Electrical properties of nearly stoichiometric GaAs grown by molecular beam epitaxy at low temperature

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 1, 2001, Pages 380-385

  Fukushima, S ^a   Obata, T ^a   Otsuka, N ^a  

^a JAPAN ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000822942     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1330765     Document Type: Article

References (33)

1. N. X. Nguyen and U. K. Mishra, in Properties of Gallium Arsenide, 3rd ed., edited by M. R. Brozel and G. E. Stillman (INSPEC, London, 1996), p. 689.
2. J. F. Whitaker, in Properties of Gallium Arsenide, 3rd ed., edited by M. R. Brozel and G. E. Stillman (INSPEC, London, 1996), p. 693.
3. A. C. Warren, N. Katzenellenbogen, D. Grischkowsky, J. M. Woodall, M. R. Melloch, and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 58, 1512 (1991).
4. E. R. Brown, F. W. Smith, and K. A. McIntosh, J. Appl. Phys. 73, 1480 (1993).
5. H. M. Heiliger, M. Vosseburger, H. G. Roskos, H. Kurz, R. Hey, and K. Ploog, Appl. Phys. Lett. 69, 2903 (1996).
6. I. Lahili, D. D. Nolte, E. S. Harmon, M. R. Melloch, and J. M. Woodall, Appl. Phys. Lett. 66, 2519 (1995).
7. R. Takahashi, Y. Kawamura, and H. Iwamura, Appl. Phys. Lett. 68, 153 (1996).
8. M. Haiml, U. Siegner, F. Morier-Genoud, U. Keller, M. Luysberg, P. Specht, and E. R. Weber, Appl. Phys. Lett. 74, 1269 (1999).
9. Z. Liliental-Weber, W. Swider, K. M. Yu, J. Kortright, F. W. Smith, and A. R. Carawa, Appl. Phys. Lett. 58, 2153 (1991).
10. X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E. R. Weber, Z. Liliental-Weber, and W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett. 67, 279 (1995).
11. G. B. Bachelet, M. Schluter, and G. A. Baraff, Phys. Rev. B 27, 2545 (1983).
12. M. Kaminska, E. R. Weber, Z. Liliental-Weber, R. Leon, and Z. U. Rek, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 710 (1989).
13. D. E. Bliss, W. Walukiewicz, J. W. Ager, E. E. Haller, K. T. Chan, and S. Tanigawa, J. Appl. Phys. 72, 2850 (1992).
14. G. A. Baraff and M. Schluter, Phys. Rev. Lett. 55, 1327 (1985).
15. J. I. Landman, C. G. Morgan, and J. T. Schick, Phys. Rev. Lett. 74, 4007 (1995).
16. R. E. Pritchard, S. A. McQuaid, L. Hart, R. C. Newman, J. Makinen, H. J. von Bardelehen, and M. Missous, J. Appl. Phys. 78, 2411 (1995).
17. M. Luysberg, H. Sohn, A. Prasad, P. Specht, Z. Liliental-Weber, E. R. Weber, J. Gebauer, and R. Krause-Rehberg, J. Appl. Phys. 83, 561 (1998).
18. S. D. Benjamin, H. S. Loka, A. Othonons, and P. W. Smith, Appl. Phys. Lett. 68, 2544 (1996).
19. A. J. Lochtefeld, M. R. Melloch, J. C. P. Chang, and E. S. Harmon, Appl. Phys. Lett. 69, 1465 (1996).
20. U. Sieger, R. Fluck, G. Zhang, and U. Keller, Appl. Phys. Lett. 69, 2566 (1996).
21. P. Grenier and J. F. Whitaker, Appl. Phys. Lett. 70, 1998 (1997).
22. T. S. Sosnowski, T. B. Norris, H. H. Wang, P. Grenier, J. F. Whitaker, and C. Y. Sung, Appl. Phys. Lett. 70, 3245 (1997).
23. G. Segschneider, T. Dekorsy, H. Kurz, R. Hey, and K. Ploog, Appl. Phys. Lett. 71, 2779 (1997).
24. C. Kadow, S. B. Fleischer, J. P. Ibbetson, J. E. Bowers, and A. C. Gossard, Appl. Phys. Lett. 75, 2575 (1999).
25. A. Krotkus, K. Bertulis, L. Dapkus, U. Olin, and S. Marcinkevicius, Appl. Phys. Lett. 75, 3336 (1999).
26. S. O'Hagan and M. Missous, J. Appl. Phys. 75, 7835 (1994).
27. A. Suda and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 73, 1529 (1998).
28. A. Suda and N. Otsuka, Surf. Sci. 458, 162 (2000).
29. C. T. Foxon and B. A. Joyce, Surf. Sci. 50, 434 (1975).
30. M. Missous and S. O'Hagan, J. Appl. Phys. 75, 3396 (1994).
31. A. R. Avery, J. Sudijiono, D. M. Holmes, T. S. Jones, and B. A. Joyce, Appl. Phys. Lett. 66, 3200 (1995).
32. H. Sano, A. Suda, T. Hatanaka, G. Mizutani, and N. Otsuka, J. Appl. Phys. (in press).
33. H. Rupprecht, J. M. Woodall, K. Konnerth, and D. G. Pettit, Appl. Phys. Lett. 9, 221 (1966).