Selective dry etching of the gan/inn/ain, gaas/aigaas and gaas/ingap systems

Materials Research Society Symposium - Proceedings

Volumn 573, Issue , 1999, Pages 281-286

  Hays, D C ^a   Abemathy, C R ^a   Hobson, W S ^a   Pearton, S J ^a   Han, J ^a   Shut, R J ^a   Cho, H ^a   Jung, K B ^a   Ren, F ^a   Hahn, Y B ^a  

^a UNIVERSITY OF FLORIDA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BOND STRENGTH (CHEMICAL); DRY ETCHING; ELECTRIC DISCHARGES; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

SELECTIVE DRY ETCHING;

SEMICONDUCTOR JUNCTIONS;

EID: 0032668018     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Article

References (29)

1. see for example HEMT's and HBT's, ed F. AH, Artech House, Dedham, MA.( 1991 ); also, Topics in Compound Semiconductors, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and F. Ren, (World Scientific, Singapore 1996)
2. M. Tong, D. G. Ballegeer, A. Ketterson, E. J. Roan, K. Y. Cheng and I. Adesida, J. Electron. Mater. 21,9(1992).
3. K. Hikosuka, T. Miamura and K. Joshin, Jap. J. Appl. Phys. 20, L847(1981).
4. S. Salimian, C. B. Cooper III, R. Norton and J. Beam, Appl. Phys. Lett. 51,1083 (1987).
5. J. -H. Kim, D. H. Lim and G. M. Yang, J. Vac. Sei. Technol. B16,558 (1998).
6. G. C. DeSalvo, W. F. Tseng and J. Comas, J. Electrochem. Soc. 139, 831 (1992).
7. R. Zhao, W. S. Lao, T. C. Chong and M. F. Li, Jap. J. Appl. Phys. 35,22 (1996).
8. C. Juang, K. J. Kühn and R. B. Darling, J. Vac. Sei. Technol. B8,1122 (1990).
9. D. H. Lim, G. M. Yang, J. -H. Kim and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 71,1915(1997).
10. S. J. Pearton, Int. J. Mod. Phys. B8, 1781 (1994).
11. S. J. Pearton, W. S. Hobson, C. R. Abernathy, F. Ren, T. Fullowan, A. Katz and A. Perley, Plasma Chem. Plasma Proc. 13, 311 (1993).
12. S. Nahamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushito, H. Kiyoku and V. Sugimotu, Jap. J. Appl. Phys. 35, L74 (1996).
13. Y. F. VVu, S. Keller, P. Kozodoy, B. P. Keller, P. Parikh, D. Kapolneck, S. P. De Baars and U. K. Mishra, IEEE Electron. Dev. Lett. 18,290 (1997).
14. M. A. Khan, Q. Chen, M. S. Shur, B. T. McDermott, J. A. Higgins, J. Burn, W. J. Scharffand L. F. Eastman, Electron. Lett. 32,357 (1996).
15. O. Aktas, Z. Fan, S. N. Mohammad, A. Botcharev and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 69,25 (1996).
16. C. R. Abernathy, Mat. Sei. Eng. Rep., R14 (1995).
17. W. S. Hobson, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 300,75 (1993).
18. J. Han, J. G. Fleming and D. M. Follstaedt, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 512,53 (1998).
19. D.C. Hays, H. Cho, K. B. Jung, Y. B. Hahn, C. R. Abernathy and S. J. Pearton, Appl. Surf. Sei. (submitted).
20. R. J. Shul, S. P. Kilcoyne, M. Hagerott-Crawford, J. E. Parmeba, C. B. Vartuli, C. R. Abernathy and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 66,1761 (1995).
21. W. A. Harrison, Electronic Structure and Properties of Solids (Freeman, San Francisco, (1980).
22. J. W. Lee, H. Cho, D. C. Hays, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. J. Shul, G. A. Vawter and J. Han, IEEE J. Selected Top. In Quantum Electronics 4,557 (1998).
23. R. J. Shul, G. B. McClellan, R. D. Briggs, D. J. Rieger, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. W. Lee, C. Constantine and C. Burratt, J. Vac. Sei. Technol. A15,633 (1997).
24. C. B. Vartuli, S. J. Pearton, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy and R. J. Shul, J. Electrochem. Soc. 143, L246 (1996).
25. S. A. Saith, C. A. Wolden, M. D. Bremser, A. D. Hansen and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 3631 (1997).
26. R. J. Shul, C. G. Willison, M. M. Bridges, J. Han, J. W. Lee, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, S. M. Donovan, L. Zhang and L. F. Lester, J. Vac. Sei. Technol. A. 16, 1621 (1998).
27. R. J. Shul, C. I. H. Ashby, C. G. Willison, L. Zhang, J. Han, M. M. Bridges, S. J. Pearton, J. W. Lee and L. F. Lester, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 512,495 (1998).
28. H. Cho, J. Hong, T. Maeda, S. M. Donovan, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. J. Shul and J. Han, MRS Internet J. Nitride Res. 3, 5 (1998).
29. H. Cho, J. Hong, T. Maeda, S. M. Donovan, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. J. Shul and J. Han, J. Electron. Mater. 27,915 (1998).