Effects of end-of-range dislocation loops on transient enhanced diffusion of indium implanted in silicon

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 9, 2000, Pages 4980-4984

  Noda, T ^a   Odanaka, S ^a   Umimoto, H ^a  

^a PANASONIC CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001279756     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1314304     Document Type: Article

References (28)

1. P. A. Stolk et al., J. Appl. Phys. 81, 6031 (1997).
2. P. M. Fahey, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, Rev. Mod. Phys. 61, 289 (1989).
3. H.-J. Gossmann, T. E. Haynes, P. A. Stolk, D. C. Jacobson, G. H. Gilmer, J. M. Poate, H. S. Luftman, T. K. Mogi, and M. O. Thompson, Appl. Phys. Lett. 71, 3862 (1997).
4. D. J. Eaglesham, P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 65, 2305 (1994).
5. C. S. Rafferty, G. H. Gilmer, M. Jaraiz, D. Eaglesham, and H.-J. Gossmann, Appl. Phys. Lett. 68, 2395 (1996).
6. J. Li and K. S. Jones, Appl. Phys. Lett. 73, 3748 (1998).
7. R. Raman, M. E. Law, V. Krishnamoorthy, and K. S. Jones, Appl. Phys. Lett. 74, 700 (1999).
8. K. S. Jones and D. Venables, J. Appl. Phys. 69, 2931 (1991).
9. K. S. Jones, S. Prussin, and E. R. Weber, Appl. Phys. A: Solids Surf. 45, 1 (1988).
10. K. S. Jones, K. Moller, J. Chen, M. Puga-Lambers, B. Freer, J. Berstein, and L. Rubin, J. Appl. Phys. 81, 6051 (1997).
11. L. S. Robertson, M. E. Law, K. S. Jones, L. M. Rubin, J. Jackson, P. Chi, and D. S. Simons, Appl. Phys. Lett. 75, 3844 (1999).
12. W. Ostwald, Z. Phys. Chem., Stoechiom. Verwandtschaftsl. 34, 495 (1900).
13. B. Burton and M. V. Speight, Philos. Mag. A 53, 385 (1986).
14. G. Z. Pan, K. N. Tu, and A. Prussin, J. Appl. Phys. 81, 78 (1997).
15. C. Bonafos, D. Mathiot, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 83, 3008 (1998).
16. N. E. B. Cowern, Appl. Phys. Lett. 64, 2646 (1994).
17. P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, D. J. Eaglesham, D. C. Jacobson, J. M. Poate, and H. S. Luftman, Appl. Phys. Lett. 66, 568 (1995).
18. D. A. Antoniadis and I. Moskowiz, J. Appl. Phys. 53, 9214 (1982).
19. I. C. Kizilyalli, T. L. Rich, F. A. Stevie, and C. S. Rafferty, J. Appl. Phys. 80, 4944 (1996).
20. G. F. Cerofolini, G. Ferla, G. U. Pignatel, F. Riva, and G. Ottaviani, Thin Solid Films 101, 263 (1983).
21. K. Suzuki, H. Tashiro, and T. Aoyama, Solid-State Electron. 43, 27 (1999).
22. P. B. Griffin, M. Cao, P. Vande Voorde, Y.-L. Chang, and W. M. Greene, Appl. Phys. Lett. 73, 2986 (1998).
23. P. Blood, W. L. Brown, and G. L. Miller, J. Appl. Phys. 50, 173 (1979).
24. O. Dokumaci, P. Ronsheim, C. D'emic, A. G. Domenicucci, S. Hegde, P. Kozlowski, and H.-S. Wong, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 568, 205 (1999).
25. TSUPREM-4 User's Manual (Avant! Corporation, 1999).
26. H. Cerva and G. Hobler, J. Electrochem. Soc. 139, 3631 (1992).
27. M. D. Giles, J. Electrochem. Soc. 138, 1160 (1991).
28. L. Pelaz, G. H. Gilmer, M. Jaraiz, S. B. Herner, H.-J. Gossmann, D. J. Eaglesham, G. Hobler, C. S. Rafferty, and J. Barbolla, Appl. Phys. Lett. 73, 1421 (1998).