Enhanced diffusion as a mechanism for ion-induced damage propagation in GaN

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 19, Issue 3, 2001, Pages 603-608

  Haberer, E D ^a   Chen, C H ^a   Hansen, M ^a   Keller, S ^a   DenBaars, S P ^a   Mishra, U K ^a   Hu, E L ^a  

^a University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIFFUSION; ENERGY GAP; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PHOTOLUMINESCENCE; REACTIVE ION ETCHING; SAPPHIRE; SEMICONDUCTOR GROWTH; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

QUANTUM WELL (QW) PROBES;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0035326280     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1362684     Document Type: Conference Paper

References (25)

1. J. I. Pankove, E. A. Miller, and J. E. Berkeyheiser, RCA Rev. 32, 383 (1971).
2. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
3. M. Koike, S. Yamasaki, Y. Tezen, S. Nagai, S. Iwayama, A. Kojima, T. Uemura, A. Hirano, and H. Kato, Proc. SPIE 3938, 24 (2000).
4. H. S. Kong, J. Edmond, K. Doverspike, D. Emerson, G. Bulman, K. Haberern, H. Dieringer, and D. Slater, Mater. Sci. Forum 338-342, 1477 (2000).
5. I. Akasaki, H. Amano, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, and M. Koike, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L151 (1995).
6. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsuhita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
7. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode: GaN Based Light Emitters and Lasers (Springer, Heidelberg, Germany, 1997).
8. K. Koverspike et al., Proc. SPIE 3284, 82 (1998).
9. M. Kneissl et al., Appl. Phys. Lett. 77, 1931 (2000).
10. K. Domen, A. Kuramata, R. Soejima, K. Horino, S. Kubota, and T. Tanahashi, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 4, 490 (1998).
11. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
12. S. J. Pearton, Mater. Sci. Eng., B 40, 101 (1996).
13. A. T. Ping, A. C. Schmitz, I. Adesida, M. A. Khan, Q. Chen, and J. W. Yang, J. Electron. Mater. 26, 266 (1997).
14. X. A. Cao, S. J. Pearton, G. T. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, and J. M. Van Hove, IEEE Trans. Electron Devices 47, 1320 (2000).
15. R. J. Shul, L. Zhang, A. G. Baca, C. G. Willison, J. Han, S. J. Pearton, and F. Ren, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1139 (2000).
16. R. Cheng, R. J. Reeves, B. Rong, S. A. Brown, E. J. M. Fakkeldij, E. van der Drift, and M. Kamp, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 2759 (1999).
17. C.-H. Chen, S. Keller, E. D. Haberer, L. Zhang, S.P. DenBaars, E. L. Hu, and U. K. Mishra, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 2755 (1999).
18. E. D. Haberer, C.-H. Chen, A. Abare, M. Hansen, S. P. DenBaars, L. A. Coldren, U. K. Mishra, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 76, 3941 (2000).
19. S. Keller, S. B. Fleischer, S. F. Chichibu, J. E. Bowers, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Phys. Status Solidi B 216, 269 (1999).
20. N. G. Stoffel, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 651 (1992).
21. C.-H. Chen, D. L. Green, and E. L. Hu, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 2355 (1995).
22. Y.-L. Chang, I.-H. Tan, Y.-H. Zhang, D. Bimberg, J. Merz, and E. L. Hu, J. Appl. Phys. 74, 5144 (1993).
23. L. C. Kimerling, Solid-State Electron. 21, 1391 (1978).
24. C.-H. Chen, D. G. Yu, and E. L. Hu, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3684 (1996).
25. J. F. Muth, J. H. Lee, I. K. Shmagin, R. M. Kolbas, H. C. Casey, B. P. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 71, 2572 (1997).