio, J. Barbolla, G. H. Gilmer, D. J. Eaglesham, H. J. Gossmann, and J. M. Poate, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 532, 43 (1998).
12. M. Jaraiz, P. Castrillo, R. Pinacho, I. Martin-Bragado, and J. Barbolla, in Proceedings of Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2001: SISPAD 2001 (Springer-Verlag, Berlin, 2001), p. 1.
13. L. Pelaz, M. Jaraiz, G. H. Gilmer, H.-J. Gossmann, C. S. Rafferty, D. J. Eaglesham, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 70, 2285 (1997).
14. M. J. Caturla, M. D. Johnson, and T. Diaz de la Rubia, Appl. Phys. Lett. 72, 2736 (1998).
15. R. Pinacho, P. Castrillo, M. Jaraiz, I. Martin-Bragado, J. Barbolla, H.-J. Gossman, G. H. Gilmer, and J.-L. Benton, J. Appl. Phys. 92, 1582 (2002).
16. Taurus Process and Device User Manual, (Synopsys, Inc., Mountainview, CA, 2002).
17. N. E. B. Cowern, G. Mannino, P. A. Stolk, F. Roozeboom, H. G. A. Huizing, J. G. M. van Berkum, F. Cristiano, A. Claverie, and M. Jaraiz, Phys. Rev. Lett. 82, 4460 (1999).
18. C. Bonafos, D. Mathiot, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 83, 3008 (1998).
19. F. Cristiano, J. Grisolia, B. Colombeau, M. Omri, B. de Mauduit, A. Claverie, L. F. Giles, and N. E. B. Cowern, J. Appl. Phys. 87, 8420 (2000).
20. J. Li and K. S. Jones, Appl. Phys. Lett. 73, 3748 (1998).
21. E. Lampin, V. Senez, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 85, 8137 (1999).
22. I. Avci, M. E. Law, E. Kuryliw, and K. S. Jones, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2001, 835 (2001).
23. R. Casali, H. Rucker, and M. Methfessel, Appl. Phys. Lett. 78, 913 (2001).
24. P. E. Blöchl, E. Smargiassi, R. Car, D. B. Laks, W. Andreoni, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 70, 2435 (1993).
25. T. Noda, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2001, 839 (2001).
26. L. Pelaz, L. A. Marques, M. Aboy, J. Barbolla, and G. H. Gilmer, Appl. Phys. Lett. 82, 2038 (2003).