Evolution of end-of-range damage and transient enhanced diffusion of indium in silicon

Journal of Applied Physics

Volumn 91, Issue 2, 2002, Pages 639-645

  Noda, T ^a  

^a PANASONIC CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CZOCHRALSKI SILICON WAFERS; DEFECT GROWTH; DIFFUSION MODEL; DIFFUSION SYSTEMS; DISLOCATION LOOP; END-OF-RANGE DAMAGES; GROWTH STEPS; HIGH-TEMPERATURE ANNEALING; INDIUM SEGREGATION; INTERSTITIALS; NEAR SURFACE REGIONS; P-TYPE; PHYSICALLY BASED MODELS; POST-IMPLANTATION; TRANSIENT ENHANCED DIFFUSION;

DIFFUSION; ENHANCED RECOVERY; OSTWALD RIPENING; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; SILICON WAFERS; SURFACE SEGREGATION; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

INDIUM;

EID: 0037080710     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1421213     Document Type: Article

References (28)

1. I. C. Kizilyalli, T. L. Rich, F. A. Stevie, and C. S. Rafferty, J. Appl. Phys. 80, 4944 (1996).
2. D. A. Antoniadis and I. Moskowiz, J. Appl. Phys. 53, 9214 (1982).
3. P. B. Griffin, M. Cao, P. Vande Voorde, Y.-L. Chang, and W. M. Greene, Appl. Phys. Lett. 73, 2986 (1998).
4. H. Boudinov, J. P. de Souza, and C. K. Saul, J. Appl. Phys. 86, 5909 (1999).
5. G. Lulli, M. Bianconi, S. Solmi, E. Napolitani, and A. Carnera, J. Appl. Phys. 87, 8461 (2000).
6. S. Solmi, F. Baruffaldi, and M. Derdour, J. Appl. Phys. 71, 697 (1992).
7. B. de Mauduit, L. Laanab, C. Bergaud, M. M. Faye, A. Martinez, and A. Claverie, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 84, 190 (1994).
8. K. S. Jones, S. Prussin, and E. R. Weber, Appl. Phys. A: Solids Surf. 45, 1 (1988).
9. G. Z. Pan, K. N. Tu, and S. Prussin, Appl. Phys. Lett. 71, 659 (1997).
10. L. S. Robertson, K. S. Jones, L. M. Rubin, and J. Jackson, J. Appl. Phys. 87, 2910 (2000).
11. J. Li and K. S. Jones, Appl. Phys. Lett. 73, 3748 (1998).
12. R. Raman, M. E. Law, V. Krishnamoorthy, and K. S. Jones, Appl. Phys. Lett. 74, 700 (1999).
13. K. S. Jones, J. Liu, L. Zhang, V. Krishnamoorthy, and R. T. DeHoff, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 106, 227 (1995).
14. J. Liu, M. E. Law, and K. S. Jones, Solid-State Electron. 38, 1305 (1995).
15. W. Ostwald, Z. Phys. Chem., Stoechiom. Verwandtschaftsl. 34, 495 (1900).
16. B. Burton and M. V. Speight, Philos. Mag. A 53, 385 (1986).
17. G. Z. Pan, K. N. Tu, and A. Prussin, J. Appl. Phys. 81, 78 (1997).
18. C. Bonafos, D. Mathiot, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 83, 3008 (1998).
19. N. E. B. Cowern, G. Mannino, P. A. Stolk, F. Roozeboom, H. G. A. Huizing, J. G. M. van Berkum, F. Cristiano, A. Claverie, and M. Jaraiz, Phys. Rev. Lett. 82, 4460 (1999).
20. E. Lampin, V. Senez, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 85, 8137 (1999).
21. T. Noda, S. Odanaka, and H. Umimoto, J. Appl. Phys. 88, 4980 (2000).
22. F. Cristiano, J. Grisolia, B. Colombeau, M. Omri, B. de Mauduit, A. Claverie, L. F. Giles, and N. E. B. Cowern, J. Appl. Phys. 87, 8420 (2000).
23. C. S. Rafferty, G. H. Gilmer, M. Jaraiz, D. Eaglesham, and H.-J. Gossmann, Appl. Phys. Lett. 68, 2395 (1996).
24. TSUPREM-4 User's Manual (Avant! Corporation, 2001).
25. M. D. Giles, J. Electrochem. Soc. 138, 1160 (1991).
26. K. Moller, K. S. Jones, and M. E. Law, Appl. Phys. Lett. 72, 2547 (1998).
27. R. Raman, M. E. Law, V. Kirshnamoorthy, K. S. Jones, and S. B. Herner, Appl. Phys. Lett. 74, 1591 (1999).
28. D. R. Lim, C. S. Rafferty, and F. P. Klemens, Appl. Phys. Lett. 67, 2302 (1995).