Role of annealing conditions and surface treatment on ohmic contacts to p-GaN and P-Al0.1Ga0.9N/GaN superlattices

Applied Physics Letters

Volumn 79, Issue 22, 2001, Pages 3636-3638

  Zhang, A P ^a   Luo, B ^a   Johnson, J W ^a   Ren, F ^a   Han, J ^b   Pearton, S J ^c  

^a University of Florida   (United States)

^b Yale University   (United States)

^c UNIVERSITY OF FLORIDA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035956179     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1423387     Document Type: Article

References (30)

1. M. Murakami and Y. Koide, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 23, 1 (1998).
2. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, K. K. Shih, L. C. Chen, F. R. Chen, and J. J. Kai, J. Appl. Phys. 86, 4491 (1999).
3. L. C. Chen, F. R. Chen, J. J. Kai, L. Chang, J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, C. Y. Chen, and K. K. Shih, J. Appl. Phys. 86, 3826 (1999).
4. Y. Koide, T. Maeda, T. Kawakami, S. Fujita, T. Uemura, N. Shibata, and M. Murakami, J. Electron. Mater. 28, 341 (1999).
5. B. A. Hull, S. E. Mokhey, H. S. Venugopalan, and J. C. Rana., Appl. Phys. Lett. 76, 2271 (2000).
6. M. Suzuki, T. Kawakami, T. Arai, S. Kobayashi, Y. Koide, T. Uemura, N. Shibata, and M. Murakami, Appl. Phys. Lett. 74, 275 (1999).
7. J. S. Jang, S. J. Park, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 76, 2898 (2000).
8. X. A. Cao, S. J. Pearton, F. Ren, and J. R. Lothian, Appl. Phys. Lett. 73, 942 (1998).
9. T. Maeda, Y. Koide, and M. Murakami, Appl. Phys. Lett. 75, 4145 (1999).
10. L. C. Chen, J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, K. K. Shih, F.-R. Chen, J.-J. Kai, and L. Chang, Appl. Phys. Lett. 76, 3703 (2000).
11. E. Kaminska, A. Piotrowska, A. Barcz, D. Bour, M. Zielinski, and J. Jusiaski, Mater. Sci. Eng., B 82, 265 (2001).
12. J. Lee, J. K. Kim, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. I. Kim, Solid-State Electron. 43, 435 (1999).
13. J. K. Kim, J.-L. Lee, J. W. Lee, H. E. Shin, Y. J. Park, and T. Kim, Appl. Phys. Lett. 73, 2953 (1998).
14. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, P. L. Koh, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, and W. C. Hung, Appl. Phys. Lett. 74, 2340 (1999).
15. C. H. Kuo, J. K. Sheu, Y. C. Chi, Y. L. Huang, and T. W. Yeh, Solid-State Electron. 45, 1788 (2001).
16. C. F. Chu, C. C. Yu, Y. K. Wang, J. Y. Tsai, F. I. Lai, and S. C. Wang, Appl. Phys. Lett. 77, 3423 (2000).
17. J. S. Jang and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 76, 2743 (2000).
18. P. Kozodoy, Y. P. Smorchkova, M. Hansen, H. Xing, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, A. W. Saxler, R. Perrin, and W. C. Mitchel, Appl. Phys. Lett. 75, 2444 (1999).
19. M. S. Shur, A. D. Bykhovski, R. Gaska, J. W. Yang, G. Simin, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 76, 3061 (2000).
20. I. D. Goepfert, E. F. Schubert, A. Osinsky, P. E. Morris, and N. N. Faleev, J. Appl. Phys. 88, 2030 (2000).
21. E. F. Schubert, W. Grieshaber, and I. D. Goepfert, Appl. Phys. Lett. 69, 3737 (1996).
22. I. D. Geopfert, E. F. Schubert, A. Osinsky, and P. E. Morris, Electron. Lett. 35, 1109 (1999).
23. P. Kozodoy, M. Hansen, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 74, 3681 (1999).
24. K. Kumakura, T. Makinoto, and N. Kobaysashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L195 (2000).
25. J. Han, J. J. Figiel, G. A. Pedersen, S. M. Myers, M. H. Crowfred, and M. A. Banas, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 2372 (2000).
26. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senah, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, 1258 (1992).
27. S. J. Pearton, J. L. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
28. J.-L. Lee, M. Weber, J. K. Kim, J. W. Lee, Y. J. Park, T. Kim, and K. Lynn, Appl. Phys. Lett. 74, 2289 (1999).
29. Y.-L. Li, E. F. Schubert, J. W. Graff, A. Osinsky, and W. F. Schaff, Appl. Phys. Lett. 76, 2728 (2000).
30. L. Chernyak, A. Osinsky, V. Fuflyigin, and E. F. Schubert, Appl. Phys. Lett. 77, 875 (2000).