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Volumn 216, Issue 1, 1999, Pages 269-272

Effect of the confinement layer design on the luminescence of InGaN/GaN single quantum wells

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EID: 0033242899     PISSN: 03701972     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/(SICI)1521-3951(199911)216:1<269::AID-PSSB269>3.0.CO;2-4     Document Type: Article
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References (8)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.