Inductively coupled plasma etching of doped GaN films with Cl2/Ar discharges

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 147, Issue 10, 2000, Pages 3914-3916

  Cho, B C ^a   Im, Y H ^a   Hahn, Y B ^a   Nahm, K S ^a   Lee, Y S ^a   Pearton, S J ^b  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

^b J Crayton Pruitt Family Department of Biomedical Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ETCHING; ION BOMBARDING ENERGY;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; ION BOMBARDMENT; MORPHOLOGY; NITROGEN; PLASMA ETCHING; PRESSURE; SURFACES;

GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0034296463     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1393995     Document Type: Article

References (22)

1. S. A. Smith, C. A. Wolden, M. D. Bremser, A. D. Hanser, R. F. Davis, and W. V. Lampert, Appl. Phys. Lett., 71, 3631 (1997).
2. R. J. Shul, R. D. Briggs, S. J. Pearton, C. B. Vartuli, C. R. Abernathy, J. W. Lee, C. Constantine, and C. Barratt, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 449, 969 (1997).
3. Y. B. Hahn and S. J. Pearton, Korean J. Chem. Eng., 17, 304 (2000).
4. R. J. Shul, G. B. McClellan, S. A. Casalnuova, D. J. Rieger, S. J. Pearton, C. Constantine, C. Barrat, R. F. Karlicek, Jr., C. Tran, and M. Schurman, Appl. Phys. Lett., 69, 1119 (1996).
5. R. J. Shul, in GaN and Related Materials, S. J. Pearton, Editor, Gordon and Breach, New York (1997).
6. H. P. Gillis, D. A. Choutov, and K. P. Martin, JOM, 48, 50 (1996).
7. I. Adesida, A. Mahajan, E. Andideh, M. A. Khan, D. T. Olsen, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett., 63, 2777 (1993).
8. M. E. Lin, Z. F. Fan, Z. Ma, L. H. Allen, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett., 64, 887 (1994).
9. H. Lee, D. B. Oberman, and J. S. Harris, Jr., Appl. Phys. Lett., 67, 1754 (1995).
10. W. Pletschen, R. Niegurch, and K. H. Bachem, in the Proceedings of the Symposium on Wide Bandgap Semiconductors and Devices, F. Ren, D. N. Buckley, S. J. Pearton, P. Van Daele, G. C. Chi, T. Kamijok, and F. Schuermager, Editors, PV 95-21, p. 241, The Electorchemcal Society Proceedings Series, Pennington, NJ (1995)
11. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and F. Ren, Appl. Phys. Lett., 64, 2294 (1994).
12. L. Zhang, J. Ramer, J. Brown, K. Zhang, L. F. Lester, and S. D. Hersee, Appl. Phys. Lett., 68, 367 (1996).
13. R. J. Shul, R. D. Briggs, S. J. Pearton, C. B. Vartuli, C. R. Abernathy, J. W. Lee, C. Constantine, and C. Barratt, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 449, 969 (1997).
14. H. Cho, C. B. Vartuli, S. M. Donovan, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. J. Shul, and C. Constantine, J. Vac. Sci. Technol. A, 16, 1631 (1998).
15. H. Cho, C. B. Vartuli, S. M. Donovan, K. D. Mackenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. J. Shul, and C. Constantine, J. Electron. Mater., 27, 166 (1998).
16. S. Nakamura, in GaN and Related Materials, S. J. Pearton, Editor, Gordon and Breach, New York (1997).
17. R. J. Shul, G. B. McClellan, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, C. Constantine, and C. Barratt, Electron. Lett., 32, 1408 (1996).
18. C. B. Vartuli, S. J. Pearton, J. W. Lee, J. D. Mackenzie, C. R. Abernathy, R. J. Shul, C. Constantine, and C. Barratt, J. Electrochem. Soc., 144, 2844 (1997).
19. Y. B. Hahn, D. C. Hays, H. Cho, K. B. Jung, C. R. Abernathy, S. M. Donovan, S. J. Pearton, J. Han, and R. J. Shul, Mater. Sci. Eng., B, 60, 95 (1999).
20. D. C. Hays, A. Cho, K. B. Jung, Y. B. Hahn, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Surf. Sci., 147, 134 (1999).
21. Y. B. Hahn, D. C. Hays, S. M. Donovan, C. R. Abernathy, J. Han, R. J. Shul, H. Cho, K. B. Jung, and S. J. Pearton, J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 768 (1999).
22. H. Cho, Y. B. Hahn, D. C. Hays, K. B. Jung, S. M. Donovan, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and R. J. Shul, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S1, G6.56 (1999).