Growth-temperature dependent property of GaN barrier layer and its effect on InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 42, Issue 4, 2003, Pages 557-561

  Moon, Yong Tae ^a   Lee, Hyun Hwi ^a   Noh, Do Young ^a   Park, Seong Ju ^a   Kim, Dong Joon ^b   Park, Jin Sub ^b   Oh, Jeong Tak ^b  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

^b Samsung Electro Mechanics   (South Korea)

Author keywords

InGaN GaN multiple quantum wells; Metalorganic chemical vapor deposition

Indexed keywords

EID: 0038745759     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (22)

1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
2. M. G. Cheong, R. J. Choi, C. S. Kim, H. S. Yoon, C. H. Hong, E. K. Suh, H. J. Lee, H. K. Cho and J. Y. Lee, J. Korean Phys. Soc. 38, 701 (2001).
3. S. C. Choi, Y. H. Song, S. L. Jeon, H. J. Jang, G. M. Yang, H. K. Cho and J. Y. Lee, J. Korean Phys. Soc. 38, 413 (2001).
4. Y. T. Moon, D. J. Kim, K. M. Song, D. W. Kim, M. S. Yi, D. Y. Noh and S. J. Park, J. Vac. Sci. Tech. B 18, 2631 (2000).
5. S. Keller, S. F. Chichibu, M. S. Minsky, E. Hu, U. K. Mishra and S. P. DenBaars, J. Cryst. Growth 195, 258 (1998).
6. Y. H. Cho, J. J. Song, S. Keller, M. S. Minsky, E. Hu, U. K. Mishra and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 1128 (1998).
7. N. Duxbury, U. Bangert, P. Dawson, E. T. Thrush, W. Van der Stricht, K. Jacobs and I. Moerman, Appl. Phys. Lett. 76, 1600 (2000).
8. F. Scholz, J. Off, E. Fehrenbacher, O. Gfrörer and G. Brockt, Phys. Stat. Sol. (a) 180, 315 (2000).
9. M. Lünenbürger, H. Protzmann, M. Heuken and H. Jürgensen, Phys. Stat. Sol. (a) 176, 727 (1999).
10. Y. T. Moon, D. J. Kim, K. M. Song, C. J. Choi, S. H. Han, T. Y. Seong and S. J. Park, J. Appl. Phys. 89, 6514 (2001).
11. J. S. Park, Y. T. Moon, D. J. Kim, J. T. Oh and S. J. Park, The 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS4) (Denver, Colorado, July, 2001), p. 17.
12. G. B. Stephenson, J. A. Eastman, C. Thompson, O. Auciello, L. J. Thompson, A. Munkholm, P. Fini, S. P. DenBaars and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 74, 3326 (1999).
13. C. H. Chen, H. Liu, D. Steigerwald, W. Imler, C. P. Kuo and M. G. Craford, J. Electron. Mater. 25, 1004 (1996).
14. F. A. Ponce, D. P. Bour, W. Gotz and P. J. Wright, Appl. Phys. Lett. 68, 57 (1996).
15. J. Neugebauer and C. G. van de Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996).
16. R. Zhang and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 72, 1611 (1998).
17. D. W. Jenkins and J. D. Dow, Phys. Rev. B 39, 3317 (1989).
18. R. K. Ahrenkiel and M. S. Lundstrom, Minority Carriers in III-V Semiconductors: Physics and Applications (Academic Press, San Diego, 1993).
19. H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 73, 821 (1998).
20. A. Munkholm, C. Thompson, C. M. Foster, J. A. Eastman, O. Auciello, G. B. Stephenson, P. Fini, S. P. Den-Baars and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 72, 2972 (1998).
21. X. H. Wu, D. Kapolnek, E. J. Tarsa, B. Heying, S. Keller, B. P. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 68, 1371 (1996).
22. J. W. Yang, J. N. Kuznia, Q. C. Chen, M. A. Khan, T. George, M. D. Graef and S. Mahajan, Appl. Phys. Lett. 67, 3759 (1995).