Dislocations in MBE-grown ZnSe/GaAs(001) epitaxial layers

Diffusion and Defect Data. Pt A Defect and Diffusion Forum

Volumn 173, Issue , 1999, Pages 31-46

  Vidal, M A ^a   Constantino, M E ^a   Salazar Hernandez B ^a   Navarro Contreras, H ^a   Lopez Lopez M ^b   Hernandez Calderon I ^b   Yonezu, H ^c  

^a UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE SAN LUIS POTOSÍ   (Mexico)

^b DEPARTAMENTO DE FÍSICA   (Mexico)

^c TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DENSITY (SPECIFIC GRAVITY); DISLOCATIONS (CRYSTALS); MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; STACKING FAULTS; SUBSTRATES; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION;

EPILAYER THICKNESS; EPITAXIAL LAYERS; ETCH PIT DENSITY; HIGH RESOLUTION X RAY DIFFRACTION; SUBCRITICAL THICKNESS;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 0033321229     PISSN: 10120386     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (26)

1. H. Jeon, J. Ding, W. Patterson, A. V. Nurmikko, W. Xie, D.C. Grillo, M. Cobyashi and R. L. Gunshor, Appl. Phys. Lett. 59, 3619 (1991).
2. J. M. Gaines, R. R. Drenten, K. W. Haberern, T. Marshall, P. Mensz and J. Petruzzello, Appl. Phys. Lett. 62, 2462 (1993).
3. I. Hernández-Calderón, E. López-Luna, J. Luyo, M. Meléndez-Lira, O. de Melo, P. Díaz, L. Hernández, J. Fuentes, R. León and H. Sitter. J. Cryst. Growth 175, 571 (1997).
4. J. Petruzzello, B. Greenber, D. Cammarck, and R. Dalby, J. Appl. Phys. 63, 2299 (1988).
5. J. M. Gaines, J. Petruzzello, and B. Greenberg, J. Appl. Phys. 73, 2835 (1993).
6. S. Guha, H. Munekata and L, L. Chang, J. Appl. Phys. 73, 2294 (1993).
7. S. Guha, J. M. De Puydt, J. Qui, G. E. Hofler, M. A. Haase, B. J. Wu and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 63, 3023 (1993).
8. J. Tanimura, O. Wada, T. Ogama, Y. Endoh, and M. Imaizumi, J. Appl. Phys. 77, 6223 (1995).
9. B. J. Wu, J. M. Haugen, J. M. De Puydt, L. H. Kuo, and. L. Salamanca-Riva, Appl. Phys. Lett., 68, 2828 (1996).
10. E. D. Bourret-Courchesne, Appl. Phys. Lett. 68, 1675 (1996).
11. S. Heun, J. J. Paggel, L. Sorba, S. Rubini, A. Franciosi, J. M. Bonard, and J. D. Ganiere, Appl. Phys. Lett., 70, 237 (1997).
12. L. H. Kuo, L. Salamanca-Riva, J. M. De Puydt, H. Cheng, and J. Qiu, Appl. Phys. Lett 63, 3197 (1993).
13. P. Vennegues, B. Muller, V. Bousquet, C. Ongaretto, E. Tournie, J.P. Faurie. J. Crtyst. Growth 182, 45(1997).
14. L.H. Kuo, L. Salamanca-Riba, B.J. Wu, G. M. Haugen, J. M. DePuydt, G. Hofler, and H. Cheng, J. Vac. Sci. Technol B 13, 1694(1995).
15. M.E. Constantino, M.A. Vidal, B. Salazar-Hernández, H. Navarro-Contreras, M. López-López, M. Melendez, I. Hernández-Calderon, J. Cryst. Growth 194, 301 (1998).
16. V. Bousquet, E. Tournie, J.P. Faurie, J. Cryst. Growth 192, 102 (1998).
17. J. E. Ayers, J. Cryst. Growth, 135, (1994) 71.
18. K. Wolf, S. Jilka, H. Sahin, H. Stanzl, T. Reisinger, A. Naumov, W. Gebhardt, J. Cryst. Growth 152, (1995) 34.
19. J. E. Ayers, J. Appl. Phys., 78, 3724 (1995)
20. G.D. U'Ren and M. S. Goorsky, G.Meis-Haugen, K. K. Law, T. J. Miller, K.W. Haberern, Appl. Phys. Lett., 69, 1089 (1996).
21. V. Bousquet, E. Tournie, J. P. Faurie, J. Crystal Growth 192, 102 (1998).
22. J. Luyo-Alvarado, M. Meléndez-Lira, M. López-López, I. Hernández-Calderón, M. E. Constantino, H. Navarro-Contreras, M.A. Vidal, Y. Takagi, K. Samonji, and H. Yonezu. J. of Appl. Phys., 84, 1551 (1998).
23. A. Rosenauer, T. Reisinger, F. Franzen, G. Schutz, B. Hahn, K. Wolf, J. Zweck and W. Gebhardt, J. Appl. Phys. 79, 4124 (1996).
24. C.B. O'Donnell, G. Lacey, G. Horsburgh, A.G. Cullis, C.R. Whitehouse, P.J. Parbrook, W. Meredith, I. Galbraith, P. Mock, K. A. Prior, and B.C. Cavenett, J.Cryst. Growth 184, 95 (1998).
25. L. H. Kuo, K. Kimura, S. Miwa, T. Yasuda and T. Yao, Appl. Phys. Lett., 69 1408 (1996).
26. S. Miwa, L.H. Kuo, K. Kimura, A. Ohtake, T. Yasuda C.G. Jin, and T. Yao, J. Crystal Growth 184/185, 41 (1998).