Exciton localization and quantum efficiency - A comparative cathodoluminescence study of (In,Ga)N/GaN and GaN/(Al,Ga)N quantum wells

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 2, 2003, Pages 1048-1053

  Jahn, U ^a   Dhar, S ^a   Brandt, O ^a   Grahn, H T ^a   Ploog, K H ^a   Watson, I M ^b  

^a PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

^b UNIVERSITY OF STRATHCLYDE   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATHODOLUMINESCENCE; ELECTRIC FIELD EFFECTS; EXCITONS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; QUANTUM EFFICIENCY; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EXCITON LOCALIZATION;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 0037439461     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1529993     Document Type: Article

References (40)

1. B. Monemar, J. P. Bergman, J. Dalfors, G. Pozina, B. E. Sernelius, P. O. Holtz, H. Amano, and I. Akasaki, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4, 16 (1999).
2. R. Cingolani, A. Botchkarev, H. Tang, H. Morkoç, G. Traetta, G. Coli, M. Lomascolo, A. Di Carlo, F. Della Sala, and P. Lugli, Phys. Rev. B 61, 2711 (2000).
3. A. Thamm, O. Brandt, J. Ringling, A. Trampert, K. H. Ploog, O. Mayrock, H.-J. Wünsche, and F. Henneberger, Phys. Rev. B 61, 16 025 (2000).
4. F. Della Sala, A. Di Carlo, P. Lugli, F. Bernardi, V. Fiorentini, R. Scholz, and J.-M. Jancu, Appl. Phys. Lett. 74, 2002 (1999).
5. K. P. O'Donnell, R. W. Martin, and P. G. Middleton, Phys. Rev. Lett. 82, 237 (1999).
6. Y.-S. Lin, K.-J. Ma, C. Hsu, S.-W. Feng, Y.-C. Cheng, C.-C. Liao, C. C. Yang, C.-C. Chou, C.-M. Lee, and J.-I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 77, 2988 (2000).
7. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, Shizuo Fujita, Shigeo Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
8. A. Vertikov, A. V. Nurmikko, K. Doverspike, G. Bulman, and J. Edmond, Appl. Phys. Lett. 73, 493 (1998).
9. U. Jahn, O. Brandt, A. Trampert, P. Waltereit, R. Hey, and K. H. Ploog, Mater. Sci. Eng. B 91-92, 329 (2002).
10. P. Waltereit, O. Brandt, J. Ringling, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 64, 245305 (2001).
11. S. F. Chichibu, T. Sota, K. Wada, S. p. DenBaars, and S. Nakamura, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.7 (1999).
12. Y. Narukawa, Y. Kawakami, Shizuo Fujita, Shigeo Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 55, R1938 (1997).
13. X. Zhang, D. H. Rich, J. T. Kobayashi, N. P. Kobayashi, and P. D. Dapkus, Appl. Phys. Lett. 73, 1430 (1998).
14. M. Pophristic, F. H. Long, C. Tran, and I. T. Ferguson, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W11.58 (2000).
15. Y. Narukawa, S. Saijou, Y. Kawakami, S. Fujita, T. Mukai, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 74, 558 (1999).
16. Y. Narukawa, Y. Kawakami, S. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 59, 10 283 (1999).
17. E. Berkowicz, D. Gershoni, G. Bahir, E. Lakin, D. Shilo, E. Zolotoyabko, A. C. Abare, S. P. DenBaars, and L. A. Coldren, Phys. Rev. B 61, 10 994 (2000).
18. P. Lefebvre, J. Allègre, B. Gil, A. Kavokine, H. Mathieu, W. Kim, A. Salvador, A. Botchkarev, and H. Morkoç, Phys. Rev. B 57, R9447 (1998).
19. A. Hangleiter, J. S. Im, H. Kollmer, S. Heppel, J. Off, and F. Scholz, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 15 (1998).
20. J. C. Harris, T. Someya, S. Kako, K. Hoshino, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 77, 1005 (2000).
21. P. Riblet, H. Hirayama, A. Kinoshita, A. Hirata, T. Sugano, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 75, 2241 (1999).
22. M. Leroux, N. Grandjean, M. Laügt, J. Massies, B. Gil, P. Lefebvre, and P. Bigenwald, Phys. Rev. B 58, R13 371 (1998).
23. R. Lager, J. Simon, V. Ortiz, N. T. Pelekanos, A. Barski, R. André, and M. Godlewski Appl. Phys. Lett. 74, 3827 (1999).
24. S.-H. Park and S.-L. Chuang, Appl. Phys. Lett. 76, 1981 (2000).
25. A. Bonfiglio, M. Lomascolo, G. Traetta, R. Cingolani, A. Di Carlo, F. Della Sala, P. Lugli, A. Botchkarev, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 87, 2289 (2000).
26. S. Dhar, U. Jahn, O. Brandt, P. Waltereit, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 81, 673 (2002).
27. G. Beadie, W. S. Rabinovich, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, S. C. Binari, and J. A. Freitas, Jr., Appl. Phys. Lett. 71, 1092 (1997).
28. M. T. Hirsch, J. A. Wolk, W. Walukiewicz, and E. E. Haller, Appl. Phys. Lett. 71, 1098 (1997).
29. C. H. Qiu and J. I. Pankove, Appl. Phys. Lett. 70, 1983 (1997).
30. C. V. Reddy, K. Balakrishnan, O. Okumura, and S. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 73, 244 (1998).
31. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, M. Shin, M. Skowronski, and D. W. Greve, J. Appl. Phys. 84, 870 (1998).
32. X. Z. Dang, C. D. Wang, E. T. Yu, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 72, 2745 (1998).
33. H. C. Yang, T. Y. Lin, and Y. F. Chen, Appl. Phys. Lett. 78, 338 (2001).
34. S. J. Chung, O. H. Cha, Y. S. Kim, C.-H. Hong, H. J. Lee, M. S. Jeong, J. O. White, and E.-K. Suh, J. Appl. Phys. 89, 5454 (2001).
35. I. K. Shmagin, J. F. Muth, R. M. Kolbas, M. P. Mack, A. C. Abare, S. Keller, L. A. Coldren, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 71, 1455 (1997).
36. Y. C. Chang, A. L. Cai, M. A. L. Johnson, J. F. Muth, R. M. Kolbas, Z. J. Reitmeier, S. Einfeldt, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 80, 2675 (2002).
37. S. Dhar and S. Ghosh, Appl. Phys. Lett. 80, 4519 (2002).
38. Y. C. Chang, A. E. Oberhofer, J. F. Muth, R. M. Kolbas, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 79, 281 (2001).
39. R. Pecharromán-Gallego, P. R. Edwards, R. W. Martin, and I. M. Watson, Mater. Sci. Eng. B 93, 94 (2002).
40. C. J. Wu and D. B. Wittry, J. Appl. Phys. 49, 2827 (1978).