Relaxation processes of photoexcited carriers in GaAs/AlAs multiple quantum well structures grown by molecular beam epitaxy at low temperatures

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 5, 2003, Pages 3173-3180

  Rath, M C ^a   Araya, T ^a   Kumazaki, S ^a   Yoshihara, K ^a   Otsuka, N ^a  

^a JAPAN ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ABSORPTION SPECTROSCOPY; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; PHOTONS; RELAXATION PROCESSES; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

PHOTON ENERGY;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 0141633839     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1595142     Document Type: Article

References (29)

1. J. F. Whitaker, in Properties of Gallium Arsenide, 3rd ed., edited by M. R. Brozel and G. E. Stillman (INSPEC, London, 1996), p. 693.
2. M. R. Melloch, N. Otsuka, J. M. Woodall, A. C. Warren, and J. L. Freeouf, Appl. Phys. Lett. 57, 1531 (1990).
3. P. A. Loukakos, C. Kalpouzos, I. E. Perakis, Z. Hatzopoulos, M. Logaki, and C. Fotakis, Appl. Phys. Lett. 79, 2883 (2001).
4. H. Ruda and A. Shik, Phys. Rev. B 63, 085203 (2001).
5. S. D. Benjamin, H. S. Loka, A. Othonos, and P. W. E. Smith, Appl. Phys. Lett. 68, 2544 (1996).
6. P. Grenier and J. F. Whitaker, Appl. Phys. Lett. 70, 1998 (1997).
7. T. S. Sosnowski, T. B. Norris, H. H. Wang, P. Grenier, J. F. Whitaker, and C. Y. Sung, Appl. Phys. Lett. 70, 3245 (1997).
8. M. Stellmatcher, J. P. Schnell, D. Adam, and J. Nagle, Appl. Phys. Lett. 74, 1239 (1999).
9. S. Gupta, M. Y. Frankel, J. A. Valdmanis, J. F. Whitaker, G. A. Mourou, F. W. Smith, and A. R. Calawa, Appl. Phys. Lett. 59, 3276 (1991).
10. U. Siegner, R. Fluck, G. Zhang, and U. Keller, Appl. Phys. Lett. 69, 2566 (1996).
11. M. Haiml, U. Siegner, F. Morier-Genoud, U. Keller, M. Luysberg, P. Specht, and E. R. Weber, Appl. Phys. Lett. 74, 1269 (1999)
12. M. Haiml, U. Siegner, F. Morier-Genoud, U. Keller, M. Luysberg, R. C. Lutz, P. Specht, and E. R. Weber, Appl. Phys. Lett. 74, 3134 (1999).
13. T. Okuno, Y. Masumoto, M. Ito, and H. Okamoto, Appl. Phys. Lett. 77, 58 (2000).
14. M. Stellmacher, J. Nagle, J. F. Lampin, P. Santoro, J. Vaneecioo, and A. Alexandra, J. Appl. Phys. 88, 6026 (2000).
15. A. J. Lochtefeld, M. R. Melloch, J. C. P. Chang, and E. S. Harmon, Appl. Phys. Lett. 69, 1465 (1996).
16. R. Yano, Y. Hirayama, S. Miyashita, H. Sasabu, N. Uesugi, and S. Uehara, Phys. Lett. A 289, 93 (2001).
17. D. S. Chemla and D. A. B. Miller, J. Opt. Soc. Am. B 2, 1155 (1985).
18. A. Suda and N. Otsuka, Surf. Sci. 458, 162 (2000).
19. M. Luysberg, H. Sohn, A. Prasad, P. Specht, Z. Liliental-Weber, E. R. Weber, J. Gebauer, and R. Krause-Rehberg, J. Appl. Phys. 83, 561 (1998).
20. W. Shockley and W. T. Read, Phys. Rev. 87, 835 (1952).
21. R. N. Hall, Phys. Rev. 87, 387 (1952).
22. S. Fukushima, T. Obata, and N. Otsuka, J. Appl. Phys. 89, 380 (2001).
23. S. A. Merritt and M. Dagenais, J. Electrochem. Soc. 140, L138 (1993).
24. D. A. B. Miller, D. S. Chemla, D. J. Eilenberger, P. W. Smith, A. C. Gossard, and W. Wiegmann, Appl. Phys. Lett. 42, 925 (1983).
25. S. Schmitt-Rink, D. S. Chemla, and D. A. B. Miller, Phys. Rev. B 32, 6601 (1985).
26. D. S. Chemla, D. A. B. Miller, P. W. Smith, A. C. Gossard, and W. Wiegmann, IEEE J. Quantum Electron. QE-20, 265 (1984).
27. P. Silverberg, P. Omling, and L. Samuelson, Appl. Phys. Lett. 52, 1689 (1988).
28. W. H. Knox, C. Hirlimann, D. A. B. Miller, J. Shah, D. S. Chemla, and C. V. Shank, Phys. Rev. Lett. 56, 1191 (1986).
29. J. Krüger, Y. C. Shih, L. Xiao, C. L. Wang, J. D. Morse, M. Rogalla, K. Runge, and E. R. Weber, Proc. IEEE SIMC-9, 345 (1996).