Factors affecting interface-state density and stress of silicon nitride films deposited on Si by electron-cyclotron resonance chemical vapor deposition

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 16, Issue 5, 1998, Pages 2931-2940

  Landheer, D ^a   Rajesh, K ^a   Masson, D ^a   Hulse, J E ^a   Sproule, G I ^a   Quance, T ^a  

^a NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0032370425     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.581442     Document Type: Article

References (37)

1. S. S. He and G. Lucovsky, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 336, 787 (1994).
2. T. P. Ma, IEEE Trans. Electron Devices 45, 680 (1998).
3. T. Hiro, M. Kitagawa, T. Kamada, K. Tsukamoto, Y. Yoshioka, K. Kuramasu, T. Korechika, and K. Wasa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 27, 1609 (1988).
4. J. C. Barbour, H. J. Stein, O. A. Popov, M. Yoder, and C. A. Outten, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 480 (1991).
5. J. C. Barbour and H. J. Stein, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 236, 313 (1992).
6. J. R. Flemish, R. Pfeffer, W. Buchwald, and K. A. Jones, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 284, 15 (1993).
7. J. R. Flemish and R. L. Pfeffer, J. Appl. Phys. 74, 3277 (1993).
8. M. J. Hernandez, J. Garrido, J. Martinez, and J. Piqueras, J. Electrochem. Soc. 141, 3234 (1994).
9. T. Inukai and K. Ono, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 2593 (1994).
10. D. G. Park, M. Tao, D. Li, A. E. Botchkarev, Z. Fan, Z. Wang, S. N. Mohammad, A. Rockett, J. R. Abelson, H. Morkoç, A. R. Heyd, and S. A. Alterovitz, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2674 (1996).
11. M. Tao, D. G. Park, S. N. Mohammad, D. Li, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Philos. Mag. B 73, 723 (1996).
12. F. Delmotte, M. C. Hugon, B. Agius, and J. L. Courant, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1919 (1997).
13. M. C. Hugon, F. Delmotte, B. Agius, and J. L. Courant, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 3143 (1997).
14. F. S. Pool, J. Appl. Phys. 81, 2839 (1997).
15. S. Belkouch, D. Landheer, R. Taylor, K. Rajesh, and G. I. Sproule, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 446, 151 (1997).
16. S. Garcia, I. Martil, G. Gonzalez Diaz, E. Castan, S. Duenas, and M. Fernandex, J. Appl. Phys. 83, 332 (1998).
17. D. Landheer, J. E. Hulse, and T. Quance, Thin Solid Films 293, 52 (1997).
18. D. V. Tsu, G. Lucovsky, and M. J. Mantini, Phys. Rev. B 33, 7069 (1986).
19. W. A. Lanford and M. J. Rand, J. Appl. Phys. 49, 2473 (1978).
20. R. Castagne and A. Vapaille, Surf. Sci. 28, 157 (1971).
21. M. J. Uren and K. M. Brunson, Semicond. Sci. Technol. 9, 1504 (1994).
22. P. K. Shufflebotham and D. J. Thomson, Can. J. Phys. 69, 195 (1991).
23. J. B. Friedmann, C. Ritter, S. Bisgaard, and J. L. Shohet, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1145 (1993).
24. D. L. Smith, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 165, 69 (1990).
25. F. Delmotte, M. C. Hugon, B. Agius, A. M. Pointu, and S. Teodora, Appl. Phys. Lett. 72, 1448 (1998).
26. S. Y. Kim and E. A. Irene, Rev. Sci. Instrum. 66, 5277 (1995).
27. G. Lucovsky, Y. Ma, S. S. He, T. Yasuda, D. J. Stephens, and S. Habermehl, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 284, 33 (1993).
28. D. V. Tsu and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 4, 480 (1986).
29. F. H. P. M. Habraken and A. E. T. Kuiper, Mater. Sci. Eng. 12, 123 (1994), and references therein.
30. B. Lipschultz, I. Hutchinson, B. LaBombard, and A. Wan, J. Vac. Sci. Technol. A 4, 1810 (1986).
31. Z. Lu, S. S. He, Y. Ma, and G. Lucovsky, J. Non-Cryst. Solids 187, 340 (1995).
32. P. M. Lenahan and P. V. Dressendorfer, J. Appl. Phys. 55, 3495 (1984); Y. Y. Kim and P. M. Lenahan, ibid. 64, 3551 (1988).
33. P. M. Lenahan and P. V. Dressendorfer, J. Appl. Phys. 55, 3495 (1984); Y. Y. Kim and P. M. Lenahan, ibid. 64, 3551 (1988).
34. Z. Ying, G. Lucovsky, and J. L. Whitten, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1613 (1995).
35. G. Lucovsky, Z. Ying, and D. R. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2832 (1996).
36. C. H. Bjorkman, J. T. Fitch, and G. Lucovsky, Appl. Phys. Lett. 56, 1983 (1990).
37. V. A. Gristenko, E. E. Meerson, and Yu. N. Morokov, Phys. Rev. B 57, R2081 (1998).