A mechanism for the multiple atomic configurations of inversion domain boundaries in GaN layers grown on Si(111)

Applied Physics Letters

Volumn 79, Issue 22, 2001, Pages 3588-3590

  Sanchez, A M ^a,b   Nouet, G ^a   Ruterana, P ^a   Pacheco, F J ^b   Molina, S I ^b   Garcia, R ^b  

^a LABORATOIRE CRISMAT   (France)

^b UNIVERSITY OF CÁDIZ   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035956120     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1396322     Document Type: Article

References (35)

1. S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
2. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
3. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
4. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995).
5. T. W. Weeks, Jr., M. D. Bremser, K. S. Ailey, E. Carlson, W. G. Perry, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 67, 401 (1995).
6. M. Fatemi, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, M. E. Twigg, J. A. Freitas, Jr., R. L. Henry, and R. J. Gorman, Appl. Phys. Lett. 73, 608 (1998).
7. K. S. Stevens, A. Othani, A. F. Schwartzman, and R. Beresford, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1186 (1994).
8. J. W. Yang, C. J. Sun, Q. Chen, M. Z. Anwar, M. A. Khan, S. A. Nikishin, G. A. Seryogin, A. V. Osinsky, L. Chernyak, H. Temkin, C. Hu, and S. Mahajan, Appl. Phys. Lett. 69, 3566 (1996).
9. S. Guha and N. Bojarczuk, Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998).
10. E. Rehole, M. Zhou, L. Zhang, N. R. Perkins, S. E. Babcock, and T. F. Kuech, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G3.56 (1999).
11. M. A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, F. J. Sanchez, F. Calle, E. Monroy, D. Basak, E. Muñoz, C. Villar, A. Sanz-Hervas, M. Aguilar, J. J. Serrano, and J. M. Blanco, J. Electron. Mater. 27, 276 (1998).
12. D. M. Follstaedt, J. Han, P. Provencio, and J. G. Fleming, MRS Interret J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G3.72 (1999).
13. S. I. Molina, A. M. Sanchez, F. J. Pacheco, R. Garcia, M. A. Sanchez-Garcia, F. J. Sanchez, and E. Calleja, Appl. Phys. Lett. 74, 3362 (1999).
14. V. Potin, G. Nouet, and P. Ruterana, Appl. Phys. Lett. 74, 947 (1999).
15. V. Potin, G. Nouet, and P. Ruterana, Philos. Mag. A 79, 2899 (1999).
16. V. Potin, P. Ruterana, and G. Nouet, J. Appl. Phys. 82, 2176 (1997).
17. L. T. Romano, J. E. Northrup, and M. A. O'Keefe, Appl. Phys. Lett 69, 2394 (1996).
18. S. B. Austerman and W. G. Gehman, J. Mater. Sci. 1, 249 (1966).
19. D. B. Holt, J. Phys. Chem. Solids 30, 1297 (1969).
20. J. E. Northrup, J. Neugebauer, and L. T. Romano, Phys. Rev. Lett. 77, 103 (1996).
21. T. Palacios, F. Calle, M. Varela, C. Ballesteros, E. Monroy, F. B. Narunjo, M. A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, and E. Munoz, Semicond. Sci. Technol. 15, 996 (2000).
22. P. A. Stadelmann, Ultramicroscopy 21, 131 (1987).
23. R. Serneels, M. Snykers, P. Delavignette, R. Gevers, and S. Amelinckx, Phys. Status Solidi B 58, 277 (1973).
24. A. M. Sánchez, F. J. Pacheco, S. I. Molina, R. Garcia, P. Ruterana, M. A. Sánchez-Garcia, and E. Calleja, Appl. Phys. Lett. 78, 2688 (2001).
25. T. D. Moustakas, T. Lei, and R. J. Molnar, Phys. Rev. B 185, 36 (1993).
26. Z. Liliental-Weber, C. Kisielowski, S. Ruminov, Y. Chen, and J. Washburn, J. Electron. Mater. 25, 1545 (1995).
27. X. H. Wu, L. M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S. P. Den-Baars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 80, 3228 (1996).
28. F. A. Ponce, J. S. Major, W. E. Plano, and D. F. Welch, Appl. Phys. Lett. 65, 2302 (1994).
29. N. E. Lee, R. C. Powell, Y. W. Kim, and J. E. Greene, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 2293 (1995).
30. A. F. Wright, J. Appl. Phys. 82, 5259 (1997).
31. C. Stampfl and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 57, R15052 (1998).
32. P. Vermaut, P. Ruterana, and G. Nouet, Philos. Mag. A 76, 1215 (1997).
33. V. Potin, R. Ruterana, and G. Nouet, J. Phys.: Condens. Matter 12, 10301 (2000).
34. B. Daudin, J. L. Rouviere, and M. Arlery, Appl. Phys. Lett. 69, 2480 (1996).
35. V. Potin, Ph.D. University of Caen, 1999.