Formation of Hf ohmic contacts by surface treatment of n-GaN in KOH solutions

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 19, Issue 5, 2001, Pages 1976-1980

  Chung, Ming Shaw ^a   Lin, Wen Tai ^a   Gong, J R ^b  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b FENG CHIA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; CARRIER CONCENTRATION; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC RESISTANCE; ENERGY GAP; FERMI LEVEL; INTERFACES (MATERIALS); METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; OHMIC CONTACTS; ORGANIC SOLVENTS; POTASSIUM COMPOUNDS; SOLUTIONS; SURFACE TREATMENT; THERMOOXIDATION; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

CONTAMINANTS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0035440744     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1406157     Document Type: Article

References (28)

1. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 228, L2112 (1989).
2. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
3. M. A. Khan, J. N. Kuznia, A. R. Bhattari, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 62, 1786 (1993).
4. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
5. L. L. Smith, R. F. Davis, M. J. Kim, R. W. Carpenter, and Y. Huang, J. Mater. Res. 11, 2257 (1996).
6. Y. F. Wu, W. N. Jiang, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, S. P. Denbaars, U. K. Mishra, and B. Wilson, Solid-State Electron. 41, 165 (1997).
7. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. F. Fang, L. H. Allen, and H. Markoc, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
8. A. T. Ping, M. A. Khan, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 25, 819 (1996).
9. B. P. Luther, S. E. Mohney, T. N. Jackson, M. A. Khan, Q. Chen, and J. W. Yang, Appl. Phys. Lett. 70, 57 (1997).
10. B. P. Luther, J. M. Delucca, S. E. Mohney, and R. F. Karlicek, Jr., Appl. Phys. Lett. 71, 3859 (1997).
11. C. T. Lee, M. Y. Yeh, C. D. Tsai, and Y. T. Lyu, J. Electron. Mater. 26, 262 (1997).
12. Q. Z. Liu, S. S. Lau, N. R. Perkins, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 69, 1722 (1996).
13. L. L. Smith, S. W. King, R. J. Nemanich, and R. F. Davis, J. Electron. Mater. 25, 805 (1996).
14. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997).
15. J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, H. E. Shin, Y. J. Park, and T. Kim, Appl. Phys. Lett. 73, 2953 (1998).
16. J. K. Kim, K. J. Kim, B. Kim, J. N. Kim, J. S. Kwak, Y. J. Park, and J. L. Lee, J. Electron. Mater. 30, 129 (2001).
17. J. L. Lee, J. K. Kim, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. Kim, Solid-State Electron. 43, 435 (1999).
18. Y. J. Lin, C. D. Tsai, Y. T. Lyu, and C. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 687 (2000).
19. Y. J. Lin and C. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 3986 (2000).
20. A. Parkhomovsky, B. E. Ishaug, A. M. Dabiran, and P. I. Cohen, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 2162 (1999).
21. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 27, 255 (1998).
22. S. Kurtin, T. C. McGill, and C. A. Mead, Phys. Rev. Lett. 22, 1433 (1969).
23. D. R. Lide, CRC Handbook of Chemistry and Physics (Chemical Rubber Corp., Boca Raton, FL, 1992), p. 12.
24. C. B. Vartuli, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, F. Ren, J. C. Zolper, and R. J. Shul, Solid-State Electron. 41, 1947 (1997).
25. J. L. Lee, J. K. Kim, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. Kim, Electrochem. Solid-State Lett. 3, 53 (2000).
26. J. Sun, K. A. Rickert, J. M. Redwing, A. B. Ellis, F. J. Himpsel, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 76, 415 (2000).
27. L. R. Doolittle, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 9, 344 (1985).
28. M. S. Chung and W. T. Lin (unpublished work).