Langmuir probe analysis of distributed electron cyclotron resonance silicon nitride deposition plasma

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 12, 1998, Pages 1448-1450

  Delmotte, F ^a   Hugon, M C ^a   Agius, B ^a   Pointu, A M ^b   Teodoru, S ^b  

^a UNIVERSITÉ PARIS SACLAY   (France)

^b UNIVERSITÉ PARIS SUD   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0009703711     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120608     Document Type: Article

References (15)

1. Y. Manabe and T. Mitsuyu, J. Appl. Phys. 66, 2475 (1989).
2. F. Plais, B. Agius, F. Abel, J. Siejka, M. Puech, G. Ravel, P. Alnot, and N. Proust, J. Electrochem. Soc. 139, 1491 (1992).
3. S. Sitbon, M. C. Hugon, B. Agius, F. Abel, J. L. Courant, and M. Puech, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 2900 (1995).
4. M. C. Hugon, F. Delmotte, B. Agius, and J. L. Courant, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 3143 (1997).
5. M. P. Besland, S. Jourba, M. Lambrinos, P. Louis, P. Viktorovitch, and G. Hollinger, J. Appl. Phys. 80, 3100 (1996).
6. G. Giroult-Matlakowski, C. Charles, A. Durandet, R. W. Boswell, S. Armand, H. M. Persing, A. J. Perry, P. D. Lloyd, S. R. Hyde, and D. Bogsanyi, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 2754 (1994).
7. R. Hill, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 547 (1996).
8. M. Pichot, A. Durandet, J. Pelletier, Y. Arnal, and L. Vallier, Rev. Sci. Instrum. 59, 1072 (1988).
9. S. M. Gorbatkin, L. A. Berry, and J. B. Roberto, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 2893 (1990).
10. O. A. Popov, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 711 (1991).
11. T. Hori, M. D. Bowden, K. Uchino, and K. Muraoka, Appl. Phys. Lett. 69, 3683 (1996).
12. J. Hopwood, D. K. Reinhard, and J. Asmussen, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 3103 (1990).
13. K. M. Burrows, Aust. J. Phys. 15, 162 (1962).
14. K. A. Buckle, J. Rodgers, K. Pastor, C. Constantine, and D. Johnson, Appl. Phys. Lett. 660, 2601 (1992).
15. F. Delmotte, M. C. Hugon, B. Agius, and J. L. Courant, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1919 (1997).