Effects of growth interruption on high indium content InGaN/GaN multi quantum wells

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 38, Issue 6, 2001, Pages 701-705

  Cheong, M G ^a   Choi, R J ^a   Kim, C S ^a   Yoon, H S ^a   Hong, C H ^a   Suh, E K ^a   Lee, H J ^a   Cho, H K ^b   Lee, J Y ^b  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

^b Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035534278     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (24)

1. S. Nakamura, M. Senob, N. Iwasa and S. Nagaham, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. Part 1 34, 797 (1995).
2. F. A. Ponce and D. P. Bour, Nature (London) 386, 351 (1997).
3. M. G. Cheong, K. S. Kim, C. S. Kim, R. J. Choi, C.-H. Hong, E.-K. Suh and H. J. Lee. Accepted in J. Korean Phys. Soc.
4. K. Uchida, M. Kawata, T. Yang, S. Toto, T. Mishima, A. Niwa and J. Gotoh, J. Elect. Mat. 28, 246 (1999).
5. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
6. M. D. McCluskey, L. T. Romano, B. S. Krusor and D. P. Bour, Appl. Phys. Lett. 72, 1730 (1998).
7. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sato and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 70, 2822 (1997).
8. K. Domen, A. Kuramata and T. Tanashashi, Appl. Phys. Lett. 72, 1539 (1998).
9. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yaniada, T. Matsushita, Y. Sugaimoto and H. Kikyokau, Appl. Phys. Lett. 70, 2753 (1997).
10. Y. H. Cho, G. H. Gainer, A. J. Fischer, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra and S. P. DenBaars. Appl. Phys. Lett. 73, 1370 (1998).
11. P. Perlin, Appl. Phys. Lett. 73, 2778 (1998).
12. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragwa and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 36, L382 (1997).
13. M. D. Nardell, K. Rapcewic and J. Bernhol, Appl. Phys. Lett. 71, 3135 (1997).
14. N. A. Shapiro, P. Perlin, C. Kisielowski, L. S. Mattos, J. W. Yang and E. E. Weber, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5 (2000).
15. S. Mahanty, M. Hao, T. Sugahara, R. S. Q. Fareed, Y. Morishima, Y. Naoi, T. Wang and S. Sakai, Materials Lett. 41, 07 (1999).
16. C. J. Sun, M. Zubair Anwar, Q. Chen, J. W. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, A. D. Byhhovski, Z. Liliental-Weber, C. Kisielowski, M. Smith, J. Y. Lin and H. X. Xiang, Appl. Phys. Lett. 70, 2978 (1997).
17. H. K. Cho, J. Y. Lee, K. S. Kim and G. M. Yang, Appl. Phys. Lett. 247, 77 (2000).
18. K. Hiramatsu, Y. Kawaguchi, M. Shimizu, N. Sawaki, T. Zheleva, R. F. Davis, H. Tsuda, W.Taki, N. Kuwano and K. Oki, Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 2, 6 (1997).
19. I. H. Kim, H. S. Park, Y. I. Park and T. Kim, Appl. Phys. Lett. 73, 1634 (1998).
20. J. P. Hirthe and J. Lothe, Theory of Dislocations (Wiley and Sons, 1982), Chap. 3.
21. P. G. Elixeev, P. Perlin, J. Lee and M. Osinski. Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).
22. S. Sakai, J. Korean Phys. Soc. 34, S240 (1999).
23. E. J. Shin, N. W. Song, J. I. Lee, D. Kim, M. Y. Ryu, P. W. Yu, D. Lee, Y-H. Choi and C.-H. Hong, J. Korean Phys. Soc. 34, S374 (1999).
24. M. Y. Ryu, P. W. Yu, E. J. Shin, J. I. Lee, S. K. Yu, E. S. Oh, Y. J. Par, H. S. Park and T. I. Kim, J. Korean Phys. Soc. 37, 387 (2001).