How to fabricate a defect free Si(001) surface

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 18, Issue 4 II, 2000, Pages 1933-1936

  Hata, K ^a   Kimura, T ^a   Ozawa, S ^a   Shigekawa, H ^a  

^a UNIVERSITY OF TSUKUBA   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL ORIENTATION; HIGH TEMPERATURE EFFECTS; PRESSURE EFFECTS; SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE; SEMICONDUCTOR GROWTH; SURFACE STRUCTURE;

FLASHING;

SILICON WAFERS;

EID: 0034226714     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.582482     Document Type: Article

References (32)

1. R. J. Hamers and U. K. Kohler, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2854 (1989).
2. K. Hata, M. Ishida, K. Miyake, and H. Shigekawa, Appl. Phys. Lett. 73, 40 (1998).
3. M. Uchikawa, M. Ishida, K. Miyake, K. Hata, R. Yoshiraki, and H. Shigekawa, Surf. Sci. 357/358, 469 (1996).
4. R. A. Wolkow, Phys. Rev. Lett. 68, 2636 (1992).
5. H. Tochihara, T. Amakusa, and M. Iwatsuki, Phys. Rev. B 50, 12262 (1994).
6. K. Hata, T. Kimura, Y. Sainoo, K. Miyake, R. Morita, M. Yamashita, and H. Shigekawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 2904 (1999).
7. T. Yokoyama and K. Takayanagi, Phys. Rev. B 56, 10483 (1997).
8. T. Yokoyama and K. Takayanagi, Phys. Rev. B 57, 4226 (1998).
9. A. R. Smith, F. K. Men, K.-J. Chao, and C. K. Shin, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 914 (1996).
10. H. Shigekawa, K. Miyake, M. Ishida, K. Hata, H. Oigawa, Y. Nannichi, R. Yoshizaki, A. Kawazu, T. Abe, T. Ozawa, and T. Nagamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L1081 (1996).
11. H. Shigekawa, K. Hata, K. Miyake, M. Ishida, and S. Ozawa, Phys. Rev. B 55, 15448 (1997).
12. H. Shigekawa, K. Miyaka, M. Ishida, and K. Hata, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, L294 (1997).
13. Ph. Avouris and D. Cahill, Ultramicroscopy 42-44, 838 (1992).
14. K. Hata, S. Ozawa, and H. Shigekawa, Surf. Sci. 441, 140 (1999).
15. K. Hata, R. Morita, M. Yamashita, and H. Shigekawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 3837 (1999).
16. K. Hata, S. Ozawa, Y. Sainoo, K. Miyake, and H. Shigekawa, Surf. Sci. 447, 156 (2000).
17. M. W. Rowe, H. Liu, G. P. Williams, and R. T. Williams, Phys. Rev. B 47, 2048 (1993).
18. J. T. Yates, Jr., Experimental Innovations in Surface Science (Springer, Berlin, 1997), p. 790.
19. B. S. Swartzentruber, Y.-W. Mo, M. B. Webb, and M. G. Lagally, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2901 (1989).
20. V. A. Ukraintsev, Z. Dohnalek, and J. T. Yates, Jr., Surf. Sci. 388, 132 (1997).
21. H. Niehus, U. K. Kohler, M. Copel, and J. E. Demuth, J. Microsc. 152, 735 (1988).
22. F. K. Men, A. R. Smith, K. J. Chao, Z. Zhang, and C. K. Shin, Phys. Rev. B 52, 8650 (1995).
23. R. J. Hamer, R. M. Tromp, and J. E. Demuth, Phys. Rev. B 34, 5343 (1986).
24. M. Yoshimura, S. Shinabe, and T. Yao, Surf. Sci. 357, 917 (1996).
25. V. A. Ukraintsev and J. T. Yates, Jr., Surf. Sci. 346, 31 (1996).
26. N. Roberts and R. J. Needs, Surf. Sci. 236, 112 (1990).
27. K. Hata, S. Yasuda, and H. Shigekawa, Phys. Rev. B 60, 8164 (1999).
28. B. S. Swartzentruber, Phys. Rev. B 55, 1322 (1997).
29. J. van Wingerden, A. van Dam, M. J. Haye, P. M. L. O. Scholte, and T. Tuinstra, Phys. Rev. B 55, 9352 (1997).
30. P. J. Bedrossian, Phys. Rev. Lett. 74, 3648 (1995).
31. X. R. Qin and M. G. Lagally, Science 278, 1444 (1997).
32. X. R. Qin and M. G. Lagally, Phys. Rev. B 59, 7293 (1999).