The role of feedgas chemistry, mask material, and processing parameters in profile evolution during plasma etching of Si(100)

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 18, Issue 5, 2000, Pages 2067-2079

  Lane, J M ^a,c   Bogart, K H A ^b   Klemens, F P ^b   Lee, J T C ^b  

^a Department of Electrical Engineering and Computer Science   (United States)

^b LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

^c UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHLORINE; HYDROGEN INORGANIC COMPOUNDS; OXYGEN; PLASMA ETCHING; SILICA;

FEEDGAS CHEMISTRY; PROFILE EVOLUTION;

SILICON;

EID: 0034275220     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (50)

1. M. Sato, K. Sakuma, and Y. Arita, Dry Proc. Symp. Proc. 102 (1985).
2. S. Ohki, M. Oda, H. Akiya, and T. Shibata, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 1611 (1987).
3. S. V. Nguyen, D. Dobuzinsky, S. R. Stiffler, and G. Chrisman, J. Electrochem. Soc. 138, 1112 (1991).
4. T. J. Dalton, J. C. Arnold, H. H. Sawin, S. Swan, and D. Corliss, J. Electrochem. Soc. 140, 2395 (1993).
5. A. C. Westerheim, A. H. Labun, J. H. Dubash, J. C. Arnold, H. H. Sawin, and V. Yu-Wang, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 853 (1995).
6. R. A. Gottscho, C. W. Jurgensen, and D. J. Vitkavage, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 2133 (1992).
7. A. F. Gerodolle and J. Pelletier, IEEE Trans. Electron Devices 38, 2025 (1991).
8. J. C. Arnold and H. H. Sawin, J. Appl. Phys. 70, 5314 (1991).
9. D. J. Economou and R. C. Alkire, J. Electrochem. Soc. 135, 941 (1988).
10. S. Murakawa and J. P. McVittie, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 2184 (1994).
11. M. Schaepkens and G. S. Oehrlein, Appl. Phys. Lett. 72, 1293 (1998).
12. G. S. Hwang and K. P. Giapis, Electrochem. Soc. Proc. 66, 98 (1998).
13. R. J. Hoekstra, M. J. Kushner, V. Sukharev, and P. Schoenborn, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2102 (1998).
14. T. Arikado, K. Horioka, M. Sekine, H. Okano, and Y. Horiike, Dry Proc. Symp. Proc. 114 (1985).
15. J. I. Ulacia and J. P. McVittie, J. Appl. Phys. 65, 1484 (1989).
16. R. N. Tait, S. K. Dew, T. Smy, and M. J. Brett, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1085 (1994).
17. J. P. Chang, A. P. Mahorowala, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 217 (1998).
18. J. C. Arnold, H. H. Sawin, M. Dalvie, and S. Hamaguchi, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 620 (1994).
19. A. P. Mahorowala, Doctoral Dissertation, Massachusetts Institute of Technology, Department of Chemical Engineering, 1998.
20. E. S. G. Shaqfeh and C. W. Jurgensen, J. Appl. Phys. 66, 4664 (1989).
21. G. S. Hwang, C. M. Anderson, M. J. Gordon, T. A. Moore, T. K. Minton, and K. P. Giapis, Phys. Rev. Lett. 77, 3049 (1996).
22. M. A. Vyvoda, H. Lee, M. V. Malyshev, F. P. Klemens, M. Cerullo, V. M. Donnelly, D. B. Graves, A. Kornblit, and J. T. C. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3247 (1998).
23. J. M. Lane, F. P. Klemens, K. H. A. Bogart, M. V. Malyshev, and J. T. C. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 188 (2000).
24. K. H. A. Bogart, F. P. Klemens, M. V. Malyshev, J. I. Colonell, J. M. Lane, V. M. Donnelly, and J. T. C. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 197 (2000).
25. J. W. Coburn and H. F. Winters, J. Appl. Phys. 50, 3189 (1979).
26. T. M. Mayer and R. A. Barker, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 757 (1982).
27. J. P. Chang and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 610 (1997).
28. G. S. Hwang and K. P. Giapis, J. Appl. Phys. 82, 572 (1997).
29. G. S. Hwang and K. P. Giapis, J. Appl. Phys. 81, 3433 (1997).
30. G. S. Hwang and K. P. Giapis, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 70 (1997).
31. G. S. Hwang and K. P. Giapis, J. Electrochem. Soc. 144, L320 (1997).
32. J. Zheng, R. P. Brinkmann, and J. P. McVittie, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 859 (1995).
33. K. H. A. Bogart and V. M. Donnelly, J. Appl Phys. 86, 1822 (1999).
34. K. H. A. Bogart and V. M. Donnelly, J. Appl. Phys. 87, 8351 (2000).
35. T. D. Bestwick and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 1696 (1990).
36. F. H. Bell and O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 88 (1997).
37. S. Kuroda and H. Iwakuro, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1846 (1998).
38. K. Nishikawa, T. Oomori, K. Ono, and M. Tuda, J. Vac. Sci. Technol. B 1, 35 (1996).
39. K. V. Guinn, C. C. Cheng, and V. M. Donnelly, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 214 (1995).
40. B. Chapman, Glow Discharge Processes (Wiley, New York, 1980).
41. J. P. Chang and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 610 (1997).
42. J. P. Chang, J. C. Arnold, G. C. H. Zau, H. S. Shin, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1853 (1997).
43. T. M. Mayer, R. A. Barker, and L. J. Whitman, J. Vac. Sci. Technol. 18, 349 (1981).
44. P. Kapur, D. S. Bang, J. P. McVittie, K. C. Saraswat, and T. Mountsier, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1123 (1998).
45. C. Hedlund, C. Strandman, I. V. Katardjiev, Y. Bäcklund, S. Berg, and H.-O. Blom, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3239 (1996).
46. C. Hedlund, L. B. Jonsson, I. V. Katardjiev, S. Berg, and H.-O. Blom, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 686 (1997).
47. J. W. Coburn, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1384 (1994).
48. C. C. Cheng, K. V. Guinn, I. P. Herman, and V. M. Donnelly, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 1970 (1995).
49. C. C. Cheng, K. V. Guinn, and V. M. Donnelly, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 85 (1996).
50. M. E. Barone and D. B. Graves, J. Appl. Phys. 77, 1263 (1995).